elm33415ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM33415CA-S
■概要
■特長
ELM33415CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-3.5A
・ Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 61mΩ (Vgs=-2.5V)
・ Rds(on) < 71mΩ (Vgs=-1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
-20
±8
-3.5
Id
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
A
-2.8
-21
1.0
Idm
最大許容損失
V
V
A
3
W
0.6
- 55A ~ 150
℃
Typ.
Max.
単位
120
℃/W
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
■回路
■端子配列図
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SOT-23(TOP VIEW)
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備考
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端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
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4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM33415CA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
Gfs
Vds=-5V, Id=-3.5A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=-3.5A, Vgs=0V
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
ゲート - ソース電荷
Qgs
Qg
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-3.5A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) Id=-3.5A, Rgen=3.3Ω
tf
寄生ダイオード逆回復時間
trr
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
-10
Vds=0V, Vgs=±8V
順方向相互コンダクタンス
Crss
-1
Vds=-10V, Vgs=0V, Ta=70℃
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3.5A
Vgs=-1.8V, Id=-2.0A
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
V
Vds=-16V, Vgs=0V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Vgs=-4.5V, Id=-3.5A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-20
If=-3.5A, dlf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
μA
±100 nA
-0.45 -0.60 -0.90
-21
40
51
V
A
1
48
60
mΩ
1
S
1
V
A
1
61
71
17
-1.3
-3.5
1180
185
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pF
117
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16.7
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2
1.8
nC
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4.6
20
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36
45
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ELM33415CA-S
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シングル
P チャンネル MOSFET
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■標準特性と熱特性曲線
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4-3
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ELM33415CA-S
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P チャンネル MOSFET
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