elm16403ea

シングル P チャンネル MOSFET
ELM16403EA-S
■概要
■特長
ELM16403EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-6A (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 58mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
Ta=25℃
-6
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±20
V
-5
-30
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
2.00
1.44
-55 ～ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
定常状態
Rθja
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
47.5
74.0
Max.
62.5
110.0
単位
℃/W
℃/W
備考
37.0
50.0
℃/W
3
1
■回路
端子番号
端子記号
1
2
3
DRAIN
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16403EA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.2
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-30
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-6A
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Vds=-5V, Id=-6A
Is=-1A, Vgs=0V
-2.0
μA
±100
nA
-2.4
V
28
37
35
45
44
13
-0.76 -1.00
-4.2
mΩ
S
V
A
920
pF
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
190
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
122
3.6
pF
Ω
18.5
9.6
2.7
nC
nC
nC
4.5
7.7
5.7
nC
ns
ns
20.2
9.5
20.0
ns
ns
ns
8.8
nC
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-6A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=2.7Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-6A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
-1
-5
A
Is
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
If=-6A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16403EA-S
■標準特性と熱特性曲線
30
-10V
25
-6V
-5V
Vds=-5V
25
20
20
-4V
-Id (A)
-Id (A)
30
-4.5V
15
-3.5V
10
5
15
10
125°C
5
Vgs=-3V
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
60
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.60
Vgs=-4.5V
50
Id=-6A
Normalized On-Resistance
55
Rds(on) (m� )
1.5
-Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.40
45
40
Vgs=-10V
1.20
35
Vgs=-10V
30
25
Vgs=-4.5V
1.00
20
15
0.80
10
0
5
10
15
20
0
25
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
80
1.0E+01
70
1.0E+00
Id=-6A
60
1.0E-01
50
125°C
1.0E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
1
125°C
40
1.0E-03
30
25°C
1.0E-04
20
25°C
1.0E-05
10
1.0E-06
0
3
4
5
6
7
8
9
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
1.0
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16403EA-S
10
1250
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
1500
Vds=-15V
Id=-6A
6
4
Ciss
1000
2
750
500
Coss
250
0
0
4
8
12
16
0
20
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
10�s
100�s
Rds(on)
limited
10ms
1s
1
-Vds (Volts)
10
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
DC
0.1
10
20
10
10s
0.1
15
30
1ms
0.1s
1.0
10
40
Tj(max)=150°C, Ta=25°C
10.0
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
Crss
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000