单 P 沟道 MOSFET ELM16409EA-S ■概要 ■特点 ELM16409EA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内 ·Vds=-20V ·Id=-5A (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-4.5V) 藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 56mΩ (Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-1.8V) ·ESD 规格∶ 3000V HBM ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） -5.0 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 -20 V ±8 V -4.2 -30 A 1 A 2 1 Pd 2.00 1.28 W Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 最大结合部 - 环境热阻 Rθja 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθjl ■引脚配置图 1 5 2 最大值 62.5 单位 ℃/W 74.0 37.0 110.0 50.0 ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SOT-26(俯视图) 6 典型值 47.5 4 3 引脚编号 1 引脚名称 DRAIN 2 3 DRAIN GATE 4 5 6 SOURCE DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 P 沟道 MOSFET ELM16409EA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss Vds=-16V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Vgs=-4.5V, Id=-5A Rds(on) -1 Ta=55℃ ±10 -0.30 -0.55 -1.00 -25 Ta=125℃ Vgs=-2.5V, Id=-4A Vgs=-1.8V, Id=-2A Gfs Vds=-5V, Id=-5A 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is Is=-1A, Vgs=0V 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Crss Rg 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 8 μA μA V A 37 48 45 60 46 57 56 75 16 mΩ S -0.78 -1.00 -2.2 V A 1450 205 160 pF pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 6.5 Ω Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-5A 17.2 1.3 4.5 nC nC nC 9 14 91 ns ns ns 31 ns 33 14 ns nC td(on) tr Vgs=-4.5V, Vds=-10V td(off) RL=2Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr -5 ±1 正向跨导 栅极电阻 开关特性 V Vds=0V, Vgs=±4.5V Vds=0V, Vgs=±8V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA 漏极 - 源极导通电阻 -20 If=-5A, dlf/dt=100A/μs If=-5A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM16409EA-S ■标准特性和热特性曲线 25 10 -4.5V -8V Vds=-5V -3.0V 20 8 -2.5V -Id (A) -Id (A) -2.0V 15 10 6 125°C 4 Vgs=-1.5V 5 2 0 25°C 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 80 1.5 2 1.6 Normalized On-Resistance Vgs=-1.8V Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 Vgs=-2.5V 40 Vgs=-4.5V Id=-4A, Vgs=-2.5V Id=-3A, Vgs=-1.8V 1.4 1.2 Id=-5A, Vgs=-4.5V 1.0 20 0 2 4 6 8 0.8 10 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 1E+01 90 1E+00 Id=-5A -Is (A) Rds(on) (m� ) 60 125°C 40 75 100 125 150 175 125°C 1E-01 70 50 50 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 80 25 25°C 1E-02 1E-03 1E-04 25°C 1E-05 30 1E-06 20 0 2 4 6 8 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 P 沟道 MOSFET ELM16409EA-S 2400 5 Vds=-10V Id=-5A 2000 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 4 3 2 1 Ciss 1600 1200 800 Coss 400 0 0 5 10 15 Crss 0 20 0 5 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10.0 40 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 100�s 1ms 10ms 1s 10s 0.1s DC 1 10 0 0.001 100 Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 10 0.1 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Rds(on) limited 1.0 15 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 10 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 T 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000