SANYO SCH1419

SCH1419
注文コード No. N 8 2 5 3
SCH1419
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
（パルス）
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
条件
定格値
unit
V
30
± 12
1.5
V
A
6
0.8
A
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 8V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=800mA
ID=800mA, VGS=4V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID=400mA, VGS=2.5V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
ドレイン・ソース間オン抵抗
条件
min
定格値
typ
max
30
0.4
1.3
2.2
165
210
130
unit
1
V
µA
± 10
1.3
µA
V
215
S
mΩ
295
mΩ
pF
22
16
pF
pF
指定回路において
指定回路において
9
20
ns
ns
指定回路において
指定回路において
23
29
ns
ns
VDS=10V, VGS=4V, ID=1.5A
VDS=10V, VGS=4V, ID=1.5A
2.2
0.52
nC
nC
VDS=10V, VGS=4V, ID=1.5A
IS=1.5A, VGS=0
0.52
0.9
nC
V
1.2
単体品名表示：KU
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
31505PE TS IM ◎川浦 TB-00001225 No.8253-1/4
SCH1419
外形図
unit : mm
スイッチングタイム測定回路図
2221A
VDD=15V
VIN
4V
0V
1.6
0.05
0.2
0.2
6 5 4
ID=800mA
RL=18.75Ω
VOUT
VIN
1.5
2 3
0.5
1
G
0.56
0.05
1.6
D
PW=10µs
D.C.≦1%
0.25
1 : Drain
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
6 : Drain
P.G
50Ω
S
SCH1419
SANYO : SCH6
2
°C 5°C
1.8
0.6
0.4
Ta=
1.2
1.0
0.8
0.6
Ta
0.2
VGS=1.0V
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
Ta=25°C
450
400
350
400mA
300
ID=800mA
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.5
10
IT06104
1.0
1.5
2.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT06102
RDS(on) -- VGS
500
0
1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
=7
0.4
0.2
VDS=10V
--25
°C
0.8
1.4
5°C 25°
C
1.5V
4.0V
1.0
ドレイン電流, ID -- A
2.5
1.2
--25
1.6
V
3.0V
1.4
ドレイン電流, ID -- A
ID -- VGS
2.0
75°
C
ID -- VDS
1.6
2.5
IT06103
RDS(on) -- Ta
500
450
400
350
300
V
=2.5
VGS
,
A
400m
=4.0V
I D=
A, VGS
m
0
0
I D=8
250
200
150
100
50
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT06105
No.8253-2/4
SCH1419
yfs -- ID
VDS=10V
5
C
25°
5°C
3
2
= --
Ta
1.0
2
C
75°
7
5
3
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
3
2
0.1
7
5
0.01
0.2
5
100
7
5
td(off)
2
tf
10
7
5
td(on)
tr
0.6
1.0
1.1
1.2
IT06107
3
2
Ciss
100
7
5
3
Coss
Crss
2
10
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
ドレイン電流, ID -- A
5 7 10
IT06108
0
5
10
15
20
25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
10
7
5
VDS=10V
ID=1.5A
3.5
0.9
f=1MHz
2
4.0
0.8
5
3
1.0
0.01
0.7
7
3
2
0.5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD=15V
VGS=4V
3
0.4
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
1000
7
5
0.3
IT06106
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
ドレイン電流, ID -- A
ASO
＜10µs
10
0µ
s
ドレイン電流, ID -- A
2.0
総ゲート電荷量, Qg -- nC
2.5
IT06110
PD -- Ta
1.0
0.8
Operation in this
area is limited by RDS(on).
)
°C
1.5
25
1.0
s
0.5
a=
0
(T
0
s
s
n
0.1
7
5
2
0m
io
3
2
3
0.5
m
at
1.0
1.0
7
5
er
1.5
10
10
op
2.0
ID=1.5A
C
2.5
2
1m
3
3.0
30
IT06109
IDP=6A
D
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
1.0
7
5
3
2
2
0.1
0.01
許容損失, PD -- W
VGS=0
3
2
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7
IF -- VSD
10
7
5
Ta=
75°
C
25°
C
--25
°C
10
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0.01
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
5
IT09339
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
0.6
板
(9
00
m
0.4
m2
×
0.8
m
m
)装
着
時
0.2
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09340
No.8253-3/4
SCH1419
取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
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PS No.8253-4/4