2sa1186 ds jp

2SA1186
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC2837とコンプリメンタリ)
μA
V
IEBO
VEB＝−5V
−100max
μA
−5
V
V(BR)CEO
IC＝−25mA
−150min
V
−10
A
hFE
VCE＝−4V, IC＝−3A
−150
VEBO
IC＝−5A, IB＝−0.5A
fT
VCE＝−12V, IE＝1A
60typ
MHz
℃
COB
VCB＝−80V, f＝1MHz
110typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
1.05 +0.2
-0.1
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
RL
(Ω)
IC
(A)
VB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–60
12
–5
5
–500
500
0.25typ
0.8typ
0.2typ
–10
I B =–20m A
–2
–4
–2
5˚
–5A
0
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–1.0
–1.5
(V C E = – 4V)
3
200
–0.1
–0.5
25 ˚C
100
50
20
–0.02
過渡熱抵抗 θ j -a (˚C/W)
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
Typ
–5
–1
– 30 ˚C
50
30
–0.02
–10
–0.1
–0.5
–1
–5
–10
1
0.5
0.2
1
10
100
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代 表 例 ）
–2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
300
–1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE = – 4V)
100
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代表例 ）
1000 2000
時間 t(ms)
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
–10
熱
板
50
付
最大許容損失 P C (W)
放
–0.2
–2
大
エミッタ電流 I E (A)
10
限
–0.5
1
C
–1
20
0.1
D
無
40
–5
ms
T
yp
10
遮断周波数 f T (MH Z )
60
0
0.02
100
–30
80
コレクタ電流 I C (A)
直流電流増幅率 h FE
0
–2.0
25
12
0
）
I C =–10A
–1
）
–40mA
–6
温度
–60mA
–2
度）
–8 0m A
–6
–4
–8
ス温
mA
–120
A
–100m
ケー
–
C（
m
コレクタ電流 I C (A)
00
(V C E = – 4V)
–10
mA
160
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
m
–4
00
コレクタ電流 I C (A)
–2
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
–3
–8
C
製品質量 約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE ( sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代表 例 ）
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
VCC
(V)
A
2
3
ース
−55∼＋150
VCE(sat)
（ケ
Tstg
−2.0max
A
W
温度
150
ø3.2±0.1
0˚C
Tj
2.0±0.1
ロ
ース
100(Tc＝25℃)
4.8±0.2
−3
PC
イ
（ケ
−2
IB
50min※
4.0max
VCEO
15.6±0.4
9.6
1.8
−100max
V
5.0±0.2
VCB＝−150V
−150
2.0
ICBO
VCBO
4.0
単位
19.9±0.3
規格値
記 号
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
単 位
IC
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
˚C
LAPT
放熱板なし
自然空冷
–10
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
11