Cree C3D02060E 碳化硅肖特基二极管- Z-Rec 整流器

C4D10120E–碳化硅肖特基二极管
Z-Rec™ 整流器
VRRM = 1200 V
IF,
= 16 A
TC<135˚C
Qc 特点
•
•
•
•
•
= 66 nC
封装
1200 伏肖特基整流器
零反向恢复电流
高频工作
与温度无关的开关特性
正向电压 (VF) 的正温度系数
优点
•
•
•
•
•
TO-252-2
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
引脚 1
外壳
引脚 2
应用
•
•
太阳能逆变器
功率因数校正
部件号
封装
标记
C4D10120E
TO-252-2
C4D10120
D10120E
技术数据表:C4
Rev. A
最大额定值
符号
参数
值
单位
VRRM
反向重复峰值电压
1200
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
1300
V
VDC
直流阻断电压
1200
V
IF
持续正向电流
16
A
TC=135˚C;无交流分量
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
47
31
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
71
59
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
Ptot
功率耗散
170
74
W
TC=25˚C
TC=110˚C
Tc
最高外壳温度
135
˚C
TJ
工作结温范围
-55 至
+175
˚C
Tstg
存储温度范围
-55 至
+135
˚C
信息若有更改,恕不另行通知。
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测试条件
注
1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
注
VF
正向电压
1.5
2.2
1.8
3
V
IR
反向电流
30
55
250
350
μA
VR = 1200 V TJ=25°C
VR = 1200 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
66
nC
VR = 1200 V, IF = 10A
di/dt = 200 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
754
45
38
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 800 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
IF = 10 A TJ=25°C
IF = 10 A TJ=175°C
注:
1.这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
典型
单位
RθJC
TO-252 封装热阻,结到外壳
0.88
°C/W
典型性能
20
5
18
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ = 125°C
16
4
14
IR (mA)
IF (A)
12
10
8
3
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ = 125°C
TJ =175°C
2
6
4
1
2
0
0
0.5
1
1.5
2
VF (V)
图 1.正向特征
2
C4D10120E Rev. A
2.5
3
3.5
4
0
0
500
1000
VR (V)
图 2.反向特征
1500
2000
典型性能
180.0
80
160.0
70
20%
30%
50%
70%
直流
50
140.0
占空系数*
占空系数*
占空系数*
占空系数*
120.0
PTot (W)
IF(peak) (A)
60
40
30
80.0
60.0
20
40.0
10
20.0
0
0.0
25
50
75
100
125
150
25
175
50
75
100
TC ˚C
TC ˚C
图 3.电流降额
图 4.功率降额
125
150
175
800
70
700
60
600
50
500
40
C (pF)
Qrr (nC)
100.0
30
400
300
20
200
10
100
0
0
200
400
600
800
1000
0
0.1
VR (V)
3
图 5.恢复电荷与反向电压的关系
C4D10120E Rev. A
1
10
VR (V)
图 6.电容与反向电压的关系
100
1000
典型性能
1
热阻抗 (˚C/W)
0.1
0.01
0.001
0.0001
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
10E-3
100E-3
时间 (S)
图 7.瞬态热阻抗
二极管型号
Diode Model CSD04060
Vf T =VVfTT=
+ If*R
VT+If*R
T
T
-3
V
VTT==0.965
+ (Tj *J*-1.3*10
) -3)
0.98+(T
-1.71*10
-3
RTT==0.096
+ (Tj * 1.06*10
) -4
0.040+(T
J* 5.32*10 )
注:Tj = 二极管结温,单位摄氏度
VT
4
C4D10120E Rev. A
RT
1
10
建议的焊盘布局
部件号
封装
标记
C4D10120E
TO-252-2
C4D10120
TO-252-2
封装尺寸
位置
封装 TO-252-2
英寸
最大
最小
最大
A
.250
.289
6.350
7.341
B
.197
.215
5.004
5.461
C
.027
.050
.686
1.270
D*
.270
.322
6.858
8.179
E
.178
.182
4.521
4.623
F
.025
.045
.635
1.143
G
44˚
46˚
44˚
46˚
H
.380
.410
9.652
10.414
J
*
引脚 1
引脚 2
外壳
毫米
最小
.090 典型
2.286 典型
K
6˚
8˚
6˚
8˚
L
.086
.094
2.184
2.388
M
.018
.034
.457
.864
N
.035
.050
.889
1.270
P
.231
.246
5.867
6.248
Q
0.00
.005
0.00
.127
R
R0.010 典型
R0.254 典型
S
.017
.023
.432
.584
T
.038
.045
.965
1.143
U
.021
.029
.533
.737
注:
* 接片 “D” 可能不存在
本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值),或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制
使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
版权所有 ©2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标,Z-Rec 是
Cree, Inc. 的商标。
5
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