NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 ST13003D H13003D █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高压快速开关。电子镇流器、电子变压器等应用。 █ 极限值（Ta=25℃） T s t g ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温…………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）………………………… 40W 1―基 极，B 2―集电极，C 3―发射极，E VCBO ——集电极—基极电压……………………………… 700V VCEO ——集电极—发射极电压…………………………… 400V VEBO ——发射极—基极电压………………………………… 9V IC——集电极电流（DC）…………………………………… 1.5A IC——集电极电流（脉冲）…………………………………… 3A IB——基极电流………………………………………………0.75A █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件 BVCBO 集电极—基极击穿电压 700 V IC=1mA,IE=0 BVCEO 集电极—发射极击穿电压 400 V IC=10mA, IB=0 BVEBO 发射极—基极击穿电压 9 V IE=1mA，IC=0 ICBO 集电极—基极截止电流 10 μA VCB=600V, IB=0 IEBO 发射极—基极截止电流 0.1 mA VEB=9V, IC=0 hFE 直流电流增益 VCE（sat） VBE(sat) 14 VCE=10V, IC=0.2A 40 9 VCE=5V, IC=1mA 5 VCE=5V, IC=1A 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极饱和电压 0.5 V IC=0.5A, IB=0.1A 1 V IC=1A, IB=0.25A 3 V IC=1.5A, IB=0.5A 1.0 V IC=0.5A, IB=0.1A 1.2 V IC=1A, IB=0.25A 2.2 V IF=1A VF 内部二极管正向压降 ton 导通时间 1 μs ts 载流子贮存时间 4 μs tf 下降时间 0.7 μs ts 贮存时间 4 μs 分档： H1（14--21） 1.5 H2（19--26） H3（24--31） H4（29--40） VCC=125V, IC=1A, IB1=-IB2=0.2A Vcc=5V，Ic=0.25A 汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON H13003D █ 特性曲线 TRANSISTOR 对应国外型号 ST13003D 汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON H13003D █ 特性曲线 TRANSISTOR 对应国外型号 ST13003D