ECH8631 注文コード No. N 8 2 7 4 ECH8631 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・複合タイプであり高密度実装可能。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース電圧 ゲート・ソース電圧 ドレイン電流 （DC） 記号 VDSS VGSS ID ドレイン電流 （パルス） 許容損失 IDP PD 全損失 チャネル温度 PT Tch 保存周囲温度 Tstg 条件 定格値 − 12 unit V ± 10 −5 V A PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1% セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit − 40 1.3 A W セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1.5 150 W ℃ − 55 ∼＋ 150 ℃ 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ 項目 ドレイン・ソース降伏電圧 記号 条件 V(BR)DSS IDSS1 IDSS2 ID= − 1mA, VGS=0 ゲート・ソースもれ電流 ゲート・ソースしゃ断電圧 IGSS VGS(off) 順伝達アドミタンス yfs RDS(on)1 VGS= ± 8V, VDS=0 VDS= − 6V, ID= − 1mA VDS= − 6V, ID= − 2.5A ID= − 2A, VGS= − 5V ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(on)2 RDS(on)3 ID= − 1A, VGS= − 4.5V ID= − 0.5A, VGS= − 2.5V 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 Crss td(on) tr td(off) VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz VDS= − 6V, f=1MHz 指定回路において 下降時間 tf ドレイン・ソースしゃ断電流 単体品名表示：FZ 定格値 min − 12 typ max V VDS= − 4V, VGS=0 VDS= − 12V, VGS=0 −1 − 10 µA µA ± 10 − 1.4 µA V 9.3 24 30 S mΩ 26 42 34 56 mΩ mΩ − 0.4 5.5 unit 1720 762 pF pF 720 20 pF ns 指定回路において 指定回路において 129 181 ns ns 指定回路において 239 ns 次ページへ続く。 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、 多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥 について、弊社は責任を負いません。 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 32505PE TS IM ◎川浦 TB-00001007 No.8274-1/4 ECH8631 前ページより続く。 項目 記号 定格値 条件 min 総ゲート電荷量 Qg ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 Qgs Qgd VDS= − 6V, VGS= − 5V, ID= − 5A VDS= − 6V, VGS= − 5V, ID= − 5A VDS= − 6V, VGS= − 5V, ID= − 5A ダイオード順電圧 VSD IS= − 5A, VGS=0 外形図 typ 19.6 max nC 3.64 5.82 − 0.83 unit nC nC − 1.5 V 電気的接続図 unit : mm 2206B 0.25 8 2.3 5 1 5 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 0.15 0.25 4 6 2.8 0.3 8 7 0.65 2.9 0.07 0.9 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain2 6 : Drain2 7 : Drain1 8 : Drain1 1 2 3 4 Top view SANYO : ECH8 スイッチングタイム測定回路図 VDD= --6V VIN 0V --5V ID= --3A RL=2Ω VOUT VIN D PW=10µs D.C.≦1% G ECH8631 P.G 50Ω S No.8274-2/4 ECH8631 ID -- VDS VDS= --6V --9 .0V = --2 S VG --8 --1 --6 --5 --4 --3 25 ° C --2 --25°C --2 --7 Ta= 75° C --3 ID -- VGS --10 ドレイン電流, ID -- A --8.0V --5.0V --4.5 V --4 ドレイン電流, ID -- A --3.0 V --2 .5V --4.0 V --5 --1 0 0 --0.1 --0.2 --0.3 --0.4 Ta=25°C 70 60 ID= --2A 50 --1A 40 30 20 10 0 --2 --4 --6 ゲート・ソース電圧, VGS -- V 0 --8 --1.5 --2.0 IT09292 70 60 5V , VG --0.5A I D= 50 40 --2. S= = --4.5V .0A, V GS = --5.0V A, V GS I D= --2.0 I D= --1 30 20 10 0 --60 --40 --20 0 20 40 60 80 100 120 周囲温度, Ta -- °C yfs -- ID 140 160 IT09294 IF -- VSD --10 7 5 VDS= --10V --3.0 --2.5 RDS(on) -- Ta 80 IT09293 VGS=0 3 2 25 2 --0.1 7 5 C 3 2 --25° 3 °C 75 --1.0 7 5 25° C = Ta C 5° -2 5°C 5 順電流, IF -- A 7 3 2 --0.01 7 5 3 2 1.0 --0.1 5 2 3 5 7 2 --1.0 ドレイン電流, ID -- A 3 5 7 --10 --0.001 --0.3 SW Time -- ID td(off) tr 5 td(on) 2 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0 --1.1 IT09296 f=1MHz 3 tf 100 3 --0.6 Ciss, Coss, Crss -- VDS 5 2 7 --0.5 ダイオード順電圧, VSD -- V VDD= --6V VGS= --5V 3 --0.4 IT09295 Ciss, Coss, Crss -- pF 7 スイッチングタイム, SW Time -- ns --1.0 ゲート・ソース電圧, VGS -- V Ta= 7 10 順伝達アドミタンス, yfs -- S RDS(on) -- VGS --0.5A --0.5 IT09291 °C ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 80 0 --0.5 ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ 0 2 Ciss 1000 Coss 7 Crss 5 3 10 7 --0.1 2 2 3 2 --1.0 ドレイン電流, ID -- A 5 7 3 5 7 IT09297 0 --1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V IT09298 No.8274-3/4 ECH8631 VGS -- Qg --100 7 5 3 2 VDS= --6V --4.5 ID= --5A --4.0 ドレイン電流, ID -- A ゲート・ソース電圧, VGS -- V --5.0 --3.5 --3.0 --2.5 --2.0 --1.5 --1.0 --0.5 0 0 4 2 6 8 10 12 14 16 総ゲート電荷量, Qg -- nC 20 IT09299 PD -- Ta 1.8 許容損失, PD -- W 18 --10 7 5 3 2 ASO IDP= --40A 10 ID= --5A ms 10 DC 0m s op er --1.0 7 5 3 2 --0.1 7 5 3 2 ≦10µs 1m s ati on Operation in this area is limited by RDS(on). Ta=25°C 1パルス セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 --0.01 --0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 ドレイン・ソース電圧, VDS -- V 2 IT09300 セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1.6 1.5 1.4 1.3 1.2 1.0 全 損 1u 0.8 失 ni t 0.6 0.4 0.2 0 0 20 40 60 80 100 周囲温度, Ta -- °C 120 140 160 IT09301 取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.8274-4/4