コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14606AA-N ■概要 ■特長 ELM14606AA-N は低入力容量、 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=6.9A(Vgs=10V) Id=-6A(Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 35mΩ(Vgs=-10V) Vds=-30V ・ Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V) Rds(on) < 58mΩ(Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 アバランシェ電流 アバランシェエネルギ ( 繰り返し ) L=0.1mH 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ P-ch (Max.) 単位 備考 -30 V ±20 V 記号 Vds Vgs N-ch (Max.) 30 ±20 Id 6.9 5.8 -6.0 -5.0 A 1 Idm 30 -30 A 2 Pd 2.00 1.44 2.00 1.44 W Iar Ear Tj,Tstg 15 11 -55 ～ 150 20 20 -55 ～ 150 A mJ ℃ 2 ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t ≦ 10s 定常状態 最大接合部 - リード 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 t ≦ 10s 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 定常状態 定常状態 Rθja チャンネル N-ch Rθjl Rθja Rθjl ■端子配列図 P-ch Typ. 48.0 74.0 Max. 62.5 110.0 単位 ℃/W ℃/W 備考 35.0 48.0 40.0 62.5 ℃/W ℃/W 3 74.0 35.0 110.0 40.0 ℃/W ℃/W 1 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE2 2 3 4 GATE2 SOURCE1 GATE1 5 6 7 DRAIN1 DRAIN1 DRAIN2 8 DRAIN2 7- 1 ・ N－ch ・ P－ch D2 G2 D1 G1 S2 S1 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14606AA-N ■電気特性 (N-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 0.002 1.000 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Ta=55℃ 5.000 100 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 20 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=10V, Id=6.9A Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=5.0A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 Crss Rg V Vds=5V, Id=6.9A Is=1A 10.0 1.9 3.0 μA nA V A 22.5 31.3 28.0 38.0 mΩ 34.5 42.0 15.4 0.76 Is 680 1.00 S V 3 A 820 pF Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 102 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 77 3.0 pF Ω 3.6 スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qg Qg Qgs Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A 13.84 16.60 nC 6.74 8.10 nC 1.82 nC Qgd td(on) 3.20 4.6 7.0 nC ns tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω tf 4.1 20.6 5.2 6.0 30.0 8.0 ns ns ns 16.5 7.8 20.0 10.0 ns nC trr Qrr If=6.9A, dlf/dt=100A/μs If=6.9A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 2 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO4606 ELM14606AA-N N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS ■標準特性曲線 (N-ch) 10V 25 20 6V 5V 4.5V Id (A) 20 15 3.5V 10 Vgs=3V 5 Vds=5V 16 4V Id (A) 30 12 8 125°C 4 25°C 0 0 0 1 2 3 4 0 5 0.5 Normalized On-Resistance 50 Rds(on) (m� ) 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 1.6 60 Vgs=4.5V 40 30 20 Vgs=10V 10 0 5 10 15 1.5 Vgs=10V Id=5A 1.4 Vgs=4.5V 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 20 0 Id (Amps) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 100 150 200 Temperature ( °C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 70 60 1.0E+00 Id=5A 50 Is Amps Rds(on) (m� ) 1 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 40 1.0E-01 1.0E-02 125°C 1.0E-03 30 25°C 20 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0.0 10 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 3 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body diode characteristics 1.0 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO4606 ELM14606AA-N N-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 f=1MHz Vgs=0V 900 800 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 1000 Vds=15V Id=6.9A 6 4 2 700 Ciss 600 500 400 300 200 Coss 100 0 0 2 4 6 8 10 12 Crss 0 14 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge characteristics 100 0.1s 1s DC 1 0.1 Vds (Volts) 10 Z �ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 30 20 0 0.001 100 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 25 10 10s 0.1 20 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 30 10�s 10ms 1 15 40 Power W Id (Amps) 100�s 1ms 10 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max.)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 0.1 Pd Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 4 100 1000 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14606AA-N ■電気特性 (P-ch) 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V -30 -0.003 -1.000 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V μA -5.000 ±100 nA Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.2 オン状態ドレイン電流 -30 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V Rds(on) Vgs=-10V, Id=-6A Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-5A 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Gfs Vsd V Vds=-5V, Id=-6A Is=-1A, Vgs=0V -2.0 -2.4 V A 28 37 35 45 44 58 13 -0.76 -1.00 Is mΩ S V 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 920 出力容量 Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 190 pF 帰還容量 ゲート抵抗 Crss Rg 122 3.6 pF Ω Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz -4.2 A 1100 pF 4.4 スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレント電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qg Qg Qgs Vgs=-10V, Vds=-15V, Id=-6A Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) RL=2.7Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr If=-6A, dlf/dt=100A/μs If=-6A, dlf/dt=100A/μs 18.5 9.6 2.7 22.2 11.6 nC nC nC 4.5 7.7 11.5 nC ns 5.7 20.2 9.5 8.5 30.0 14.0 ns ns ns 20.0 12.3 24.0 15.0 ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 7- 5 コンプリメンタリーパワー MOSFET AO4606 ELM14606AA-N ■標準特性曲線 (P-ch) P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 30 -10V 25 -6V -5V Vds=-5V 25 20 20 -4V -Id (A) -Id (A) 30 -4.5V 15 -3.5V 10 5 15 10 125°C 5 Vgs=-3V 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 1.60 Vgs=-4.5V 50 Id=-6A Normalized On-Resistance 55 Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 1.40 45 40 Vgs=-10V 1.20 35 Vgs=-10V 30 25 Vgs=-4.5V 1.00 20 15 0.80 10 0 5 10 15 20 0 25 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 80 1.0E+01 70 1.0E+00 Id=-6A 60 1.0E-01 50 125°C 1.0E-02 -Is (A) Rds(on) (m� ) 25°C 0 125°C 40 1.0E-03 30 25°C 1.0E-04 20 25°C 1.0E-05 10 1.0E-06 0 3 4 5 6 7 8 9 10 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 7- 6 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 1.0 AO4606 コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14606AA-N P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 10 1250 Capacitance (pF) 8 -Vgs (Volts) 1500 Vds=-15V Id=-6A 6 4 Ciss 1000 2 750 500 Coss 0 0 4 8 12 16 0 20 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100.0 10�s 100�s Rds(on) limited 0.1s 1ms 1s 1 -Vds (Volts) 10 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 30 Tj(max.)=150°C Ta=25°C 20 DC 0.1 10 20 10 10s 0.1 15 30 10ms 1.0 10 40 Tj(max.)=150°C, Ta=25°C 10.0 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) Crss 250 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Alpha & Omega Semiconductor, Ltd. 0.01 T 7- 7 100 1000