Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ 150 N 18...26 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Tvj = - 40°C...Tvj max VDRM, VRRM 1800, 2000 2200, 2400 2600 V V V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = - 40°C...Tvj max VDSM 1800, 2000 2200, 2400 2600 V V V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 1900, 2100 2300, 2500 2700 V V V ITRMSM 350 A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C TC = 54°C ITAVM 150 223 A A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms ITSM 4500 4000 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms I²t Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs (diT/dt)cr Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6. Kennbuchstabe / 6th letter C 6. Kennbuchstabe / 6th letter F (dvD/dt)cr Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max, iT = 600A vT Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max Ersatzwiderstand slope resistance 101000 80000 A²s A²s 60 A/µs 500 1000 V/µs V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values 2,6 V V(TO) 1,2 V Tvj = Tvj max rT 2,3 mΩ Ω Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 6V IGT max. 200 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 6V VGT max. 2,0 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 6V Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 5 mA mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω Ω IH max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 10Ω Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tG = 20µs IL max. 1200 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Tvj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR max. 50 mA SZ-MA; R. Jörke 29. Jul 98 A 110/98 max. Seite/page 1(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TZ 150 N 18...26 N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs tgd Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = 150A vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs 5. Kennbuchstabe / 5th letter O tq RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec VISOL Isolations-Prüfspannung insulation test voltage max. 4,0 µs typ. 300 µs 3,0 kV 3,6 kV Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per module, Θ = 180°sin pro Modul / per module, DC RthJC max. max. 0,130 °C/W 0,124 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module RthCK max. 0,040 °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+130 °C 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 5 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 12 Nm Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance typ. 900 g 15 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz 50 m/s² Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-MA; R. Jörke 29. Jul 98 Seite/page 2(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module SZ-MA; R. Jörke TZ 150 N 18...26 29. Jul 98 N Seite/page 3(4) Technische Information / Technical Information TZ 150 N 18...26 Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 R thn[° C / W ] 0,0031 0,0097 0,0257 0,0429 0,0426 τ n [ s] 0,0009 0,0080 0,1100 0,6100 3,0600 6 7 t − τn = R thn 1− e n=1 nmax Analytische Funktion: SZ-MA; R. Jörke Z thJC ∑ 29. Jul 98 Seite/page 4(4)