elm13401ca

シングル P チャンネル MOSFET
ELM13401CA-S
■概要
■特長
ELM13401CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
・ Id=-4.2A (Vgs=-10V)
オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 65mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 120mΩ (Vgs=-2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±12
V
-4.2
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
-3.5
-30
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
1.4
1.0
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
定常状態
Rθja
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
Typ.
65
85
Max.
90
125
単位
℃/W
℃/W
備考
43
60
℃/W
3
■回路
■端子配列図
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
1
�
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
�
�
4-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13401CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
-30
-1
-5
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-0.7
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-25
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-4A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=3.6Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-4A, dlf/dt=100A/μs
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
-1.0
If=-4A, dlf/dt=100A/μs
7
-1.3
V
A
42
50
75
53
80
11
65
120
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-4A
Vgs=-2.5V, Id=-1A
Vds=-5V, Id=-5A
μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs=-10V
Id=-4.2A
V
-0.75 -1.00
-2.2
mΩ
S
V
A
954
pF
115
77
6
pF
pF
Ω
9.4
2.0
nC
nC
3.0
6.3
3.2
nC
ns
ns
38.2
12.0
20.2
ns
ns
ns
11.2
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13401CA-S
■標準特性と熱特性曲線
10
25.00
-10V
Vds=-5V
-4.5V
20.00
8
15.00
-Id (A)
-Id (A)
-3V
-2.5V
10.00
Vgs=-2V
5.00
0.00
0.00
6
125°C
4
25°C
2
0
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
0
0.5
120
2
2.5
3
Normalized On-Resistance
1.8
100
Rds(on) (m� )
1.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
80
Vgs=-2.5V
Vgs=-4.5V
60
40
Vgs=-10V
20
0.00
Id=-3.5A, Vgs=-4.5V
1.6
Id=-3.5A, Vgs=-10V
1.4
Vgs=-2.5V
1.2
Id=-1A
1
0.8
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
190
170
1.0E+00
150
Id=-2A
1.0E-01
130
-Is (A)
Rds(on) (m� )
1
110
90
125°C
70
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
50
25°C
1.0E-05
30
1.0E-06
10
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.2
シングル P チャンネル MOSFET
ELM13401CA-S
5
1200
Capacitance (pF)
4
-Vgs (Volts)
1400
Vds=-15V
Id=-4A
3
2
1
1000
Ciss
800
600
400
0
0
2
4
6
8
10
0
12
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10ms
1.0
20
25
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
100�s
0.1s
20
10
1s
10s
DC
0.1
1
-Vds (Volts)
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
15
10�s
1ms
10
10
40
Rds(on)
10.0 limited
0.1
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
Crss
Coss
200
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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