QMS7301-302M0709 (2/5) Full Bridge ＩＧＢＴ Module ＰＢＭＢ２００Ｅ６ ２００Ａ／６００Ｖ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 110.0 4-Ø 6.5 3 4-M6 7 6 1 1 2 3 8 9 10 6 7 4 5 6 15 6 62.0 80.0 25.0 12 11 9 14 13 14 13 2 4 5 11 12 25 25 24 24 93.0 7 18 7 18 23 30.0 8 18 8-fasten tab #110 7 LABEL Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （at TC=25°C unless otherwise specified） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲート・エミッタ間電圧 Ｇ ate-Ｅ mitter Ｖ oltage Ｒａｔｅｄ ＶＣＥＳ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ６００ Ｖ ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ ＩＣ ＩＣＰ ２００ ４００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ７８０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ ＤＣ １ｍｓ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent 絶 縁 耐 圧 (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ 電 気 的 特 性 ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ(ＲＭＳ） Ｆｔｏｒ ３（３０.６） Ｎ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （at Tj=25°C unless otherwise specified） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇ a t e - Ｅ m i t t e r Ｌ e a k a g e Ｃ u rr e n t Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V,ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 飽 和 電 圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ(sat) ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇ ate-Ｅ mitter Ｔ hreshold Ｖ oltage ＶＧＥ(th) ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ４.０ － ８.０ Ｖ － 10,000 － ｐＦ － ０.１５ ０.３０ － － － ０.２５ ０.１０ ０.３５ ０.４０ ０.３５ ０.７０ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ 上 昇 時 間 Ｒise スイッチング時間 Ｓ w i t c h in g Ｔ im e Ｔime ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= ＲＬ= ＲＧ= ＶＧＥ= 300V 1.5Ω 3.6Ω ±15V □ フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ（at TC=25°C） ＆ Ｉｔｅｍ 順 電 流 Ｆ orward Ｃ urrent Ｓｙｍｂｏｌ 的 特 性 Ｖａｌｕｅ ＩＦ ２００ １ｍｓ ＩＦＭ ４００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ □ 熱 ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（at Tj=25°C） Ｒａｔｅｄ ＤＣ Ｓｙｍｂｏｌ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ＶＦ ｔｒｒ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ μｓ Ｕｎｉｔ Ａ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ － － － － ０.１６ ０.３８ ℃／Ｗ ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ 熱 抵 抗 Ｔ hermal Ｉ mpedance Ｓｙｍｂｏｌ ＩＧＢＴ Ｄ iode Ｒth(j-c) Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Junction to Case （Tcチップ直下での測定点） QS043-402-（3/5） ＰＢＭＢ２００Ｅ６ Fig.1- Output Characteristics (Typical) VGE=20V 350 VGE=20V 12V 350 15V 11V 300 250 200 10V 150 9V 100 15V 300 11V 250 10V 200 150 9V 100 50 8V 0 1 2 3 4 0 5 0 1 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 400A 200A 12 10 8 6 4 2 0 4 8 12 16 IC=100A 14 200A 10 8 6 4 2 0 4 8 VGE=0V f=1MHZ T C=25°C 14 VCE =300V 200 8 200V 150 6 100V 100 4 2 50 200 400 600 0 800 30000 Capacitance C (pF) 10 250 20 Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) 12 0 16 100000 16 300 0 12 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) 350 400A 12 0 20 Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) RL =1.5( TC=25°C 5 T C=125°C Gate to Emitter Voltage VGE (V) 400 4 16 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) IC=100A 14 3 Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) T C=25°C 16 2 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) 0 12V 8V 50 0 T C=125°C 400 Collector Current I C (A) Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) T C=25°C 400 Cies 10000 Coes 3000 Cres 1000 300 100 0.1 Total Gate Charge Qg (nC) 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 Collector to Emitter Voltage VCE (V) 00 日本インター株式会社 QS043-402-（4/5） ＰＢＭＢ２００Ｅ６ Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.6 tf 0.4 2 tON 0.2 1 0.5 toff 0.2 ton 0.1 tr(V CE) tf 0.05 tr(VCE) 0 VCC=300V IC=200A VGE=±15V T C=25°C Resistive Load 5 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) VCC=300V RG=3.6 ( VGE=±15V T C=25°C Resistive Load tOFF 0.8 Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) 10 0 50 100 150 200 250 0.02 300 1 3 Collector Current IC (A) VCC=300V RG=3.6( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load tOFF tON tf 0.1 100 Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 tr(Ic) 0.01 VCC=300V IC=200A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 5 2 Switching Time t (µs) Switching Time t (µs) 1 30 Series Gate Impedance RG (( ) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time 10 10 1 0.5 toff 0.2 ton 0.1 tf 0.05 tr(IC ) 0.001 0 50 100 150 200 250 0.02 300 1 3 Collector Current IC (A) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss EOFF EON 8 ERR 4 50 100 150 200 250 300 Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) VCC=300V RG=3.6( VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 0 100 300 12 0 30 Series Gate Impedance RG (( ) 20 16 10 VCC=300V IC=200A VGE=±15V T C=125°C Inductive Load 100 EON 30 EOFF 10 ERR 3 1 1 Collector Current IC (A) 3 10 30 Series Gate Impedance RG (( ) 00 日本インター株式会社 QS043-402-（5/5） ＰＢＭＢ２００Ｅ６ Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) T C=25°C T C=125°C 300 250 200 150 100 50 1 2 3 500 trr 200 100 50 IRrM 20 10 4 IF=200A T C=25°C T C=125°C 0 200 400 Forward Voltage VF (V) 600 800 1000 1200 -di/dt (A/µs) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area 1000 RG=3.6 ( , VGE=±15V, T C<125°C 500 200 Collector Current I C (A) 0 100 50 20 10 5 2 1 0.5 0.2 0.1 0 200 400 600 800 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.16- Transient Thermal Impedance 3 Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Forward Current I F (A) 350 0 Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 1000 Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) 400 1 FRD 3x10 -1 1x10 IGBT -1 3x10 -2 1x10 -2 3x10 -3 T C=25°C 1x10 -3 3x10 -4 10 -5 1 Shot Pulse 10-4 10-3 10 -2 10 -1 1 10 1 Time t (s) 00 日本インター株式会社