elm16409ea

单 P 沟道 MOSFET
ELM16409EA-S
■概要
■特点
ELM16409EA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内
·Vds=-20V
·Id=-5A (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 45mΩ (Vgs=-4.5V)
藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 56mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-1.8V)
·ESD 规格∶ 3000V HBM
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
-5.0
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
结合部温度及保存温度范围
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
-20
V
±8
V
-4.2
-30
A
1
A
2
1
Pd
2.00
1.28
W
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤10s
最大结合部 - 环境热阻
Rθja
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθjl
■引脚配置图
1
5
2
最大值
62.5
单位
℃/W
74.0
37.0
110.0
50.0
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
典型值
47.5
4
3
引脚编号
1
引脚名称
DRAIN
2
3
DRAIN
GATE
4
5
6
SOURCE
DRAIN
DRAIN
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM16409EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
Vds=-16V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Rds(on)
-1
Ta=55℃
±10
-0.30 -0.55 -1.00
-25
Ta=125℃
Vgs=-2.5V, Id=-4A
Vgs=-1.8V, Id=-2A
Gfs
Vds=-5V, Id=-5A
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
Is=-1A, Vgs=0V
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Crss
Rg
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
Qgd
导通延迟时间
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
8
μA
μA
V
A
37
48
45
60
46
57
56
75
16
mΩ
S
-0.78 -1.00
-2.2
V
A
1450
205
160
pF
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
6.5
Ω
Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-5A
17.2
1.3
4.5
nC
nC
nC
9
14
91
ns
ns
ns
31
ns
33
14
ns
nC
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) RL=2Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
-5
±1
正向跨导
栅极电阻
开关特性
V
Vds=0V, Vgs=±4.5V
Vds=0V, Vgs=±8V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
漏极 - 源极导通电阻
-20
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM16409EA-S
■标准特性和热特性曲线
25
10
-4.5V
-8V
Vds=-5V
-3.0V
20
8
-2.5V
-Id (A)
-Id (A)
-2.0V
15
10
6
125°C
4
Vgs=-1.5V
5
2
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
80
1.5
2
1.6
Normalized On-Resistance
Vgs=-1.8V
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
Vgs=-2.5V
40
Vgs=-4.5V
Id=-4A, Vgs=-2.5V
Id=-3A, Vgs=-1.8V
1.4
1.2
Id=-5A, Vgs=-4.5V
1.0
20
0
2
4
6
8
0.8
10
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
1E+01
90
1E+00
Id=-5A
-Is (A)
Rds(on) (m� )
60
125°C
40
75
100
125
150
175
125°C
1E-01
70
50
50
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
100
80
25
25°C
1E-02
1E-03
1E-04
25°C
1E-05
30
1E-06
20
0
2
4
6
8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 P 沟道 MOSFET
ELM16409EA-S
2400
5
Vds=-10V
Id=-5A
2000
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
4
3
2
1
Ciss
1600
1200
800
Coss
400
0
0
5
10
15
Crss
0
20
0
5
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10.0
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
100�s
1ms
10ms
1s
10s
0.1s
DC
1
10
0
0.001
100
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
-Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
10
0.1
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10�s
Rds(on)
limited
1.0
15
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000
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