elm3f601ja

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM3F601JA-S
■概要
■特長
ELM3F601JA-S は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=30V
Vds=-30V
性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=7.3A
・ Rds(on) < 24mΩ(Vgs=10V)
Id=-4.3A
Rds(on) < 60mΩ(Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 38mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 85mΩ(Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
記号
Vds
N-ch (Max.)
30
Vgs
±20
7.3
5.8
±20
-4.3
-3.4
V
A
2
Idm
Ias
60
17.4
-30
-18.0
A
A
1
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ 電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
-30
V
Id
アバランシェ エネルギ
L=0.1mH
Eas
15.0
16.2
mJ
最大許容損失
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
2.0
1.3
1.7
1.1
W
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj,Tstg
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - ケース
Rθjc
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
チャンネル
7.5
8.0
61.0
P-ch
70.0
6
5
•
1
2
単位
備考
℃/W
℃/W
3
■回路
PDFN-3x3(TOP VIEW)
7
Max.
N-ch
P-ch
N-ch
■端子配列図
8
Typ.
3
4
端子番号
端子記号
1
2
SOURCE1
GATE1
3
4
5
SOURCE2
GATE2
DRAIN2
6
7
8
DRAIN2
DRAIN1
DRAIN1
7- 1
・ N-ch
・ P-ch
D1 D1
D2 D2
G2
G1
S1
S2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM3F601JA-S
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
Vds=24V, Vgs=0V
1
10
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=20V, Vgs=0V
Ta=55℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=8A
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=6A
Gfs Vds=10V, Id=8A
Vsd If=8A, Vgs=0V
60
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
Crss
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Rg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
Vgs=0V, Vds=15V
f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=8A
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
If=8A, dlf/dt=100A/μs
μA
±100 nA
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
1.5
2.5
17
24
25
22
38
1
V
A
4
mΩ
4
S
V
4
4
591
77
pF
pF
65
pF
3.5
Ω
13.0
nC
5
2.5
3.4
14
nC
nC
ns
5
5
5
10
30
10
ns
ns
ns
5
5
5
12.4
3.2
ns
nC
備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
2. パッケージの制限電流は 30A です
3. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
4. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
5. 動作温度は独立しています
7- 2







 
 
コンプリメンタリーパワー MOSFET



ELM3F601JA-S

■標準特性曲線
(N-ch)


 


































�
�



































































 










�
�







 


�
�

�
�

























7- 3

コンプリメンタリーパワー MOSFET






ELM3F601JA-S

 
 






























































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






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








�
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






















7- 4



コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM3F601JA-S
■電気特性 (P-ch)
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
-30
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
-10
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=55℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-4.5A
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-3.5A
Gfs Vds=-10V, Id=-4.5A
Vsd If=-4.5A, Vgs=0V
-30
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
Crss
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Rg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
Vgs=0V, Vds=-15V
f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-4.5A
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
trr
Qrr
V
If=-4.5A, dlf/dt=100A/μs
μA
±100 nA
-1.5 -2.5 V
38
60
54
11
85
-1.1
A
4
mΩ
4
S
V
4
4
548
87
pF
pF
86
pF
12
Ω
14.0
nC
5
2.0
3.5
16
nC
nC
ns
5
5
5
13
35
14
ns
ns
ns
5
5
5
16.7
4.5
ns
nC
備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
2. パッケージの制限電流は 30A です
3. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
4. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
5. 動作温度は独立しています
7- 5






コンプリメンタリーパワー
MOSFET

 
 
ELM3F601JA-S














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









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
 



■標準特性曲線
(P-ch)





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
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
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
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










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




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

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

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


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

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

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

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













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








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
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



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






7- 6




コンプリメンタリーパワー MOSFET




ELM3F601JA-S

 
 
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
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


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
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






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
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
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
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



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
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

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




















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