elm16405ea

シングル P チャンネル MOSFET
ELM16405EA-S
■概要
■特長
ELM16405EA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=-5A (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 52mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 87mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
Ta=25℃
-5.0
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±20
V
-4.2
-20
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
2.0
1.4
-55 ～ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
定常状態
Rθja
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
■端子配列図
SOT-26(TOP VIEW)
Typ.
47.5
74.0
Max.
62.5
110.0
単位
℃/W
℃/W
備考
37.0
50.0
℃/W
3
1
■回路
端子番号
端子記号
1
2
3
DRAIN
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16405EA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-20
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-5A
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
-1.8
6.0
700
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-5A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=3Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
μA
±100
nA
-3.0
V
52
70
67
87
8.6
-0.77 -1.00
Is
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
-1
-5
A
39
54
Ta=125℃
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
mΩ
S
V
-2.8
A
840
pF
120
pF
75
10
pF
Ω
14.7
7.6
2.0
15
18.0
9.5
nC
nC
nC
3.8
8.3
5.0
nC
ns
ns
29.0
14.0
23.5
ns
ns
ns
13.4
3.0
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16405EA-S
■標準特性と熱特性曲線
20
-10V
-4.5V
15
-4V
10
-3.5V
Vgs=-3V
5
0
0.00
2.00
3.00
4.00
6
4
125°C
2
-2.5V
1.00
Vds=-5V
8
-Id (A)
-Id (A)
10
-5V
-6V
25°C
0
5.00
0
1
100
4
1.60E+00
80
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
3
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Figure 1: On-Region Characteristics
Vgs=-4.5V
60
Vgs=-10V
40
20
1
3
5
7
Vgs=-4.5V
1.40E+00
Vgs=-10V
1.20E+00
Id=-5A
1.00E+00
8.00E-01
9
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1E+01
160
140
1E+00
Id=-5A
120
1E-01
100
1E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
2
125°C
80
125°C
1E-03
25°C
1E-04
60
1E-05
25°C
40
1E-06
FUNCTIONS
AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
20
2
4
6
8
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM16405EA-S
10
1000
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
1200
Vds=-15V
Id=-5A
6
4
2
Ciss
800
600
400
Coss
200
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Crss
0
16
0
5
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
30
100�s
1ms
0.1s
1
10ms
10s
0.1
DC
1
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
20
0
0.001
-Vds (Volts)
10
25
10
1s
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10�s
Rds(on)
limited
10
15
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT
NOTICE.
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000