2sd2014 ds jp

等価回路
2SD2014
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SB1257とコンプリメンタリ)
10max
μA
IEBO
VEB=6V
10max
mA
V(BR)CEO
IC=10mA
80min
V
120
V
ICBO
VCEO
80
V
VEBO
6
V
IC
4
A
hFE
VCE=2V, IC=3A
2000min
IB
0.5
A
VCE(sat)
IC=3A, IB=3mA
1.5max
PC
25(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
IC=3A, IB=3mA
2.0max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−0.1A
75typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
45typ
pF
3.9
V
1.35±0.15
1.35±0.15
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
30
10
3
10
–5
10
–10
1.0typ
4.0typ
1.5typ
0.3mA
3
0.2
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
5
10
50
直流電流増幅率 h FE
5000
1000
500
100
5000
12
1
5˚C
˚C
25 C
0˚
–3
1000
500
100
50
0.5
50
30
0.03
4
0.1
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
0.5
1
4
0.5
1
5
10
0m
1m
m
s
s
温度)
(ケース
付
2
50x50x2
放熱板なし
自然空冷
20
0x
板
1 00x 1 0
10
熱
最大許容損失 P C (W)
放
コレクタ電流 I C (A)
150x150x2
大
0.5
限
1
無
40
ケース
20
s
DC
Typ
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
s
10
0µ
10
500 1000
P c – Ta定 格
30
5
100
100
25
10
120
50
時間 t(ms)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
60
温度)
度)
1
(V CE =10V)
遮断周波数 f T (MH Z )
ス温
5
コレクタ電流 I C (A)
80
2
10000
Typ
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
(V CE =4V)
20000
20000
1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
10000
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
0.1
0
100
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性(代 表 例 )
0.03
ケー
1
0
4
1A
2
2 5 ˚C (
1
2A
1
I C =4 A
3A
˚C(
0. 4m A
2
3
2
125
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
0. 5m A
コレクタ電流 I C (A)
A
0m
A
IB
=2
0 .8 m
0 .6 m A
2
(V CE =4V)
4
mA
3
30
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
3
4
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
1
2.4±0.2
2.2±0.2
RL
(Ω)
0
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
VCC
(V)
0
ø3.3±0.2
イ
ロ
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
1.0
4.2±0.2
2.8 c0.5
− 3 0 ˚C
Tstg
10.1±0.2
4.0±0.2
VCB=120V
VCBO
記 号
0.8±0.2
単位
±0.2
規格値
単 位
記 号
外形図 FM20(T0220F)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
規 格 値
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
(3kΩ) (200Ω) E
用途:ソレノイド、リレー、モータ駆動、シリーズレギュレータ、一般用
16.9±0.3
■絶対最大定格
B
13.0min
ダーリントン
C
0.1
放熱板なし
2
0
–0.02
0.05
–0.05 –0.1
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
140
–4
3
5
10
50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
100
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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