SANYO SCH1417

SCH1417
注文コード No. N 8 1 6 4
SCH1417
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・1.8V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
（パルス）
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
条件
定格値
unit
V
15
± 10
1.8
V
A
7.2
0.65
A
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=15V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1A
ID=1A, VGS=4V
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
条件
min
定格値
typ
max
15
unit
1
V
µA
± 10
1.3
µA
V
2.6
120
160
S
mΩ
ID=0.5A, VGS=2.5V
ID=0.1A, VGS=1.8V
165
230
240
350
mΩ
mΩ
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
105
30
pF
pF
0.4
1.5
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
24
7.8
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
指定回路において
27
18
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
22
ns
単体品名表示：KS
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
D1504PE TS IM ◎川浦 TB-00000372 No.8164-1/4
SCH1417
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項目
記号
定格値
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=10V, VGS=4V, ID=1.8A
VDS=10V, VGS=4V, ID=1.8A
VDS=10V, VGS=4V, ID=1.8A
ダイオード順電圧
VSD
IS=1.8A, VGS=0
typ
1.86
nC
0.33
0.55
nC
nC
0.88
外形図
unit : mm
unit
max
1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
2221A
VDD=10V
VIN
4V
0V
1.6
0.2
ID=1A
RL=10Ω
VOUT
VIN
1.5
D
PW=10µs
D.C.≦1%
2 3
0.5
1
G
0.56
0.05
1.6
0.05
0.2
6 5 4
0.25
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
P.G
50Ω
SCH1417
S
SANYO : SCH6
0.8
0.4
1.4
1.2
1.0
0.8
=75
°C
--25
°C
2.0
1.5V
0.6
Ta
V
2.5
ドレイン電流, ID -- A
1.6
25
0.2
0
0
0.1
0.3
0.2
0.4
0.5
0.6
0.7
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
Ta=25°C
350
300
250
0.5A
ID=0.1A
200
1.0A
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.2
9
10
IT08579
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT08577
RDS(on) -- VGS
400
0
0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
°C
0.4
VGS=1.0V
25° 75°
C
C
ID -- VGS
VDS=10V
--25
°C
1.8
V 3.0V
6.0V 4.
0V
8.0V
ドレイン電流, ID -- A
1.2
2.0
Ta=
ID -- VDS
1.6
1.8
2.0
IT08578
RDS(on) -- Ta
400
350
300
V
1.8
S=
, VG
0.1A
250
I D=
V
=2.5
, VGS
A
5
.
I D=0
=4.0V
V GS
,
A
0
.
I D=1
200
150
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT08580
No.8164-2/4
SCH1417
VDS=10V
1.0
=
Ta
7
°C
--25
7
5
5°C
3
2
0.1
7
5
3
3
2
2
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
0.01
0.4
3
0.5
0.6
0.8
0.9
1.0
1.1
IT08582
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
VDD=10V
VGS=4V
2
0.7
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT08581
SW Time -- ID
3
f=1MHz
2
100
7
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
5
C
1.0
7
°C
--25
°
25
25°
C
2
ドレイン電流, ID -- A
tf
5
3
td(off)
2
td(on)
10
7
tr
5
Ciss
100
7
5
Coss
Crss
3
2
3
2
1.0
0.01
10
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
ドレイン電流, ID -- A
2
3
0
10
7
5
ドレイン電流, ID -- A
2.5
2.0
1.5
1.0
3
2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.8
2.0
IT08585
PD -- Ta
0.8
0.65
セ
0.6
ラ
ミ
ッ
ク
0.4
基
板
(9
00
m
m2
×
0.8
m
0.2
m
)装
着
8
10
12
14
16
IT08584
ASO
IDP=7.2A
＜10µs
1m
0µ
10
D
C
3
2
m
10
op
0m
er
at
io
s
s
s
n(
Operation in this
area is limited by RDS(on).
0.1
7
5
10
s
ID=1.8A
1.0
7
5
3
2
0.5
0.2
6
2
3.0
0
4
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VDS=10V
ID=1.8A
3.5
2
IT08583
VGS -- Qg
4.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VGS=0
2
3
0.1
0.01
許容損失, PD -- W
IF -- VSD
3
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
5
yfs -- ID
Ta=
75°
C
7
Ta
=2
5°
C)
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0.01
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
IT08684
時
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT08685
No.8164-3/4
SCH1417
取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
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予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
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が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
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PS No.8164-4/4