シングル P チャンネル MOSFET ELM13401CA-S ■概要 ■特長 ELM13401CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-4.2A (Vgs=-10V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 65mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 120mΩ (Vgs=-2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V ±12 V -4.2 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 -3.5 -30 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg 1.4 1.0 -55 ～ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 定常状態 Rθja 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl Typ. 65 85 Max. 90 125 単位 ℃/W ℃/W 備考 43 60 ℃/W 3 ■回路 ■端子配列図 � SOT-23(TOP VIEW) � � 1 � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM13401CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-24V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V -30 -1 -5 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -0.7 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V -25 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs Is=-1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-15V Id=-4A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=3.6Ω, Rgen=6Ω tf trr If=-4A, dlf/dt=100A/μs 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr -1.0 If=-4A, dlf/dt=100A/μs 7 -1.3 V A 42 50 75 53 80 11 65 120 Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-4A Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-5A μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs=-10V Id=-4.2A V -0.75 -1.00 -2.2 mΩ S V A 954 pF 115 77 6 pF pF Ω 9.4 2.0 nC nC 3.0 6.3 3.2 nC ns ns 38.2 12.0 20.2 ns ns ns 11.2 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM13401CA-S ■標準特性と熱特性曲線 10 25.00 -10V Vds=-5V -4.5V 20.00 8 15.00 -Id (A) -Id (A) -3V -2.5V 10.00 Vgs=-2V 5.00 0.00 0.00 6 125°C 4 25°C 2 0 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 0 0.5 120 2 2.5 3 Normalized On-Resistance 1.8 100 Rds(on) (m� ) 1.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 80 Vgs=-2.5V Vgs=-4.5V 60 40 Vgs=-10V 20 0.00 Id=-3.5A, Vgs=-4.5V 1.6 Id=-3.5A, Vgs=-10V 1.4 Vgs=-2.5V 1.2 Id=-1A 1 0.8 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 190 170 1.0E+00 150 Id=-2A 1.0E-01 130 -Is (A) Rds(on) (m� ) 1 110 90 125°C 70 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 1.0E-04 50 25°C 1.0E-05 30 1.0E-06 10 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.2 シングル P チャンネル MOSFET ELM13401CA-S 5 1200 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 1400 Vds=-15V Id=-4A 3 2 1 1000 Ciss 800 600 400 0 0 2 4 6 8 10 0 12 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 10ms 1.0 20 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 100�s 0.1s 20 10 1s 10s DC 0.1 1 -Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 15 10�s 1ms 10 10 40 Rds(on) 10.0 limited 0.1 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 Crss Coss 200 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000