elm17800ga

双 N 沟道 MOSFET
ELM17800GA-S
■概要
■特点
ELM17800GA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、
·Vds=20V
低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。
·Id=0.9A (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 300mΩ (Vgs=4.5V)
另外,此芯片还内藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 350mΩ (Vgs=2.5V)
·Rds(on) < 450mΩ (Vgs=1.8V)
·ESD 规格∶ 1500V HBM
■绝对最大额定值
项目
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
记号
漏极 - 源极电压
Vds
20
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±8
0.9
0.7
V
A
1
5
0.30
0.19
A
2
W
1
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流(定常)
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≦10s
稳定状态
稳定状态
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
1
5
2
最大值
单位
360
400
300
415
460
350
℃/W
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SC-70-6(俯视图)
6
典型值
4
3
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE1
GATE1
DRAIN2
4
5
6
SOURCE2
GATE2
DRAIN1
D2
D1
G2
G1
4-1
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S1
S2
双 N 沟道 MOSFET
ELM17800GA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=16V,Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
栅极阈值电压
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
导通时漏极电流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
正向跨导
Gfs
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
动态特性
Vsd
Is
输入电容
输出电容
Ciss
Coss
反馈电容
栅极电阻
Crss
Rg
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Qg
Qgs
栅极 - 漏极电荷
V
1
Ta=55℃
5
25
0.50
0.75
0.90
5
μA
μA
V
A
181
300
253
350
Vgs=2.5V, Id=0.75A
Vgs=1.8V, Id=0.7A
Vds=5V, Id=0.8A
237
317
2.6
350
450
Is=0.5A, Vgs=0V
0.69
1.00
0.4
V
A
120
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
101
17
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
14
3
Vgs=4.5V,Id=0.9A
漏极 - 源极导通电阻
20
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=0.8A
1.57
0.13
mΩ
S
4
1.90
pF
Ω
nC
nC
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=10V
0.36
3.2
4.0
nC
ns
ns
关闭延迟时间
关闭下降时间
td(off) RL=12.5Ω, Rgen=6Ω
tf
15.5
2.4
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
trr
Qrr
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
6.7
1.6
8.1
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
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双 N 沟道 MOSFET
ELM17800GA-S
■标准特性和热特性曲线
10
4
8V
10V
Vds=5V
5V
8
3
3.5V
6
3V
4
25°C
125°C
Id (A)
Id (A)
4V
2
2.5V
Vgs=2V
2
1
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
1.8
440
Normalized On-Resistance
Vgs=1.8V
400
360
320
Vgs=2.5V
280
240
Vgs=4.5V
200
2
2.5
3
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
480
Rds(on) (m� )
1
Vgs=1.8V
1.6
Vgs=2.5V
Id=0.75A
Id=0.7A
1.4
Vgs=4.5V
Id=0.9A
1.2
1
160
0
1
2
3
0.8
4
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1E+01
500
460
1E+00
420
125°C
Id=0.9A
380
1E-01
340
Is (A)
Rds(o) (m� )
25
125°C
300
260
1E-02
25°C
1E-03
220
25°C
1E-04
180
140
1
2
3
4
5
6
7
1E-05
8
0.0
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.4
0.8
1.2
1.6
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
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2.0
双 N 沟道 MOSFET
ELM17800GA-S
200
5
Vds=10V
Id=0.9A
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
4
3
2
1
150
Ciss
100
Coss
50
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
2.0
5
10.0
Tj(max)=150°C, Ta=25°C
Rds(on)
limited
16
10ms
100�s
1s
0.1
10s
1
10
0
0.001
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=415°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
10
8
4
DC
0.0
0.1
20
12
1ms
0.1s
15
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10�s
Power (W)
1.0
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
P
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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100
1000
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