2sa1386a ds jp

2SA1386/1386A
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3519/3519Aとコンプリメンタリ)
V
VCB=
−5
V
IEBO
VEB=−5V
−15
A
V(BR)CEO
IC=−25mA
−4
A
hFE
VCE=−4V, IC=−5A
130(Tc=25℃)
W
VCE(sat)
IC=−5A, IB=−0.5A
V
fT
VCE=−12V, IE=2A
40typ
MHz
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
500typ
pF
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–40
4
–10
–10
5
–1
1
0.3typ
0.7typ
0.2typ
–3
0
–4
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
h FE – I C 特性 (代表 例 )
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h F E
–1
–5 –10 –15
1.8
)
温度
度)
ース
(ケ
3
125 ˚C
100
–0.5
–2
(V C E = – 4V)
200
Typ
–1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温度 特 性( 代 表 例 )
300
–0.1
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE = – 4V)
10
–0.02
)
0
–1.0
ベース電流 I B (A)
0˚C
–5A
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
100
温度
I C =–10A
I B =–20mA
–2
–5
ス温
–1
−3
–50mA
ース
–5
–10
ケー
–100mA
–2
(ケ
–150mA
–1
(V C E = – 4V)
5˚C
–200mA
0
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
–3 00 m A
–10
0
1.4
E
–15
12
–4
C
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
A
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
コレクタ電流 I C (A)
0
m
00
2
3
5.45±0.1
–3
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
m
00
–7
–5
A
ø3.2±0.1
1.05 +0.2
-0.1
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
VCC
(V)
0m
2.0±0.1
50min※
−2.0max
℃
I C – V CE 特性(代表 例 )
4.8±0.2
ロ
150
–15
イ
V
−180min
5.0±0.2
2.0
V
μA
−55∼+150
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
コレクタ電流 I C (A)
−180
−160min
PC
Tstg
−160
15.6±0.4
9.6
μA
−100max
IB
Tj
−100max
˚C(
IC
ICBO
−100max
単位
25
−180
−160
VEBO
試 験 条 件
19.9±0.3
VCEO
記 号
(Ta=25℃)
規 格 値
2SA1386
2SA1386A
4.0
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記号
単 位
2SA1386 2SA1386A
VCBO −160
V
−180
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
外形図 MT-100(TO3P)
4.0max
LAPT
25 ˚C
– 30 ˚C
50
20
–0.02
–0.1
–0.5
–1
–5
–10 –15
1
0.5
0.1
1
10
100
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性 (代表 例 )
1000 2000
時間 t(ms)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
130
–40
60
10
ms
DC
–10
最大許容損失 P C (W)
付
コレクタ電流 I C (A)
板
1.2SA1386
2.2SA1386A
熱
放熱板なし
自然空冷
放
–1
–0.5
大
20
–5
限
40
p
無
遮断周波数 f T (MH Z )
100
Ty
50
–0.1
1
0
0.02
0.1
1
エミッタ電流 I E (A)
18
10
–0.05
–3
–10
–50
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
2
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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