elm23401ca

单 P 沟道 MOSFET
ELM23401CA-S
■概要
http://www.elm-tech.com
■特点
ELM23401CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压，
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-30V
·Id=-4A
·Rds(on) = 65mΩ (Vgs=-10V)
·Rds(on) = 75mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) = 100mΩ (Vgs=-2.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流（定常）
Ta=70℃
漏极电流（脉冲）
-30
±12
-4.0
Id
Tc=25℃
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
A
-3.2
-27
Idm
容许功耗
V
V
1.2
0.8
-55 ~ 150
Pd
Tj, Tstg
A
3
W
2
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
典型值
最大值
单位
备注
Rθja
100
125
℃/W
1
■引脚配置图
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
引脚名称
1
2
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
Rev.1.0
3- 1
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单 P 沟道 MOSFET
ELM23401CA-S
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■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=-30V, Vgs=0V
Vds=-24V, Vgs=0V, Ta=125℃
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-4A
漏极 - 源极导通电阻
Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-3A
Vgs=-2.5V, Id=-2A
-30
-0.4
V
-1
-10
μA
±100
nA
-0.7
55
-0.9
65
V
65
85
75
100
mΩ
正向跨导
Gfs
Vds=-10V, Id=-5A
二极管正向压降
Vsd
Is=-1A, Vgs=0V
寄生二极管最大连续电流
二极管脉冲电流
Is
Ism
Vgs=Vds=0V, Force Current
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
830
60
pF
pF
反馈电容
Crss
50
pF
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
17.0
1.5
nC
nC
4
4
0.9
nC
4
Vgs=-4.5V, Vds=-15V, Id=-4A
Qgd
15
4
S
-1
V
-2
-16.4
A
A
4
导通延迟时间
导通上升时间
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
5.4
19.4
ns
ns
4
4
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω
tf
45.9
12.4
ns
ns
4
4
备注：
1. Rθja的值是在Ta = 25℃和静止空气环境下，使用 625mm2、70μ厚、2 层的铜板，1.6t 的 FR-4 印制电路板设
备上测试出来的。
2. 功耗 Pd 是在为 Tj(Max)=150℃和不满 10 秒的情况下，根据结合部 - 环境热阻而测试出来的。
3. 反复测量时，脉冲宽度是受温度Tj(Max)= 150℃所限制。测量时是在低频和维持最初Ta=25℃占空比的情况下
进行的。
4. 脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒，
占空比≤2%。
Rev.1.0
3- 2
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单 P 沟道 MOSFET
ELM23401CA-S
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PM3211NS
Normalized On Resistance (m)
-ID , Continuous Drain Current (A)
■标准特性和热特性曲线
30V P-Channel MOSFETs
TJ , Junction Temperature (℃)
Fig.2 Normalized RDSON vs. TJ
-VGS , Gate to Source Voltage (V)
Normalized Gate Threshold Voltage (V)
TC , Case Temperature (℃)
Fig.1 Continuous Drain Current vs. TC
TJ , Junction Temperature (℃)
Qg , Gate Charge (nC)
Fig.4 Gate Charge Waveform
-ID , Continuous Drain Current (A)
Normalized Thermal Response (RθJA)
Fig.3 Normalized Vth vs. TJ
Square Wave Pulse Duration (s)
Fig.5 Normalized Transient Impedance
-VDS , Drain to Source Voltage (V)
Fig.6 Maximum Safe Operation Area
Powermate Electronics Corp.
Ver.1.00
3
3- 3
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Rev.1.0