elm14354aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM14354AA-N
■概要
■特点
ELM14354AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=23A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 3.7mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 5.3mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
30
±20
23
Id
Ta=100℃
漏极电流(脉冲)
Idm
14
174
崩溃电流
Ias
L=0.1mH
Vds 尖峰
容许功耗
持续崩溃能量
V
V
A
A
3
37
A
3
Eas
68
mJ
3
100ns
Vspike
36
V
Tc=25℃
Tc=100℃
Pd
结合部温度及保存温度范围
3.1
1.2
- 55 ~ 150
Tj, Tstg
W
2
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
最大值
单位
备注
31
59
16
40
75
24
℃/W
℃/W
℃/W
1
1, 4
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
1
引脚名称
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
5-1
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D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM14354AA-N
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=30V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
30
1
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on)
V
5
100
nA
1.8
2.2
V
3.0
4.1
3.7
5.0
mΩ
Vgs=4.5V, Id=20A
4.1
5.3
Vds=5V, Id=20A
Is=1A, Vgs=0V
105
0.7
Vgs=10V, Id=20A
1.2
μA
Ta=125℃
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Gfs
Vsd
Is
动态特性
输入电容
输出电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
2010
898
pF
pF
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
124
1.8
2.7
pF
Ω
36
49
nC
17
6
8
23
nC
nC
nC
开关特性
总栅极电荷 (10V)
总栅极电荷 (4.5V)
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=10V, Vds=15V, Id=20A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=0.75Ω, Rgen=3Ω
0.9
1.0
4
S
V
A
7.5
4.0
37.0
ns
ns
ns
ns
ns
nC
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
tf
trr
If=20A, dlf/dt=500A/μs
7.5
14.0
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=20A, dlf/dt=500A/μs
20.3
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响。
2. 功耗 Pd 值是基于 T ≤ 10s 的结合部 - 环境温度热阻的 Tj(max)=150℃值所得出的。
3. 重复速度与脉冲宽度受到 Tj(max)=150℃所限制。此测试是依据低週波以及功率循环以维持最初的 Tj=25℃。
4. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
5. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 300ms,最大占空比为 0.5% 的条件下得出的。
6. 这些特性是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 1 平方英尺 FR-4 履铜板上,在室温无风条件下结合部 - 环境
温度热阻为 Tj(max)=150℃ 下测试的结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
5-2
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AO4354
单 N 沟道 MOSFET
ELM14354AA-N
■标准特性和热特性曲线
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
100
50
VDS=5V
4.5V
80
40
3.5V
10V
30
ID(A)
ID (A)
60
3V
40
20
125�C
25�C
10
20
VGS=2.5V
0
0
0
1
2
3
4
0
5
6
Normalized On-Resistance
RDS(ON) (mΩ
Ω)
2
3
4
5
6
1.8
5
VGS=4.5V
4
3
2
VGS=10V
1
0
VGS=10V
ID=20A
1.6
1.4
1.2
VGS=4.5V
ID=20A
1
0.8
0
5
10
15
20
25
30
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note 5)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note )5)
8
1.0E+02
ID=20A
1.0E+01
6
1.0E+00
125�C
4
IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
1
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5)
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5)
125�C
1.0E-01
1.0E-02
2
25�C
1.0E-03
25�C
1.0E-04
0
2
1.0E-05
4
6
8
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note 5)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5)
5-3
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AO4354
单 N 沟道 MOSFET
ELM14354AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
3000
10
VDS=15V
ID=20A
2500
Capacitance (pF)
8
VGS (Volts)
6
4
2000
1500
1000
2
Coss
500
Crss
0
0
0
10
20
30
40
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
50
1000.0
0
5
10
15
20
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
25
10000
10µs
RDS(ON)
10µs
100µs
10.0
1.0
1ms
DC
0.1
10ms
0.0
0.1
100
10
TJ(Max)=150�C
TC=25�C
0.01
TA=25�C
TJ(Max)=150�C
TC=25�C
1000
Power (W)
100.0
ID (Amps)
Ciss
1
VDS (Volts)
10
1
100
0.00001
0.001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 14: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 6)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 6)
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
10
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
1
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
40
RθJA=75�C/W
0.1
PD
0.01
Single Pulse
Ton
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 15: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note 6)
5-4
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100
1000
AO4354
单 N 沟道 MOSFET
ELM14354AA-N
■测试电路和波形
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
10V
+
VDC
+ Vds
-
VDC
DUT
Qgd
Qgs
-
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
DUT
Vgs
Rg
90%
+ Vdd
VDC
-
10%
Vgs
Vgs
t d(on)
tr
t d(off)
t on
tf
toff
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
L
2
E AR = 1/2 LIAR
Vds
BVDSS
Vds
Id
+ Vdd
Vgs
Vgs
VDC
Rg
-
I AR
Id
DUT
Vgs
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vds +
DUT
Vds -
Isd
Vgs
Ig
Vgs
L
Isd
+ Vdd
VDC
-
IF
t rr
dI/dt
I RM
Vds
5-5
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Vdd
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