SANYO FW225

FW225
注文コード No. N 8 3 4 4
FW225
N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・モータドライブ用途に最適。
・低 Qg 化。
・複合タイプであり高密度実装可能。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
（パルス）
許容損失
IDP
PD
全損失
チャネル温度
PT
Tch
保存周囲温度
Tstg
条件
定格値
unit
V
450
± 30
0.7
V
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(1000mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
2.8
1.6
A
W
セラミック基板(1000mm2 × 0.8mm)装着時
2.0
150
W
℃
− 55 ∼＋ 150
℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース降伏電圧
記号
定格値
条件
min
450
typ
max
unit
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=0.35A
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
VGS(off)
yfs
RDS(on)
Ciss
ID=0.35A, VGS=10V
VDS=20V, f=1MHz
8.6
130
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
80
45
pF
pF
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
指定回路において
指定回路において
10
12
ns
ns
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
指定回路において
指定回路において
15
52
ns
ns
総ゲート電荷量
ダイオード順電圧
Qg
VSD
VDS=200V, VGS=10V, ID=0.7A
IS=0.7A, VGS=0V
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
V
VDS=450V, VGS=0V
VGS= ± 30V, VDS=0V
2.5
260
100
± 100
µA
nA
3.5
V
mS
11.2
Ω
pF
520
5
0.84
1.2
nC
V
単体品名表示：W225
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
61005PB MS IM ◎川浦 TB-00001446 No.8344-1/4
FW225
外形図
unit : mm
電気的接続図
7005-003
7
6
5
1
2
3
4
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
5
1
6.0
4.4
0.3
8
8
0.2
1.5
1.8 MAX
0.43
Top view
0.1
5.0
1.27
0.595
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
4
SANYO : SOP8
スイッチングタイム測定回路図
VDD=200V
VIN
10V
0V
ID=0.35A
RL=571Ω
VIN
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
FW225
RGS
50Ω
S
ID -- VDS
6V
0.20
5V
0.25
8V
V
10
0.15
0.10
VGS=4V
0.20
0.15
0.10
0.05
0.05
25°
C
ドレイン電流, ID -- A
V
25
VDS=10V
--25°C
V
5
V 1
20
0.25
ID -- VGS
0.30
ドレイン電流, ID -- A
0.30
Ta=7
5°C
P.G
0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
3.0
IT09477
0
1
2
3
4
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
5
6
IT09478
No.8344-2/4
RDS(on) -- VGS
20
Ta=25°C
ID=350mA
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
8
6
10
12
14
16
18
20
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
10
8
6
4
2
0
--60
5
3
3
C
5°
2
=-
100
Ta
7
5
75
°C
°C
25
20
40
60
80
100
120
VGS=0V
7
5
2
2
2
3
5 7 0.1
2
0.01
0.4
5 7 1.0
IT09665
3
ドレイン電流, ID -- A
tf
2
100
7
5
td(o
ff
)
3
2
0.8
0.9
1.0
1.1
IT09482
2
Ciss
100
Coss
7
Crss
5
tr
td(on)
10
0.7
f=1MHz
Ciss, Coss, Crss -- pF
1000
7
5
0.6
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
VDD=200V
VGS=10V
3
0.5
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
2
160
IT09664
IS -- VSD
0.1
3
5 7 0.01
140
2
3
3
0
--25°
C
2
2
--20
7
5
10
0.001
--40
1.0
ソース電流, IS -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- mS
12
周囲温度, Ta -- °C
VDS=10V
7
スイッチングタイム, SW Time -- ns
24
14
IT09663
yfs -- ID
1000
3
7
5
0.01
2
2
3
5
7
2
0.1
3
5
ドレイン電流, ID -- A
0
7
1.0
IT09483
3
2
3
2
3
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
4.0
4.5
5.0
IT09666
n
1
tio
2
s
3
2
m
s
a
er
0.1
7
5
0.01
7
5
0
10
0m
3
1.0
7
5
＜10µs
IDP=2.8A
ID=0.7A
op
4
30
IT09484
ASO
10
5
25
C
6
20
D
ドレイン電流, ID -- A
7
15
s
1m
8
0
10
5
VDS=200V
ID=700mA
9
5
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
22
16
25°C
4
ID=350mA
VGS=10V
18
75°C
2
RDS(on) -- Ta
20
Ta=
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
FW225
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(1000mm2×0.8mm)装着時 1unit
0.001
0.01 2 3 5 70.1 2 3 5 71.0 2 3 5 7 10
2 3 5 7100 2 3 5 7
IT09567
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
No.8344-3/4
FW225
PD -- Ta
2.5
セラミック基板(1000mm2×0.8mm)装着時
許容損失, PD -- W
2.0
1.6
1.5
全
損
失
1u
1.0
nit
0.5
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09568
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PS No.8344-4/4