elm34603aa

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM34603AA-N
■概要
■特長
ELM34603AA-N は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=30V
性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=7A
Id=-6A
・ Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 34mΩ(Vgs=-10V)
Vds=-30V
・ Rds(on) < 40.0mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 56mΩ(Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
記号
Vds
N-ch (Max.)
30
Vgs
±20
±20
V
Id
7
6
-6
-5
A
20
2.0
1.3
-20
2.0
1.3
-55 ~ 150
-55 ~ 150
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
-30
V
Pd
Tj,Tstg
A
3
W
℃
■熱特性
項目
記号
チャンネル
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
Max.
単位
N-ch
62.5
℃/W
P-ch
62.5
℃/W
■端子配列図
Typ.
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE1
GATE1
3
4
5
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
6
7
8
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
7- 1
・ N-ch
・ P-ch
D1
G1
D2
G2
S1
S2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM34603AA-N
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
Vds=24V, Vgs=0V
1
10
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=20V, Vgs=0V
Ta=55℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=7A
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=6A
Gfs Vds=5V, Id=7A
Vsd If=1A, Vgs=0V
20
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
パルス電流
動的特性
Is
Ism
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
Coss
Crss
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qg
Qgs
Qgd
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
1.5
2.5
20.5 27.5
30.0 40.0
16
1
1.3
2.6
Vgs=0V, Vds=15V
f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=7A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=10V
td(off) Id=1A, Rgen=3Ω
tf
1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
7- 2
V
A
1
mΩ
1
S
V
1
1
A
A
3
680
pF
105
75
pF
pF
14.0
1.9
3.3
nC
nC
nC
2
2
2
4.6 7.0
4.0 6.0
20.0 30.0
ns
ns
ns
2
2
2
ns
2
5.0
備考 : μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
8.0
SOP-8
Field Effect Transistor
Lead-Free
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM34603AA-N
■標準特性曲線 (N-ch)
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
T A = 125°C
Is - Reverse Drain Current(A)
10
7- 3
-55°C
0.1
0.01
0.001
4
25°C
1
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
1.4
JUL-25-2005
NIKO-SEM
コンプリメンタリーパワー
MOSFET
N- & P-Channel Enhancement
Mode
Field
Effect Transistor
ELM34603AA-N
7- 4
6
P2803NVG
SOP-8
Lead-Free
JUL-25-2005
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM34603AA-N
■電気特性 (P-ch)
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
-30
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
-10
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=55℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-6A
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Gfs Vds=-5V, Id=-6A
Vsd If=-1A, Vgs=0V
-20
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
パルス電流
動的特性
Is
Ism
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
Coss
Crss
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qg
Qgs
Qgd
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
-1.5
-2.5
27.5 34.0
43.5 56.0
13
-1
-1.3
-2.6
Vgs=0V, Vds=-15V
f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-6A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-10V
td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω
tf
1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
7- 5
V
A
1
mΩ
1
S
V
1
1
A
A
3
920
pF
190
120
pF
pF
18.5
2.7
4.5
nC
nC
nC
2
2
2
7.7 11.5
5.7 8.5
20.0 30.0
ns
ns
ns
2
2
2
ns
2
9.5
備考 : μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
14.0
N- & P-Channel Enhancement Mode
コンプリメンタリーパワー
Field Effect TransistorMOSFET
ELM34603AA-N
P2803NVG
SOP-8
Lead-Free
■標準特性曲線 (P-ch)
-Is - Reverse Drain Current(A)
Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature
100
V GS = 0V
10
1
0.1
7- 6
25°C
-55°C
0.01
0.001
0
7
T A = 125°C
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.2
-VSD - Body Diode Forward Voltage(V)
1.4
JUL-25-2005
NIKO-SEM
コンプリメンタリーパワー
MOSFET
N- & P-Channel Enhancement
Mode
Field
Effect Transistor
ELM34603AA-N
7- 7
8
P2803NVG
SOP-8
Lead-Free
JUL-25-2005
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