elm16400ea

单 N 沟道 MOSFET
ELM16400EA-S
■概要
■特点
ELM16400EA-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=6.9A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 33mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) < 52mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
30
±12
6.9
Id
Ta=70℃
漏极电流(脉冲)
5.8
35
Idm
Tc=25℃
容许功耗
Pd
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
V
V
2.00
1.44
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
1
5
2
最大值
62.5
单位
℃/W
74.0
37.0
110.0
50.0
℃/W
℃/W
备注
1
3
■电路图
SOT-26(俯视图)
6
典型值
47.5
4
3
引脚编号
1
引脚名称
DRAIN
2
3
4
DRAIN
GATE
SOURCE
5
6
DRAIN
DRAIN
4- 1
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D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM16400EA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
30
1
Ta=55℃
5
μA
100
nA
1.1
1.4
V
A
Vgs=4.5V, Id=6A
22.3
31.5
26.8
28.0
39.0
33.0
42.8
15
52.0
0.71
1.00
V
3
A
1030
pF
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
Vgs=10V
Id=6.9A
正向跨导
Gfs
Vgs=2.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=5A
二极管正向压降
Vsd
Is=1A, Vgs=0V
0.7
35
Ta=125℃
10
S
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
Ciss
823
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
99
77
1.2
3.6
pF
pF
Ω
9.60
12.00
nC
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Is
mΩ
Qg
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=5.8A
Qgd
td(on)
1.65
3.00
5.5
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=2.7Ω, Rgen=6Ω
tf
5.1
37.0
4.2
ns
ns
ns
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
16.0
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
8.9
20.0
ns
nC
备注:
1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到
电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs,最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4- 2
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单 N 沟道 MOSFET
ELM16400EA-S
■标准特性和热特性曲线
25
20
10V
3V
Vds=5V
16
4.5V
2.5V
15
Id(A)
Id (A)
20
10
8
125°C
Vgs=2V
5
12
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region characteristics
1.5
2
2.5
3
Normalized On-Resistance
1.8
50
Rds(on) (m� )
1
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
Vgs=2.5V
40
30
Vgs=4.5V
20
Vgs=10V
10
1.6
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=10V
1.2
Vgs=2.5V
1
0.8
0
5
10
15
20
0
25
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
70
1.0E+01
60
1.0E+00
1.0E-01
50
Is (A)
125°C
40
30
125
150
175
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
25°C
20
100
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
Id=5A
Rds(on) (m� )
25°C
4
1.0E-05
1.0E-06
10
0
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4- 3
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1.2
单 N 沟道 MOSFET
ELM16400EA-S
5
1400
Vds=15V
Id=6.9A
4
1200
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
1000
3
2
1
600
400
Coss
Crss
200
0
2
4
6
8
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
0
1ms
10ms
10s
DC
1
10
100
20
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
0.1
10
25
Vds 15
(Volts) 20
Figure 8: Capacitance Characteristics
10
1s
0.1
10
30
100�s
0.1s
5
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
10.0 limited
1.0
0
12
Power (W)
0
Id (Amps)
Ciss
800
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4- 4
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100
1000