ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ−Ｃｈｏｐｐｅｒ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ 回 路 図 ＰＣＨＭＢ４００Ａ６Ａ ４００ Ａ，６００Ｖ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ間電圧 □ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＶCES ６００ Ｖ ＶGES ±２０ Ｖ ＩC ＩCP ４００ ８００ Ａ ＰC １，４７０ Ｗ Ｔj −４０∼＋１５０ ℃ 度 Ｔstg −４０∼＋１２５ ℃ 圧(Terminal to Base AC,1minute) Ｖiso ２,５００ Ｖ(RMS) Ｆtor ３（３０.６） Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage コ レ ク タ 電 流 損 失 ＤＣ １ｍｓ Collector Current コ レ ク タ Collector Power Dissipation 接 合 温 度 Junction Temperature Range 保 存 温 Storage Temperature Range 絶 縁 耐 Isolation Voltage □ 重量：500ｇ Ｓｙｍｂｏｌ 締 め 付 け ト ル ク Module Base to Heatsink Mounting Torque Busbar to Main Terminal 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ ＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ コ レ ク タ 遮 断 電 流 ＩCES ＶCE = 600V, ＶGE = 0V Collector-Emitter Cut-Off Current ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Gate-Emitter Leakage Current コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-Emitter Saturation Voltage ゲートし きい値 電圧 Gate-Emitter Threshold Voltage 入 力 容 量 上 昇 時 間 Rise Time ス イ ッ チ ン グ 時 間 ターンオン時間 Turn-on Time Switching Time 下 降 時 間 Fall Time ターンオフ時間 Turn-off Time Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ − − ４.０ ｍＡ ＩGES ＶGE = ±20V, ＶCE = 0V − − １.０ µＡ ＶCE(sat) ＩC = 400A, ＶGE = 15V − ２.１ ２.６ Ｖ ＶGE(th) ＶCE = 5V, ＩC = 400mA ４.０ − ８.０ Ｖ Ｃies Input Capacitance Ｎ・ｍ (kgf･cm) ｔr ｔon ｔf ｔoff ＶCES = 10V, ＶGE = 0V,ｆ= 1MHz − 40,000 − ｐＦ ＶCC ＲL ＲG ＶGE − − − − ０.２５ ０.４５ ０.２０ ０.６０ ０.４５ ０.８５ ０.３５ ０.８０ µｓ = = = = 300V 0.75Ω 1.6Ω ±15V □フリーホイーリングダイオードの フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥ ＦＲＥＥ Ｅ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩF ４００ 順 電 流 Ａ Forward Current １ｍｓ ＩFM ８００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 電 圧 順 Peak Forward Voltage 逆 回 復 時 間 Reverse Recovery Time □ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. １.９ ＶF ＩF = 400A, ＶGE = 0V − ｔrr ＩF = 400A, ＶGE = -10V ｄi/ｄt = 400A/µs − 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＧＢＴ 熱 抵 抗 Ｒth(j-c) Junction to Case Thermal Impedance Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ２.４ ０.１５ ０.２５ Ｖ µｓ 熱 Ｄｉｏｄｅ Ｍｉｎ. − − Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ − ０.０８５ ℃／Ｗ − ０.２０ ＰＣＨＭＢ４００Ａ６Ａ Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ VGE =20V I C=160A 15V 10V Collector Current I C (A) TC=25℃ 16 12V 600 400 9V 200 8V Collector to Emitter Voltage V CE (V) 800 800A 14 400A 12 10 8 6 4 2 7V 0 0 2 4 6 8 0 10 0 4 Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 400A 12 10 8 6 4 2 0 4 8 12 16 350 14 300 12 250 10 8 200 VCE =300V 150 6 200V 100 4 100V 2 50 0 20 0 300 600 900 1200 0 1800 1500 Total Gate Charge Qg (nC) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) Cies 50000 Coes Cres 1 VGE =0V f=1MHZ TC=25℃ VCC=300V R G=1.6Ω VGE =±15V TC=25℃ 0.9 0.8 Switching Time t (μs) 100000 Capacitance C (pF) 16 RL=0.75Ω TC=25℃ Gate to Emitter Voltage V GE (V) 200000 20000 10000 5000 2000 1000 0.7 toff 0.6 0.5 ton 0.4 0.3 tr 0.2 500 200 20 tf 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 100 200 0 0 100 200 Collector Current IC (A) 300 400 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 14 0 16 400 800A IC=160A 12 Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) TC=125℃ 16 8 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) ＰＣＨＭＢ４００Ａ６Ａ Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) (Typical) 800 5 V CC=300V I C=400A V G=±15V TC=25℃ 2 TC=25℃ TC=125℃ 700 Forward Current I F (A) Switching Time t (μs) 600 1 toff ton 0.5 tr 0.2 tf 0.1 0.05 500 400 300 200 100 1 2 5 10 20 0 50 0 1 2 Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IF=400A TC=25℃ 1000 trr 200 R G=1.6Ω VGE =±15V TC≦125℃ Collector Current I C (A) 500 200 4 Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area (Typical) 2000 100 50 I RrM 20 100 50 20 10 5 2 1 10 0.5 5 0.1 0.2 800 1200 1600 2000 2400 0 200 -di/dt (A/μs) 400 Fig.11- Transient Thermal Impedance 2x10 -1 5x10 -2 FRD IGBT 1x10 -1 2x10 -2 1x10 -2 5x10 -3 2x10 -3 1x10 -3 5x10 -4 TC=25℃ 2x10 -4 1 Shot Pulse 1x10 -4 -5 10 600 Collector to Emitter Voltage V CE (V) 5x10 -1 (℃/W) 400 (J-C) 0 Transient Thermal Impedance Rth Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 500 3 Forward Voltage V F (V) Series Gate Impedance R G (Ω) 10 -4 10 -3 10 -2 Time t (s) 10 -1 1 10 1 800