2sd2016 ds jp

C
等価回路
2SD2016
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ
用途:イグナイタ、リレー、一般用
V
ICBO
VCEO
200
V
IEBO
VEBO
6
V
V(BR)CEO
IC
3
A
hFE
規格値
単位
VCB=200V
10max
μA
VEB=6V
10max
mA
IC=10mA
200min
V
1000∼15000
VCE=4V, IC=1A
IB
0.5
A
VCE(sat)
IC=1A, IB=1.5mA
1.5max
PC
25(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
IC=1A, IB=1.5mA
2.0max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−0.1A
90typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
40typ
pF
Tstg
10.1±0.2
4.2±0.2
2.8 c0.5
4.0±0.2
200
外形図 FM20(T0220F)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
ø3.3±0.2
イ
ロ
3.9
V
0.8±0.2
VCBO
記 号
16.9±0.3
単 位
±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
13.0min
■絶対最大定格
(2kΩ) (200Ω) E
8.4±0.2
ダーリントン
B
1.35±0.15
1.35±0.15
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
2.4±0.2
2.2±0.2
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
B C E
V CE (sat) – I C 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
1mA
0
1
2
3
0
4
0.2
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
(V CE =4V)
10000
直流電流増幅率 h F E
500
˚C
25
1000
1000
500
–
˚C
˚C
55
100
50
100
0.5
0.1
1
3
10
0.03
0.1
0.5
1
3
f T – I E 特性(代 表 例 )
)
ス温度
)
温度
ース
25˚
1
0.5
1
5
10
50
100
500 1000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
2
5
10000
5
12
1
θ j-a – t特 性
(V C E =4V)
5000
5000
50
0.03
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
h FE – I C 特性(代 表 例 )
直流電流増幅率 h F E
0
3
ベース電流 I B (mA)
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
0
(ケー
12 5˚ C
− 5 5 ˚C
1
25 ˚C
C(ケ
−5 5˚ C
1
12
1
度)
A
ス温
.3m
2
ケー
I B= 0
2
C(
A
5˚
0.5m
2
コレクタ電流 I C (A)
1.5
mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
3m
A
(V CE =4V)
3
3
3
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
30
80
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
最大許容損失 P C (W)
遮断周波数 f T (MH Z )
60
40
20
無
限
150x150x2
1 00x 1 0
10
20
0x
大
放
熱
板
付
2
50x50x2
放熱板なし
2
0
–0.01
–0.05
–0.1
–0.5
エミッタ電流 I E (A)
142
–1
–3
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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