单 P 沟道 MOSFET ELM13421CA-S ■概要 ■特点 ELM13421CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-2.6A (Vgs=-10V) ·Rds(on) ＜ 130mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) ＜ 200mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 漏极电流（脉冲） Id -2.6 -2.2 A 1 Idm -20 A 2 W 1 Tc=25℃ 容许功耗 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -30 V ±20 V 1.4 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg 1.0 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 70 最大值 90 单位 ℃/W 100 63 125 80 ℃/W ℃/W ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 SOURCE DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 备注 1 3 单 P 沟道 MOSFET ELM13421CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -30 -1 Ta=55℃ 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA 导通时漏极电流 Id(on) 漏极 - 源极导通电阻 正向跨导 二极管正向压降 Gfs Vsd 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 Coss Crss 栅极电阻 开关特性 Rg 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Qg Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 -5 ±100 -1.4 3.0 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) tf trr Qrr Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz μA nA V A 97 130 135 150 166 200 3.8 -0.82 -1.00 302.0 Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz -3.0 -5 Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-2A Vds=-5V, Id=-2.5A Is=-1A, Vgs=0V -1.9 Is Qgd td(on) tr 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 Vgs=-4.5V, Vds=-5V Vgs=-10V Rds(on) Id=-2.6A V mΩ S V -2 A 370.0 pF 50.3 37.8 pF pF 12 18 Ω 9.00 Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-2.6A 6.80 2.40 1.60 nC nC nC Vgs=-10V, Vds=-15V 0.95 7.5 3.2 nC ns ns RL=5.8Ω, Rgen=3Ω 17.0 6.8 ns ns If=-2.6A, dlf/dt=100A/μs If=-2.6A, dlf/dt=100A/μs 16.8 10.0 22.0 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM13421CA-S ■标准特性和热特性曲线 10 20 -8V Vds=-5V 8 15 -6V 10 -5.5V -5V 25°C -Id (A) -Id (A) -10V Vgs=-4.5V -4V -3.5V 5 0 1 2 3 125°C 4 2 -3.0V 0 6 0 4 5 1 2 5 6 1.6 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 4 370 250 200 150 Vgs=-4.5V 100 Vgs=-10V 50 0 1 2 3 4 5 18 Vgs=-10V 1.4 9 Vgs=-4.5V 1.2 Id=-2A 1 0.8 6 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 22 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 300 1.0E+00 250 Id=-2A 200 1.0E-01 125°C -Is (A) Rds(on) (m� ) 3 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 150 100 25°C 1.0E-02 125°C 1.0E-03 25°C 1.0E-04 50 1.0E-05 1.0E-06 0 3 4 5 6 7 8 9 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 P 沟道 MOSFET ELM13421CA-S 10 9 8 400 7 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 500 Vds=-15V Id=-2.6A 6 5 4 3 2 Ciss 300 200 Coss 100 1 0 0 1 2 3 4 5 6 Crss 0 7 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 20 Rds(on) limited 100�s 10ms 10s 0.1 DC 1 10 100 10 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 22 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) -Vds (Volts) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 9 0 0.001 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 25 5 1s 0.1 20 Tj(max)=150°C 18 Ta=25°C 15 10�s 1ms 0.1s 1.0 15 370 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000