elm13421ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM13421CA-S
■概要
■特点
ELM13421CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=-30V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=-2.6A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 130mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 200mΩ (Vgs=-4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
Id
-2.6
-2.2
A
1
Idm
-20
A
2
W
1
Tc=25℃
容许功耗
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-30
V
±20
V
1.4
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
1.0
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
70
最大值
90
单位
℃/W
100
63
125
80
℃/W
℃/W
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
G
S
备注
1
3
单 P 沟道 MOSFET
ELM13421CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
-30
-1
Ta=55℃
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
导通时漏极电流
Id(on)
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
Gfs
Vsd
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
Coss
Crss
栅极电阻
开关特性
Rg
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
Qg
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
-5
±100
-1.4
3.0
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off)
tf
trr
Qrr
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
μA
nA
V
A
97
130
135
150
166
200
3.8
-0.82 -1.00
302.0
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
-3.0
-5
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-2A
Vds=-5V, Id=-2.5A
Is=-1A, Vgs=0V
-1.9
Is
Qgd
td(on)
tr
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Vgs=-10V
Rds(on) Id=-2.6A
V
mΩ
S
V
-2
A
370.0
pF
50.3
37.8
pF
pF
12
18
Ω
9.00
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-2.6A
6.80
2.40
1.60
nC
nC
nC
Vgs=-10V, Vds=-15V
0.95
7.5
3.2
nC
ns
ns
RL=5.8Ω, Rgen=3Ω
17.0
6.8
ns
ns
If=-2.6A, dlf/dt=100A/μs
If=-2.6A, dlf/dt=100A/μs
16.8
10.0
22.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM13421CA-S
■标准特性和热特性曲线
10
20
-8V
Vds=-5V
8
15
-6V
10
-5.5V
-5V
25°C
-Id (A)
-Id (A)
-10V
Vgs=-4.5V
-4V
-3.5V
5
0
1
2
3
125°C
4
2
-3.0V
0
6
0
4
5
1
2
5
6
1.6
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
4
370
250
200
150
Vgs=-4.5V
100
Vgs=-10V
50
0
1
2
3
4
5
18
Vgs=-10V
1.4
9
Vgs=-4.5V
1.2
Id=-2A
1
0.8
6
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
22
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
300
1.0E+00
250
Id=-2A
200
1.0E-01
125°C
-Is (A)
Rds(on) (m� )
3
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
150
100
25°C
1.0E-02
125°C
1.0E-03
25°C
1.0E-04
50
1.0E-05
1.0E-06
0
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM13421CA-S
10
9
8
400
7
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
500
Vds=-15V
Id=-2.6A
6
5
4
3
2
Ciss
300
200
Coss
100
1
0
0
1
2
3
4
5
6
Crss
0
7
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
20
Rds(on)
limited
100�s
10ms
10s
0.1
DC
1
10
100
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
22
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
9
0
0.001
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
25
5
1s
0.1
20
Tj(max)=150°C
18
Ta=25°C
15
10�s
1ms
0.1s
1.0
15
370
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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