SANYO CPH3424

CPH3424
注文コード No. N 7 9 1 6
CPH3424
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流（パルス）
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
条件
定格値
unit
V
60
± 20
1.8
V
A
7.2
1
A
W
150
− 55 ∼＋ 150
℃
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=60V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VDS=10V, ID=0.9A
ID=0.9A, VGS=10V
入力容量
RDS(on)2
Ciss
210
220
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID=0.9A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
28
20
pF
pF
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
td(off)
tf
指定回路において
指定回路において
8
5
ns
ns
指定回路において
指定回路において
27
20
ns
ns
ドレイン・ソース間オン抵抗
ターンオフ遅延時間
下降時間
単体品名表示：KZ
条件
定格値
typ
項目
min
max
60
1.2
1.1
2.1
170
unit
1
V
µA
± 10
2.6
µA
V
220
S
mΩ
300
mΩ
pF
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
93004 TS IM ◎川浦 TA-100207 No.7916-1/4
CPH3424
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項目
記号
定格値
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=30V, VGS=10V, ID=1.8A
VDS=30V, VGS=10V, ID=1.8A
VDS=30V, VGS=10V, ID=1.8A
ダイオード順電圧
VSD
IS=1.8A, VGS=0
typ
6.4
nC
1.1
1.1
nC
nC
0.85
外形図
unit : mm
unit
max
1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
2152A
VDD=30V
VIN
10V
0V
2.9
ID=0.9A
RL=33.3Ω
VIN
0.6
3
0.2
0.15
0.4
D
0.05
2.8
1.6
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
0.6
G
2
1
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
CPH3424
P.G
50Ω
S
0.7
0.9
0.2
1.9
SANYO : CPH3
0.6
Ta=
2.0
1.5
1.0
VGS=2.5V
0.5
0.2
0
--25
°C
0.8
2.5
25°
C
1.0
3.0
°C
3.0V
0.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
Ta=25°C
ID=0.9A
350
300
250
200
150
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
18
20
IT07436
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT07434
RDS(on) -- VGS
400
0
1.2
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
2
--25° 5°C
C
V
3.5
4.0
3.5
Ta
=75
1.2
VDS=10V
ドレイン電流, ID -- A
1.4
V
10.0V 6.0V
5.0V
ドレイン電流, ID -- A
1.6
ID -- VGS
4.0
75°
C
ID -- VDS
1.8
4.0
IT07435
RDS(on) -- Ta
400
350
300
250
=0
ID
.9
VG
A,
=4
S
V
V
10
S=
G
V
,
9A
200
=0.
ID
150
100
50
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT07437
No.7916-2/4
CPH3424
yfs -- ID
7
2
3
1.0
=
Ta
7
5
--2
°C
°C °C
75 25
5
3
2
3
0.1
7
5
2
3
2
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
ドレイン電流, ID -- A
3
0.01
0.2
5
0.4
0.6
0.8
1.0
IT07439
Ciss, Coss, Crss -- VDS
5
f=1MHz
5
3
td(off)
2
tf
td(on)
10
7
5
Ciss
2
Ciss, Coss, Crss -- pF
3
1.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT07438
SW Time -- ID
7
スイッチングタイム, SW Time -- ns
1.0
7
5
Ta=
75°
C
25°
C
--25
°C
2
0.1
0.01
tr
3
100
7
5
Coss
3
Crss
2
2
VDD=30V
VGS=10V
1.0
0.1
2
3
5
7
2
1.0
3
ドレイン電流, ID -- A
10
7
5
0
ドレイン電流, ID -- A
s
C)
5°
PD -- Ta
1.2
s 1m
IT07442
=2
7
s
Operation in this
area is limited by RDS(on).
a
(T
総ゲート電荷量, Qg -- nC
6
m
0.1
7
5
n
io
3
2
at
5
er
4
<10µs
0m
3
30
IT07441
s
1.0
7
5
10
2
ID=1.8A
op
1
IDP=7.2A
10
3
2
3
2
0
25
ASO
C
D
2
20
0µ
8
4
15
10
10
7
5
6
10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VDS=30V
ID=1.8A
0
5
IT07440
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
VGS=0
3
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
5
IF -- VSD
5
VDS=10V
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
0.01
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5 7100
IT07443
許容損失, PD -- W
1.0
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(9
00
m
m2
×
0.8
m
m
)装
着
時
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT07444
No.7916-3/4
CPH3424
取り扱い上の注意：本製品は、MOSFET ですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
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PS No.7916-4/4