elm34414aa

单 N 沟道 MOSFET
ELM34414AA-N
■概要
■特点
ELM34414AA-N 是 N 沟道低输入电容,低工作电压,
·Vds=30V
低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=15A
·Rds(on) < 8mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 12mΩ (Vgs=4.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
Vds
Vgs
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Ta=25℃
Ta=90℃
漏极电流(定常)
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
30
V
±20
V
15
12
Id
漏极电流(脉冲)
Idm
Tc=25℃
容许功耗
50
2.5
Pd
Tc=90℃
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
A
A
3
W
2.0
- 55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
稳定状态
记号
Rθja
■引脚配置图
典型值
最大值
50
单位
℃/W
备注
■电路图
SOP-8(俯视图)
1
8
2
7
3
6
4
5
引脚编号
引脚名称
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
5-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
D
G
S
单 N 沟道 MOSFET
ELM34414AA-N
■电特性
项目
记号
条件
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位 备注
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
栅极漏电电流
Igss
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通电阻
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
二极管脉冲电流
30
V
Vds=24V,Vgs=0V
1
Vds=20V,Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=10V, Id=15A
Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=12A
Gfs Vds=15V, Id=15A
Vsd If=3A, Vgs=0V
1.0
μA
±100
nA
1.5
6.8
3.0
8.0
V
8.8
60
12.0
Is
Ism
mΩ
1
1.1
S
V
1
1
3
6
A
A
3
动态特性
输入电容
输出电容
反馈电容
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
1900
530
120
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
18.0
4.2
Vgs=10V, Vds=15V, Id=15A
pF
pF
pF
28.0
nC
nC
2
2
导通延迟时间
Qgd
td(on)
5.4
10
nC
ns
2
2
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V , Id=1A
td(off) RL=15Ω, Rgen=6Ω
tf
24
48
12
ns
ns
ns
2
2
2
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=3A, dlf/dt=100A/μs
备注:
1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒,
占空比≤2%。
2. 独立于工作温度。
3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。
4. 占空比≤1%。
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
50
80
ns
������ ������������
单 N 沟道 MOSFET
������������
ELM34414AA-N
�������
■标准特性和热特性曲线
Output Characteristics
Transfer Characteristics
50
40
45
35
ID - Drain Current(A)
ID - Drain Current(A)
35
VGS=10thru 4V
40
30
25
20
15
10
3V
5
0
0
1
2
3
4
30
25
20
15
TC=125° C
10
25° C
5
0
0.0
5
VDS- Drain-to-Source Voltage(V)
0.5
1.0
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
VGS- Gate-to-Source Voltage(V)
On-Resistance vs. Drain Current
0.015
2500
0.012
2000
C- Capacitance(pF)
rDS(on) - On-Resistance(�)
1.5
-55° C
VGS=4.5V
0.009
VGS=10V
0.006
0.003
Capacitance
f = 1 MHz
VGS=0V
Ciss
1500
1000
Coss
500
Crss
0.000
0
10
20
30
ID - Drain Current(A)
40
0
50
Gate Charge
rDS(on) - On-Resistance(�)
(Normalized)
VGS- Gate-to-Source Voltage(V)
6
4
2
0
4
8
12
12
18
24
30
On-Resistance vs. Junction Temperature
2.00
VDS=10V
ID=15A
0
6
VDS- Drain-to-Source Voltage(V)
10
8
0
16
20
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
-50
24
Qg - Total Gate Charge(nC)
VGS=10V
ID=15A
-25
0
25
50
75
100
TJ- Junction Temperature(° C)
�
�
5-3
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125
150
������ ������������
单N
沟道 MOSFET
������������
ELM34414AA-N
On-Resistance vs.Gate-to-Source Voltage
Source-Drain Diode Forward Voltage
0.040
rDS(ON) - On-Resistance(�)
IS - Source Current(A)
60
TJ=150° C
10
TJ=25° C
0.032
0.024
0.016
0.000
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD- Source-to-Drain Voltage(V)
ID=15A
0.008
1.2
0
4
Threshold Voltage
8
10
Single Pulse Power
50
ID = 250�A
0.2
40
Power(W)
0.0
-0.2
-0.4
30
TA=25° C
20
10
-0.6
-0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
TJ- Temperature(° C)
0
10-2
125 150
10-1
Safe Operating Area, Junction-to Ambient
100�s,10�s
Limited by rDS(on)
10
1ms
1
10ms
100ms
0.1
1s
TA=25°C
Single Pulse
10s
dc,100s
0.01
0.1
1
1
Time(sec)
100
ID - Drain Current(A)
6
VGS - Gate-to-Source Voltage(V)
0.4
VGS(th) Variance(V)
2
10
100
VDS- Drain-to-Source Voltage(V)
�
5-4
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10
������ ������������
单 N 沟道 MOSFET
������������
ELM34414AA-N
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Normalized Effective Transient
Thermal Impedance
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
PDM
0.05
t1
0.02
10
-4
10
t1
1. Duty Cycle, D�= t2
2. R� J�A(t) = 50�° CW
3. TJM - TA =�PDM�*�R� �JA(t)
4. Surface Mounted
Single Pulse
0.01
t2
-3
10
-2
10
-1
1
Square Wave Pulse Duration (sec)
�5 -�5
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10
100
600
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