C3D10170H–碳化硅肖特基二极管 VRRM = Z-Rec™ 整流器 IF; TC<135˚C Qc 特点 • • • • • • • =14.4 A = 96 nC 封装 1700 伏肖特基整流器 零反向恢复电流 零正向恢复电压 高频工作 与温度无关的开关特性 极快的开关 无卤素；符合 RoHS 要求 TO-247-2 优点 • • • • • 1700 V 引脚 1 将双极整流器替换成单极整流器 基本无开关损耗 效率更高 对散热器要求降低 并联器件不会导致热失控 外壳 引脚 2 部件号 封装 标记 C3D10170H TO-247-2 C3D10170 最大额定值 .D10170H Rev 技术数据表：C3 符号 参数 值 单位 测试条件 VRRM 反向重复峰值电压 1700 V VRSM 反向浪涌峰值电压 1700 V VDC 直流阻断电压 1700 V IF 持续正向电流 14.4 A TC<135˚C IFRM 正向重复峰值浪涌电流 45 26 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=1 TC=110˚C, tP=10 mS, 半正弦波，D=1 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 55 41 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=1 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=1 Ptot 功率耗散 231 100 W TC=25˚C TC=110˚C Tc 最高外壳温度 135 ˚C TJ 工作结温范围 -55 至 +175 ˚C Tstg 存储温度范围 -55 至 +135 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in TO-247 安装扭矩 注 M3 螺丝 6-32 螺丝 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/power 1 电气特征 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 注 VF 正向电压 1.7 3 2 3.5 V IF = 10 A TJ=25°C IF = 10 A TJ=175°C IR 反向电流 20 100 60 300 μA VR = 1700 V TJ=25°C VR = 1700 V TJ=175°C QC 总电容电荷 96 nC VR = 1700 V, IF = 10 A di/dt = 200 A/μs TJ = 25°C C 总电容 827 78 41 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 200 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 800 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz 注： 1.这是一款主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特征 符号 参数 典型 单位 RθJC 热阻，结到外壳 0.65 °C/W 典型性能 5 20 18 4 16 14 3 IR (μA) IF (A) 12 10 TJ=-55°C TJ= 25°C TJ= 75°C TJ = 125°C TJ =175°C 8 6 4 TJ=-55°C TJ= 25°C TJ= 75°C TJ = 125°C TJ =175°C 2 1 2 0 0 1 2 3 4 VF (V) 图 1.正向特征 2 C3D10170H Rev. - 5 6 7 0 0 250 500 750 1000 1250 VR (V) 图 2.反向特征 1500 1750 2000 2250 典型性能 250 70 60 200 10% 30% 50% 70% 直流 40 占空系数 占空系数 占空系数 占空系数 150 PTot (W) IF(peak) (A) 50 30 100 20 50 10 0 0 50 75 100 125 150 25 175 75 100 TC ˚C 图 3.电流降额 图 4.功率降额 80 900 70 800 60 700 125 150 175 600 50 40 30 500 400 300 20 200 10 100 0 0 200 400 600 800 1000 0 0.1 VR (V) 图 5.恢复电荷与反向电压的关系 3 50 TC ˚C C (pF) Qrr (nC) 25 C3D10170H Rev. - 1 10 100 VR (V) 图 6.电容与反向电压的关系 1000 10000 典型性能 1 热阻抗 (˚C/W) 0.1 0.01 0.001 0.0001 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 时间 (S) 图 7.瞬态热阻抗 4 C3D10170H Rev. - 10E-3 100E-3 1 10 封装尺寸 封装 TO-247-2 位置 e 英寸 毫米 最小 最大 最小 最大 A 0.185 0.209 4.70 5.31 A1 0.087 0.102 2.21 2.59 b 0.040 0.055 1.02 1.40 b1 0.065 0.088 1.65 2.23 C 0.016 0.031 0.41 0.79 D 0.819 0.845 20.80 21.46 E 0.61 0.640 15.49 16.26 e 0.215 0.215 5.46 5.46 L 0.78 0.80 19.81 20.32 L1 0.164 0.176 4.17 4.47 øP 0.140 0.144 3.56 3.66 Q 0.212 0.244 5.38 6.20 øR 0.135 0.157 3.43 3.99 øS 0.278 0.288 7.06 7.32 V 0.652 0.662 16.56 16.81 W 0.000 0.006 0.00 0.15 引脚 1 外壳 引脚 2 二极管型号 Diode Model CSD10060 Vf T Vf =V If*R T +V T T= T+If*R T -3 -3 VT0.92 VT= + (Tj * -1.35*10 ) = 0.975+(T ) J* -1.4*10 -3 -3 RT=R0.052 + (Tj * 0.29*10 ) ) T = 0.053+(T J* 1.1*10 注：Tj = 二极管结温，单位摄氏度 VT RT 本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值)，或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制 使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 ©2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标，Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。 5 C3D10170H Rev. - 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]