Cree C3D02060E 碳化硅肖特基二极管- Z-Rec 整流器

C4D05120E–碳化硅肖特基二极管
Z-Rec™ 整流器
特点
•
•
•
•
•
= 1200 V
IF, TC<135˚C
=9A
Qc = 34.5 nC
封装
1200 伏肖特基整流器
零反向恢复电流
高频工作
与温度无关的开关特性
正向电压 (VF) 的正温度系数
优点
•
•
•
•
•
VRRM TO-252-2
将双极整流器替换成单极整流器
基本无开关损耗
效率更高
对散热器要求降低
并联器件不会导致热失控
引脚 1
外壳
引脚 2
应用
•
•
太阳能逆变器
功率因数校正
部件号
封装
标记
C4D05120E
TO-252-2
C4D05120
.A
D05120E Rev
技术数据表:C4
最大额定值
符号
参数
值
单位
VRRM
测试条件
反向重复峰值电压
1200
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
1300
V
VDC
直流阻断电压
1200
V
IF
持续正向电流
9
A
TC=135˚C;无交流分量
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
26
18
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
42
34
A
TC=25˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
TC=110˚C,tP=10 ms,半正弦脉冲
Ptot
功率耗散
96.8
42
W
TC=25˚C
TC=110˚C
Tc
最高外壳温度
135
˚C
TJ
工作结温范围
-55 至
+175
˚C
Tstg
存储温度范围
-55 至
+135
˚C
信息若有更改,恕不另行通知。
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注
1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
注
VF
正向电压
1.5
1.9
1.8
3
V
IR
反向电流
20
40
150
300
μA
VR = 1200 V TJ=25°C
VR = 1200 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
34.5
nC
VR = 1200 V, IF = 5A
di/dt = 200 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
390
27
20
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 800 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
IF = 5 A TJ=25°C
IF = 5 A TJ=175°C
注:
1.这是一款主载子二极管,因此没有反向恢复电荷。
热特征
符号
参数
典型
单位
RθJC
TO-252 封装热阻,结到外壳
1.55
°C/W
典型性能
10
1000
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ = 125°C
TJ =175°C
9
8
900
800
7
Current
(µA)
IR (μA)
700
IF (A)
6
5
4
500
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ = 125°C
TJ =175°C
400
3
300
2
200
1
100
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VF (V)
图 1.正向特征
2
600
C4D05120E Rev. A
3
3.5
4
4.5
0
500
1000
Voltage (V)
VR (V)
图 2.反向特征
1500
2000
典型性能
45
100
40
90
35
20%
30%
50%
70%
直流
IF(peak) (A)
30
80
占空系数*
占空系数*
占空系数*
占空系数*
70
60
PTot (W)
25
20
50
40
15
30
10
20
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
25
175
50
75
100
TC ˚C
TC ˚C
图 3.电流降额
图 4.功率降额
125
150
175
450
35
400
30
350
25
C (pF)
Qrr (nC)
300
20
15
250
200
150
10
100
5
50
0
0
3
200
400
600
VR (V)
800
1000
0
0.01
图 5.恢复电荷与反向电压的关系
C4D05120E Rev. A
0.1
1
10
VR (V)
图 6.电容与反向电压的关系
100
1000
典型性能
10
热阻抗 (˚C/W)
1
0.1
0.01
0.001
1E-6
10E-6
100E-6
1E-3
时间 (S)
10E-3
100E-3
图 7.瞬态热阻抗
二极管型号
VfT = VT + If * RT
VT = 0.96 + (Tj * -1.22*10-3)
RT = 0.08 + (Tj * 8.5*10-4)
= 二极管结温,单位摄氏度
Note: Tj is diode注:T
junction
temperature in degrees Celsius
j
4
C4D05120E Rev. A
1
10
建议的焊盘布局
.08
部件号
封装
标记
C4D05120E
TO-252-2
C4D05120
TO-252-2
封装尺寸
位置
封装 TO-252-2
英寸
最大
最小
最大
A
.250
.289
6.350
7.341
B
.197
.215
5.004
5.461
C
.027
.050
.686
1.270
D*
.270
.322
6.858
8.179
E
.178
.182
4.521
4.623
F
.025
.045
.635
1.143
G
44˚
46˚
44˚
46˚
H
.380
.410
9.652
10.414
J
*
引脚 2
外壳
.090 典型
2.286 典型
K
6˚
8˚
6˚
8˚
L
.086
.094
2.184
2.388
M
.018
.034
.457
.864
N
.035
.050
.889
1.270
P
.231
.246
5.867
6.248
Q
0.00
.005
0.00
.127
R
引脚 1
毫米
最小
R0.010 典型
R0.254 典型
S
.017
.023
.432
.584
T
.038
.045
.965
1.143
U
.021
.029
.533
.737
注:
* 接片 “D” 可能不存在
本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值),或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制
使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
版权所有 ©2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标,Z-Rec 是
Cree, Inc. 的商标。
5
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