双 N 沟道 MOSFET ELM17800GA-S ■概要 ■特点 ELM17800GA-S 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=0.9A (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 300mΩ (Vgs=4.5V) 另外，此芯片还内藏 ESD 保护电路。 ·Rds(on) < 350mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 450mΩ (Vgs=1.8V) ·ESD 规格∶ 1500V HBM ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds 20 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±8 0.9 0.7 V A 1 5 0.30 0.19 A 2 W 1 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 1 5 2 最大值 单位 360 400 300 415 460 350 ℃/W ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SC-70-6(俯视图) 6 典型值 4 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 SOURCE1 GATE1 DRAIN2 4 5 6 SOURCE2 GATE2 DRAIN1 D2 D1 G2 G1 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 N 沟道 MOSFET ELM17800GA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=16V，Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 V 1 Ta=55℃ 5 25 0.50 0.75 0.90 5 μA μA V A 181 300 253 350 Vgs=2.5V, Id=0.75A Vgs=1.8V, Id=0.7A Vds=5V, Id=0.8A 237 317 2.6 350 450 Is=0.5A, Vgs=0V 0.69 1.00 0.4 V A 120 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz 101 17 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 14 3 Vgs=4.5V，Id=0.9A 漏极 - 源极导通电阻 20 Ta=125℃ Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=0.8A 1.57 0.13 mΩ S 4 1.90 pF Ω nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=5V, Vds=10V 0.36 3.2 4.0 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=12.5Ω, Rgen=6Ω tf 15.5 2.4 ns ns 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=0.8A, dlf/dt=100A/μs If=0.8A, dlf/dt=100A/μs 6.7 1.6 8.1 ns nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 N 沟道 MOSFET ELM17800GA-S ■标准特性和热特性曲线 10 4 8V 10V Vds=5V 5V 8 3 3.5V 6 3V 4 25°C 125°C Id (A) Id (A) 4V 2 2.5V Vgs=2V 2 1 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 1.8 440 Normalized On-Resistance Vgs=1.8V 400 360 320 Vgs=2.5V 280 240 Vgs=4.5V 200 2 2.5 3 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 480 Rds(on) (m� ) 1 Vgs=1.8V 1.6 Vgs=2.5V Id=0.75A Id=0.7A 1.4 Vgs=4.5V Id=0.9A 1.2 1 160 0 1 2 3 0.8 4 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 500 460 1E+00 420 125°C Id=0.9A 380 1E-01 340 Is (A) Rds(o) (m� ) 25 125°C 300 260 1E-02 25°C 1E-03 220 25°C 1E-04 180 140 1 2 3 4 5 6 7 1E-05 8 0.0 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.4 0.8 1.2 1.6 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 2.0 双 N 沟道 MOSFET ELM17800GA-S 200 5 Vds=10V Id=0.9A Capacitance (pF) Vgs (Volts) 4 3 2 1 150 Ciss 100 Coss 50 0 0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0 2.0 5 10.0 Tj(max)=150°C, Ta=25°C Rds(on) limited 16 10ms 100�s 1s 0.1 10s 1 10 0 0.001 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=415°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) 10 8 4 DC 0.0 0.1 20 12 1ms 0.1s 15 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Power (W) 1.0 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 P Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000