C 等価回路 2SD2016 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ 用途：イグナイタ、リレー、一般用 V ICBO VCEO 200 V IEBO VEBO 6 V V(BR)CEO IC 3 A hFE 規格値 単位 VCB＝200V 10max μA VEB＝6V 10max mA IC＝10mA 200min V 1000∼15000 VCE＝4V, IC＝1A IB 0.5 A VCE(sat) IC＝1A, IB＝1.5mA 1.5max PC 25(Tc＝25℃) W VBE(sat) IC＝1A, IB＝1.5mA 2.0max V Tj 150 ℃ fT VCE＝12V, IE＝−0.1A 90typ MHz −55∼＋150 ℃ COB VCB＝10V, f＝1MHz 40typ pF Tstg 10.1±0.2 4.2±0.2 2.8 c0.5 4.0±0.2 200 外形図 FM20(T0220F) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 ø3.3±0.2 イ ロ 3.9 V 0.8±0.2 VCBO 記 号 16.9±0.3 単 位 ±0.2 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 13.0min ■絶対最大定格 (2kΩ) (200Ω) E 8.4±0.2 ダーリントン B 1.35±0.15 1.35±0.15 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 2.54 2.4±0.2 2.2±0.2 製品質量 約2.0g イ．品名 ロ．ロット番号 B C E V CE (sat) – I C 特 性（ 代 表 例 ） I C – V CE 特性（ 代 表 例 ） 1mA 0 1 2 3 0 4 0.2 1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) (V CE =4V) 10000 直流電流増幅率 h F E 500 ˚C 25 1000 1000 500 – ˚C ˚C 55 100 50 100 0.5 0.1 1 3 10 0.03 0.1 0.5 1 3 f T – I E 特性（代 表 例 ） ） ス温度 ） 温度 ース 25˚ 1 0.5 1 5 10 50 100 500 1000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) 2 5 10000 5 12 1 θ j-a – t特 性 (V C E =4V) 5000 5000 50 0.03 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） h FE – I C 特性（代 表 例 ） 直流電流増幅率 h F E 0 3 ベース電流 I B (mA) 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W) 0 （ケー 12 5˚ C − 5 5 ˚C 1 25 ˚C C（ケ −5 5˚ C 1 12 1 度） A ス温 .3m 2 ケー I B= 0 2 C（ A 5˚ 0.5m 2 コレクタ電流 I C (A) 1.5 mA コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 3m A (V CE =4V) 3 3 3 コレクタ電流 I C (A) I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE =12V) 30 80 自然空冷 シリコーングリス 放熱板はアルミ 寸法単位はmm 最大許容損失 P C (W) 遮断周波数 f T (MH Z ) 60 40 20 無 限 150x150x2 1 00x 1 0 10 20 0x 大 放 熱 板 付 2 50x50x2 放熱板なし 2 0 –0.01 –0.05 –0.1 –0.5 エミッタ電流 I E (A) 142 –1 –3 0 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150