NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR HBU406/406H █ 主要用途 对应国外型号 BU406/406H █ 外形图及引脚排列 行输出级高压开关 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ T j ——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………… 60W 1―基 极，B 2―集电极，C 3―发射极，E VCBO——集电极—基极电压……………………………… 400V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 200V V EBO ——发射极—基极电压……………………………… 6V IC——集电极电流…………………………………………… 7A ICM——集电极峰值电流…………………………………… 10A IB——基极电流……………………………………………… 4A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 ICES 符 号 说 明 集电极—发射极截止电流 IEBO 发射极—基极截止电流 hFE 直流电流增益 VCEsat） VBE(sat) 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 5 mA VCE=400V, VBE=0 100 μA VCE=250V, VBE=0 1 mA VCE=250V,VBE=0,TC=150℃ 1 mA VEB=6V, IC=0 VCE=1V, IC=5A 10 集电极—发射极饱和电压 HBU406 1 V IC=5A, IB=0.5A HBU406H 1 V IC=5A, IB=0.8A HBU406 1.2 V IC=5A, IB=0.5A HBU406H 1.2 V IC=5A, IB=0.8A 基极—发射极饱和电压 fT 特征频率 toff 关闭时间 10 MHz VCE=10V, IC=0.5A HBU406 0.75 μs IC=5A, IB=0.5A HBU406H 0.4 μs IC=5A, IB=0.8A 件 汕头华汕电子器件有限公司 H D406/406H █ 典型特性曲线（除非另有说明，Ta=25℃） 直流电流增益 hFE，直流电流增益 IC(A)，集电极电流 静态特性 VCE(V)，集电极-发射极电压 IC(A)，集电极电流 集电极输出电容 Cob(pF)，电容 VCE(sat),VBE(sat) (mV)，饱和电压 基极-发射极饱和电压 集电极-发射极饱和电压 IC(mA)，集电极电流 VCB(V)，集电极-基极电压 安全工作区 PD(W)，功率耗散 IC(A)，集电极电流 功率降额 TC(℃)，壳温 VCE(V)，集电极-发射极电压 A