elm13414ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM13414CA-S
■概要
■特点
ELM13414CA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电
·Vds=20V
压,低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=4.2A (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 50mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 63mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) < 87mΩ (Vgs=1.8V)
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
栅极 - 源极电压
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
20
V
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
±8
4.2
3.2
V
A
1
15
1.4
A
2
W
1
0.9
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
70
100
63
90
125
80
℃/W
℃/W
℃/W
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
1
引脚名称
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
备注
1
3
单 N 沟道 MOSFET
ELM13414CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=16V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
20
1
Ta=55℃
5
100
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.4
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
15
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on)
Vgs=4.5V
Id=4.2A
V
Ta=125℃
Vgs=2.5V, Id=3.7A
Vgs=1.8V, Id=3.2A
Vds=5V, Id=4.2A
0.6
1.0
μA
nA
V
A
41
50
58
70
52
67
11
63
87
0.76
1.00
2
mΩ
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
436
66
pF
pF
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
44
3
pF
Ω
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=4.2A
6.2
1.6
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=10V
0.5
5.5
6.3
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=2.7Ω, Rgen=6Ω
tf
40.0
12.7
ns
ns
12.3
3.5
ns
nC
栅极 - 漏极电荷
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
Is=1A, Vgs=0V
If=4A, dlf/dt=100A/μs
If=4A, dlf/dt=100A/μs
S
V
A
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM13414CA-S
■标准特性和热特性曲线
16
10
8V
Vds=5V
4.5V
8
2V
3V
2.5V
8
6
Id(A)
Id (A)
12
4
4
Vgs=1.5V
125°C
2
25°C
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
100
2
2.5
1.8
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=1.8V
80
Vgs=2.5V
60
40
Vgs=4.5V
20
Vgs=2.5V
1.6
Vgs=1.8V
1.4
Id=4.2A
Vgs=4.5V
1.2
1
0.8
0
4
8
12
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
100
1E+01
90
1E+00
Id=4.2A
80
125°C
1E-01
70
Is (A)
Rds(on) (m� )
1
125°C
60
50
25°C
1E-03
25°C
40
1E-02
1E-04
30
1E-05
20
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
1.0
单 N 沟道 MOSFET
ELM13414CA-S
■电特性
800
5
Vgs (Volts)
Capacitance (pF)
Vds=10V
Id=4.2A
4
3
2
1
600
Ciss
400
Coss
200
0
0
0
2
4
6
0
8
10.0
15
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
100�s
15
Rds(on)
limited
1.0
10�s
1ms
0.1s
10ms
DC
0.1
0.1
1
Vds (Volts)
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
10
5
1s
10s
Z� Jja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Power (W)
100.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
PD
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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