NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR TIP31C 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 █ 管芯示意图 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：C126AG-02 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：1260×1260µm 2 焊位尺寸：B 极 308×308µm 2；E 极 308×385µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：TIP31C，HP31C █ 极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………… 40W PC——集电极功率耗散（Ta=25℃）……………………… 2W VCBO——集电极—基极电压……………………………100V VCEO——集电极—发射极电压…………………………100V VEBO——发射极—基极电压………………………………5V IC——集电极电流（DC）…………………………………… 3A IC——集电极电流(脉冲)………………………………… 5A IB——基极电流…………………………………………… 1A █ 电参数（Ta=25℃）（封装形式：TO-220） 参数符号 BVCEO(sus) ICEO ICES IEBO hFE VCE(sat) VBE(on) fT 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 集电极—发射极维持电压 集电极—发射极截止电流 集电极—发射极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益* * 集电极—发射极饱和电压 * 基极—发射极导通电压 特征频率 100 25 10 * *脉冲测试：脉宽≤300µs，占空比≤2%。 0.3 200 1 V mA µA mA 50 1.2 V 1.8 3.0 V MHz 测 试 条 件 IC=30mA，IB=0 VCE=60V，IB=0 VCE=100V，VEB=0, VEB=5V，IC=0 VCE=4V，IC=1A VCE=4V，IC=3A IC=3A，IB=375mA VCE=4V，IC=3A VCE=10V，IC=0.5A， f=1MHz