コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N ■概要 ■特長 ELM34604AA-N は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A Id=-5A ・ Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 65mΩ(Vgs=-10V) Vds=-40V ・ Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 105mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 記号 Vds N-ch (Max.) 40 Vgs ±20 ±20 V Id 7 6 -6 -5 A 20 2.0 1.3 -20 2.0 1.3 -55 ～ 150 -55 ～ 150 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -40 V Pd Tj,Tstg A 3 W ℃ ■熱特性 項目 記号 チャンネル 最大接合部 - 周囲温度 Rθja 最大接合部 - 周囲温度 Rθja Max. 単位 N-ch 62.5 ℃/W P-ch 62.5 ℃/W ■端子配列図 Typ. 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE1 GATE1 3 4 5 SOURCE2 GATE2 DRAIN2 6 7 8 DRAIN2 DRAIN1 DRAIN1 7- 1 ・ N－ch ・ P－ch D1 G1 D2 G2 S1 S2 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 40 Vds=32V, Vgs=0V 1 10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=30V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V Vgs=10V, Id=7A Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6A Gfs Vds=10V, Id=7A Vsd If=Is, Vgs=0V 20 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Vgs=0V, Vds=10V f=1MHz Vgs=10V, Vds=20V Id=7A td(on) tr Vgs=10V, Vds=20V td(off) Id=1A, Rgen=6Ω tf 1.5 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 7- 2 2.5 V A 1 mΩ 1 1 S V 1 1 1.3 2.6 A A 3 21 28 30 19 42 790 pF 175 65 pF pF 16.0 2.5 2.1 nC nC nC 2 2 2 2.2 4.4 7.5 15.0 11.8 21.3 ns ns ns 2 2 2 ns 2 3.7 備考 : μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V 7.4 P2804NVG N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N ■標準特性曲線 (N-ch) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125° C Is - Reverse Drain Current(A) 10 -55° C 0.1 0.01 0.001 7- 3 25° C 1 4 0 0.4 0.2 0.6 0.8 1.0 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 AUG-19-2004 NIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode コンプリメンタリーパワー MOSFET Field Effect Transistor ELM34604AA-N 7- 4 P2804NVG SOP-8 Lead-Free コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -40 Vds=-32V, Vgs=0V -1 -10 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-30V, Vgs=0V Ta=55℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Vgs=-10V, Id=-5A Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-4A Gfs Vds=-10V, Id=-5A Vsd If=Is, Vgs=0V -20 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 パルス電流 動的特性 Is Ism 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 Coss Crss 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qg Qgs Qgd ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 Vgs=0V, Vds=-10V f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-5A td(on) Vgs=-10V, Vds=-20V tr Id=-1A, RL=1Ω td(off) Rgen=6Ω tf 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 7- 5 μA ±100 nA ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 V -1.5 -2.5 V A 1 mΩ 1 -1 S V 1 1 -1.3 -2.6 A A 3 50 65 80 11 105 690 pF 310 75 pF pF 14.0 2.2 1.9 nC nC nC 2 2 2 6.7 13.4 9.7 19.4 19.8 35.6 ns ns ns 2 2 2 12.3 22.2 ns 2 N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P2804NVG SOP-8 Lead-Free コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N ■標準特性曲線 (P-ch) -Is - Reverse Drain Current(A) 100 V GS = 0V 10 1 0.1 T A = 125° C 25° C -55° C 0.01 0.001 0 0.8 1.0 1.2 0.2 0.6 0.4 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.4 7- 6 AUG-19-2004 NIKO-SEM N- & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N 7- 7 P2804NVG SOP-8 Lead-Free