コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34608AA-N ■概要 ■特長 ELM34608AA－N は 低 入 力 容 N チャンネル P チャンネル 量、 低電圧駆動、 低オン抵抗とい ・ Vds=60V う特性を備えた大電流 MOSFET ・ Id=4.5A Id=-3.5A ・ Rds(on) < 58mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 90mΩ(Vgs=-10V) です。 Vds=-60V ・ Rds(on) < 85mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 135mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 記号 Vds N-ch (Max.) 60 Vgs ±20 ±20 V Id 4.5 4.0 -3.5 -3.0 A 20 2.0 1.3 -20 2.0 1.3 -55 ～ 150 -55 ～ 150 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -60 V Tj,Tstg A 3 W ℃ ■熱特性 項目 記号 チャンネル 最大接合部 - 周囲温度 Rθja 最大接合部 - 周囲温度 Rθja Max. 単位 N-ch 62.5 ℃/W P-ch 62.5 ℃/W ■端子配列図 Typ. 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE1 GATE1 3 4 5 SOURCE2 GATE2 DRAIN2 6 7 8 DRAIN2 DRAIN1 DRAIN1 7- 1 ・ N－ch ・ P－ch D1 G1 D2 G2 S1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34608AA-N ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 60 Vds=48V, Vgs=0V 1 10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=40V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=4.5A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=4A Gfs Vds=10V, Id=4.5A Vsd If=Is=1.3A, Vgs=0V 20 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Vgs=0V, Vds=25V f=1MHz Vgs=10V, Vds=30V Id=4.5A td(on) tr Vgs=10V, Vds=30V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 7- 2 μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 1.5 2.5 V A 1 mΩ 1 1 S V 1 1 1.3 2.6 A A 3 42 58 55 14 85 650 pF 80 35 pF pF 12.0 16.0 2.4 2.6 nC nC nC 2 2 2 11 8 19 20 18 35 ns ns ns 2 2 2 6 15 ns 2 NIKO-SEM P5806NVG N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free ELM34608AA-N ■標準特性曲線 (N-ch) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V Is - Reverse Drain Current(A) 10 T A = 125° C 1 25° C 0.1 -55° C 0.01 0.001 0.0001 0 0.6 0.2 0.4 0.8 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.0 1.2 7- 3 4 Oct-01-2004 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode ELM34608AA-N Field Effect Transistor 7- 4 P5806NVG SOP-8 Lead-Free コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34608AA-N ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -60 Vds=-48V, Vgs=0V -1 -10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-40V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-3.5A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-3A Gfs Vds=-5V, Id=-3.5A Vsd If=Is=-1.3A, Vgs=0V -20 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Vgs=0V, Vds=-30V f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-30V Id=-3.5A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-30V td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 7- 5 μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V -1.5 -2.5 V A 1 mΩ 1 -1 S V 1 1 -1.3 -2.6 A A 3 70 90 100 9 135 630 pF 81 33 pF pF 11.0 15.0 2.1 2.5 nC nC nC 2 2 2 6 8 17 13 18 31 ns ns ns 2 2 2 11 20 ns 2 NIKO-SEM P5806NVG N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free ELM34608AA-N ■標準特性曲線 (P-ch) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 -Is - Reverse Drain Current(A) V GS = 0V 10 1 T A = 125° C 0.1 25° C -55° C 0.01 0.001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 7- 6 6 Oct-01-2004 NIKO-SEM コンプリメンタリーパワー MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ELM34608AA-N P5806NVG SOP-8 Lead-Free 7- 7 7 Oct-01-2004