elm36405ea

单 P 沟道 MOSFET
ELM36405EA-S
■概要
■特点
ELM36405EA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电压,
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Vds=-20V
·Id=-5A
·Rds(on) < 44mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-2.5V)
·Rds(on) < 100mΩ (Vgs=-1.8V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
Vds
Vgs
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
漏极电流(定常)
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
Pd
结合部温度及保存温度范围
-20
±12
V
V
-5
Id
Ta=70℃
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
Tj, Tstg
A
-4
-20
A
2.0
1.4
-55 ~ 150
3
W
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
记号
t≤5s
稳定状态
Rθja
最大结合部 - 引脚架热阻
稳定状态
Rθjl
典型值
最大值
62.5
110.0
单位
℃/W
℃/W
50.0
℃/W
■引脚配置图
■电路图
SOT-26(俯视图)
引脚编号
引脚名称
5
1
2
DRAIN
DRAIN
3
4
5
GATE
SOURCE
DRAIN
6
DRAIN
6
1
2
备注
4
3
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 P 沟道 MOSFET
ELM36405EA-S
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Vgs=0V, Id=-250μA
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
-1
Vds=-16V, Vgs=0V, Ta=125℃
-10
Vds=0V, Vgs=±12V
nA
-0.45 -0.80 -1.20
-20
V
A
1
37
55
75
mΩ
1
-1
S
V
1
1
Is
-3
A
Ism
-6
A
漏极 - 源极导通电阻
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-4A
Vgs=-1.8V, Id=-2A
二极管脉冲电流
动态特性
输入电容
μA
±100
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
寄生二极管最大连续电流
V
Vds=-16V, Vgs=0V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
正向跨导
二极管正向压降
-20
Gfs
Vsd
Vds=-5V, Id=-5A
Is=-1A, Vgs=0V
44
70
100
14
3
Ciss
1100
pF
输出电容
反馈电容
开关特性
Coss Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Crss
170
140
pF
pF
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
12.5
2.1
nC
nC
2
2
导通延迟时间
导通上升时间
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
3.5
7
10
nC
ns
ns
2
2
2
关闭延迟时间
关闭下降时间
寄生二极管反向恢复电荷
td(off) Id=-1A, Rgen=3Ω
tf
Qrr
30
22
20
ns
ns
nC
2
2
Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-5A
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
4- 2
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P4402FAG
P 沟道
MOSFET
P-Channel单Logic
Level
Enhancement
NIKO-SEM
TSOP-6
Lead-Free
Mode Field
Effect Transistor
ELM36405EA-S
■标准特性和热特性曲线
On-Region Variation With
Drain Current and Gate Voltage.
On-Region Characteristics.
3
VGS=-4.5V
-3.0V
-3.5V
12
RDS(ON), Normalized
Drain-Source On-Resistance
-ID, Drain Current(A)
15
-2.5V
9
6
-2.0V
0
0.5
1
1.5
2
-2.5V
2
1
0.5
2.5
-VGS, Drain-Source Voltage(V)
On-Region Variation With
Temperature.
VGS=-4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
0
3
100
125
15
ID=-2.5A
0.12
0.1
TA=125°
0.08
0.06
TA=25°
0.04
0.02
1.5
150
2
2.5
3
4
3.5
4.5
5
-VSD, Gate To Source Voltage(V)
Body Diode Forward Voltage Variation
With Source Current and Temperature.
Transfer Characteristics.
10
-IS, Reverse Drain Current(A)
VDS=-5.0V
8
TA=-55°C
-ID(A)
12
9
-ID, Drain Current(A)
0.14
TJ, Junction Temperature(C°)
10
6
-4.0V
On-Region Variation WithGate-to Source Voltage.
ID=-5A
1.4
-4.5V
0.18
RDS(ON),On-Resistance(OHM)
RDS(ON), Normalized
Drain-Source On-Resistance
1.5
-3.0V
-3.5V
1.5
3
0
VGS=-2.0V
2.5
25°C
6
125°C
4
2
0
0.5
1
1.5
TA=125°
25° C
0.1
-55° C
0.01
0.001
0.0001
0
VGS=0V
1
2
-VGS(Volts)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
3
4- 3
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1.2
Aug-03-2006
单 P 沟道 MOSFET
P4402FAG
Level Enhancement
NIKO-SEM P-Channel Logic
ELM36405EA-S
TSOP-6
Lead-Free
Mode Field Effect Transistor
Gate Charge Characteristics.
5
f=1MHz
ID=-5A
VDS=-5.0V
Capacitance(pF)
VGS, Gate-Source Voltage(V)
Capacitance Characteristics.
2000
4
-10V
-15V
3
2
1600
1200
800
Coss
1
400
0
0
0
3
6
9
12
15
18
Crss
0
5
10
Maxmum Safe Operating Area.
P(pk), Peak Transient Power(W)
100� s
1ms
10
10ms
100ms
1
0.1
10s
DC
1s
VGS =-4.5V
SINGLE PULSE
R� JA=156°C/W
TA=25°C
0.01
0.1
10
1
20
Sing Pulse Maximum Power Dissipation.
5
100
RDS(ON) LIMIT
15
-VGS(Volts)
Qg Gate Charge (nC)
SINGLE PULSE
R� JA=156°C/W
TA=25°C
4
3
2
1
0
100
0.1
1
-VGS,Drain-Source Voltage(V)
10
100
1000
t1,Time(SEC)
Transisent Thermal Response Curve.
1
D=0.5
0.2
0.1
R¿ JA(t) = r(t) + R¿
R¿ JA=156°C/W
0.1
0.05
0.02
0.01
��
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
-ID,Drain Current(A)
VGS=0V
Ciss
0.01
t1
Single Pulse
t2
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1,Time(SEC)
1
4
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
10
100
300
Aug-03-2006
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