elm14606aa

コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14606AA-N
■概要
■特長
ELM14606AA-N は低入力容量、
N チャンネル
P チャンネル
低電圧駆動、 低オン抵抗という特
・ Vds=30V
性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=6.9A(Vgs=10V)
Id=-6A(Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V)
Vds=-30V
・ Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 58mΩ(Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
アバランシェ電流
アバランシェエネルギ ( 繰り返し ) L=0.1mH
接合温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、 Ta=25℃
P-ch (Max.)
単位 備考
-30
V
±20
V
記号
Vds
Vgs
N-ch (Max.)
30
±20
Id
6.9
5.8
-6.0
-5.0
A
1
Idm
30
-30
A
2
Pd
2.00
1.44
2.00
1.44
W
Iar
Ear
Tj,Tstg
15
11
-55 ~ 150
20
20
-55 ~ 150
A
mJ
℃
2
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
記号
t ≦ 10s
定常状態
最大接合部 - リード
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
t ≦ 10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
定常状態
定常状態
Rθja
チャンネル
N-ch
Rθjl
Rθja
Rθjl
■端子配列図
P-ch
Typ.
48.0
74.0
Max.
62.5
110.0
単位
℃/W
℃/W
備考
35.0
48.0
40.0
62.5
℃/W
℃/W
3
74.0
35.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
1
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE2
2
3
4
GATE2
SOURCE1
GATE1
5
6
7
DRAIN1
DRAIN1
DRAIN2
8
DRAIN2
7- 1
・ N-ch
・ P-ch
D2
G2
D1
G1
S2
S1
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14606AA-N
■電気特性 (N-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
0.002 1.000
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Ta=55℃
5.000
100
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
20
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=10V, Id=6.9A
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5.0A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
Crss
Rg
V
Vds=5V, Id=6.9A
Is=1A
10.0
1.9
3.0
μA
nA
V
A
22.5
31.3
28.0
38.0 mΩ
34.5
42.0
15.4
0.76
Is
680
1.00
S
V
3
A
820
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
102
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
77
3.0
pF
Ω
3.6
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qg
Qg
Qgs
Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A
13.84 16.60 nC
6.74 8.10 nC
1.82
nC
Qgd
td(on)
3.20
4.6
7.0
nC
ns
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
4.1
20.6
5.2
6.0
30.0
8.0
ns
ns
ns
16.5
7.8
20.0
10.0
ns
nC
trr
Qrr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 2
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO4606
ELM14606AA-N
N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
■標準特性曲線 (N-ch)
10V
25
20
6V
5V
4.5V
Id (A)
20
15
3.5V
10
Vgs=3V
5
Vds=5V
16
4V
Id (A)
30
12
8
125°C
4
25°C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
Normalized On-Resistance
50
Rds(on) (m� )
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
1.6
60
Vgs=4.5V
40
30
20
Vgs=10V
10
0
5
10
15
1.5
Vgs=10V
Id=5A
1.4
Vgs=4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
20
0
Id (Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
70
60
1.0E+00
Id=5A
50
Is Amps
Rds(on) (m� )
1
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
125°C
40
1.0E-01
1.0E-02
125°C
1.0E-03
30
25°C
20
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0.0
10
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 3
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
1.0
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO4606
ELM14606AA-N
N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
f=1MHz
Vgs=0V
900
800
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1000
Vds=15V
Id=6.9A
6
4
2
700
Ciss
600
500
400
300
200
Coss
100
0
0
2
4
6
8
10
12
Crss
0
14
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
100
0.1s
1s
DC
1
0.1
Vds (Volts)
10
Z �ja Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
30
20
0
0.001
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
25
10
10s
0.1
20
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
30
10�s
10ms
1
15
40
Power W
Id (Amps)
100�s
1ms
10
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
Pd
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 4
100
1000
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14606AA-N
■電気特性 (P-ch)
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
-30
-0.003 -1.000
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
μA
-5.000
±100 nA
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.2
オン状態ドレイン電流
-30
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
Rds(on)
Vgs=-10V, Id=-6A
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-5A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Gfs
Vsd
V
Vds=-5V, Id=-6A
Is=-1A, Vgs=0V
-2.0
-2.4
V
A
28
37
35
45
44
58
13
-0.76 -1.00
Is
mΩ
S
V
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
920
出力容量
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
190
pF
帰還容量
ゲート抵抗
Crss
Rg
122
3.6
pF
Ω
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
-4.2
A
1100
pF
4.4
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレント電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qg
Qg
Qgs
Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-6A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) RL=2.7Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
If=-6A, dlf/dt=100A/μs
If=-6A, dlf/dt=100A/μs
18.5
9.6
2.7
22.2
11.6
nC
nC
nC
4.5
7.7
11.5
nC
ns
5.7
20.2
9.5
8.5
30.0
14.0
ns
ns
ns
20.0
12.3
24.0
15.0
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
7- 5
コンプリメンタリーパワー MOSFET
AO4606
ELM14606AA-N
■標準特性曲線
(P-ch)
P-CHANNEL TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
30
-10V
25
-6V
-5V
Vds=-5V
25
20
20
-4V
-Id (A)
-Id (A)
30
-4.5V
15
-3.5V
10
5
15
10
125°C
5
Vgs=-3V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.60
Vgs=-4.5V
50
Id=-6A
Normalized On-Resistance
55
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
1.40
45
40
Vgs=-10V
1.20
35
Vgs=-10V
30
25
Vgs=-4.5V
1.00
20
15
0.80
10
0
5
10
15
20
0
25
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
80
1.0E+01
70
1.0E+00
Id=-6A
60
1.0E-01
50
125°C
1.0E-02
-Is (A)
Rds(on) (m� )
25°C
0
125°C
40
1.0E-03
30
25°C
1.0E-04
20
25°C
1.0E-05
10
1.0E-06
0
3
4
5
6
7
8
9
10
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
7- 6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
1.0
AO4606
コンプリメンタリーパワー MOSFET
ELM14606AA-N
P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
1250
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
1500
Vds=-15V
Id=-6A
6
4
Ciss
1000
2
750
500
Coss
0
0
4
8
12
16
0
20
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
10�s
100�s
Rds(on)
limited
0.1s
1ms
1s
1
-Vds (Volts)
10
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
30
Tj(max.)=150°C
Ta=25°C
20
DC
0.1
10
20
10
10s
0.1
15
30
10ms
1.0
10
40
Tj(max.)=150°C, Ta=25°C
10.0
5
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
Crss
250
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
0.01
T
7- 7
100
1000
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