2SA1386/1386A シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC3519/3519Aとコンプリメンタリ) V VCB＝ −5 V IEBO VEB＝−5V −15 A V(BR)CEO IC＝−25mA −4 A hFE VCE＝−4V, IC＝−5A 130(Tc＝25℃) W VCE(sat) IC＝−5A, IB＝−0.5A V fT VCE＝−12V, IE＝2A 40typ MHz ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 500typ pF RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –40 4 –10 –10 5 –1 1 0.3typ 0.7typ 0.2typ –3 0 –4 0 –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 h FE – I C 特性 （代表 例 ） 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W) 直流電流増幅率 h FE 直流電流増幅率 h F E –1 –5 –10 –15 1.8 ） 温度 度） ース （ケ 3 125 ˚C 100 –0.5 –2 (V C E = – 4V) 200 Typ –1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温度 特 性（ 代 表 例 ） 300 –0.1 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE = – 4V) 10 –0.02 ） 0 –1.0 ベース電流 I B (A) 0˚C –5A コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 100 温度 I C =–10A I B =–20mA –2 –5 ス温 –1 −3 –50mA ース –5 –10 ケー –100mA –2 （ケ –150mA –1 (V C E = – 4V) 5˚C –200mA 0 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） –3 00 m A –10 0 1.4 E –15 12 –4 C 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） A 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B コレクタ電流 I C (A) 0 m 00 2 3 5.45±0.1 –3 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) A m 00 –7 –5 A ø3.2±0.1 1.05 +0.2 -0.1 ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) VCC (V) 0m 2.0±0.1 50min※ −2.0max ℃ I C – V CE 特性（代表 例 ） 4.8±0.2 ロ 150 –15 イ V −180min 5.0±0.2 2.0 V μA −55∼＋150 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） コレクタ電流 I C (A) −180 −160min PC Tstg −160 15.6±0.4 9.6 μA −100max IB Tj −100max ˚C（ IC ICBO −100max 単位 25 −180 −160 VEBO 試 験 条 件 19.9±0.3 VCEO 記 号 (Ta＝25℃) 規 格 値 2SA1386 2SA1386A 4.0 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記号 単 位 2SA1386 2SA1386A VCBO −160 V −180 20.0min ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 外形図 MT-100(TO3P) 4.0max LAPT 25 ˚C – 30 ˚C 50 20 –0.02 –0.1 –0.5 –1 –5 –10 –15 1 0.5 0.1 1 10 100 コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性 （代表 例 ） 1000 2000 時間 t(ms) AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE = – 12V) 130 –40 60 10 ms DC –10 最大許容損失 P C (W) 付 コレクタ電流 I C (A) 板 1.2SA1386 2.2SA1386A 熱 放熱板なし 自然空冷 放 –1 –0.5 大 20 –5 限 40 p 無 遮断周波数 f T (MH Z ) 100 Ty 50 –0.1 1 0 0.02 0.1 1 エミッタ電流 I E (A) 18 10 –0.05 –3 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 2 –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150