单 N 沟道 MOSFET ELM13414CA-S ■概要 ■特点 ELM13414CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=20V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=4.2A (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 50mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 63mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 87mΩ (Vgs=1.8V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 20 V Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg ±8 4.2 3.2 V A 1 15 1.4 A 2 W 1 0.9 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 70 100 63 90 125 80 ℃/W ℃/W ℃/W ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 SOURCE DRAIN G S 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 备注 1 3 单 N 沟道 MOSFET ELM13414CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 20 1 Ta=55℃ 5 100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.4 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 15 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Vgs=4.5V Id=4.2A V Ta=125℃ Vgs=2.5V, Id=3.7A Vgs=1.8V, Id=3.2A Vds=5V, Id=4.2A 0.6 1.0 μA nA V A 41 50 58 70 52 67 11 63 87 0.76 1.00 2 mΩ 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz 436 66 pF pF 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 44 3 pF Ω 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=4.2A 6.2 1.6 nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=5V, Vds=10V 0.5 5.5 6.3 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=2.7Ω, Rgen=6Ω tf 40.0 12.7 ns ns 12.3 3.5 ns nC 栅极 - 漏极电荷 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr Is=1A, Vgs=0V If=4A, dlf/dt=100A/μs If=4A, dlf/dt=100A/μs S V A 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM13414CA-S ■标准特性和热特性曲线 16 10 8V Vds=5V 4.5V 8 2V 3V 2.5V 8 6 Id(A) Id (A) 12 4 4 Vgs=1.5V 125°C 2 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 100 2 2.5 1.8 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 1.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=1.8V 80 Vgs=2.5V 60 40 Vgs=4.5V 20 Vgs=2.5V 1.6 Vgs=1.8V 1.4 Id=4.2A Vgs=4.5V 1.2 1 0.8 0 4 8 12 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 1E+01 90 1E+00 Id=4.2A 80 125°C 1E-01 70 Is (A) Rds(on) (m� ) 1 125°C 60 50 25°C 1E-03 25°C 40 1E-02 1E-04 30 1E-05 20 0 2 4 6 0.0 8 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 单 N 沟道 MOSFET ELM13414CA-S ■电特性 800 5 Vgs (Volts) Capacitance (pF) Vds=10V Id=4.2A 4 3 2 1 600 Ciss 400 Coss 200 0 0 0 2 4 6 0 8 10.0 15 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 100�s 15 Rds(on) limited 1.0 10�s 1ms 0.1s 10ms DC 0.1 0.1 1 Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 10 5 1s 10s Z� Jja Normalized Transient Thermal Resistance 10 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C Power (W) 100.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 PD 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000