InGaAsフォトダイオード/セレクションガイド

セレクションガイド 2015.6
InGaAs フォトダイオード
低 ノイ ズ で 優 れ た 周 波 数 特 性 の 近 赤 外 線 検 出 素 子
InGaAs PHOTODIODE
当社独自の化合物半導体プロセス技術を生かしたInGaAsフォトダイオードは、
InGaAs
0.5 μmから2.6 μmの波長域にわたり、高速・高感度・低ノイズを特長としています。
フォトダイオード
ています。メタル・セラミック・表面実装型などのパッケージ、
リニア/エリアイメー
InGaAsフォトダイオードは光通信から分析、計測分野まで幅広い用途に用いられ
ジセンサ、
プリアンプ付赤外検出モジュールなどの多様な製品群を用意しています。
カスタム品にも対応しています。お気軽にご用命ください。
Topic
小惑星探査機「はやぶさ」に搭載された
当社製 InGaAs リニアイメージセンサ
小惑星探査機「はやぶさ」は、数々のトラブルに
見舞われながら、3億キロ離れた小惑星「イト
カワ」から岩石の微粒子を持ち帰りました。
「は
やぶさ」の近赤外線分光器(NIRS)には、近赤
外域における高い感度に加え、高い信頼性と
耐久性が評価された当社のInGaAsリニアイ
メージセンサが採用されました。近赤外線分光
器は、小惑星の表面で反射した太陽光の赤外
線を分光し検出することにより、地表の鉱物の
種類や地表形状を分析する装置です。
「イトカ
ワ」からの0.8∼2.1 μmの反射光を分光計測
した結果、
1 μmと2 μm付近に反射率の低下が
存在したため、地表の鉱物にかんらん石と輝石
が含まれていることがわかりました。
[提供:宇宙航空研究開発機構(JAXA)]
Contents
目次
1. セレクションガイド··· 2
■
感度波長範囲 ············2
■
応答速度 ····················4
■
パッケージ··················5
■
2. InGaAs PINフォトダイオード、
InGaAs APD····················8
■
■
応用例 ························6
■
■
短波長高感度タイプ
InGaAs PINフォトダイオード ····8
標準タイプ
InGaAs PINフォトダイオード ····8
長波長タイプ
InGaAs PINフォトダイオード····10
InGaAs APD ···················11
3. InGaAsイメージセンサ ····12
■
InGaAsリニアイメージセンサ ···12
■
InGaAsエリアイメージセンサ ···13
4. 関連製品 ·····················14
■
複合素子 ····························14
■
プリアンプ付赤外
検出モジュール··················15
5. オプション ············ 16
■
■
■
■
■
赤外線検出素子用
アンプ·························16
電子冷却型用放熱器 ····17
温度コントローラ·······17
マルチチャンネル
検出器ヘッド ··············18
駆動回路 ····················20
6. 用語説明 ·············· 21
セレクションガイド
感度波長範囲
0.5 µm ∼2.6 µm において、さまざまな感度波長範囲をもったラインアップを用意しています。
分光感度特性(代表例)
(Typ. Ta=25 °C)
1.4
長波長タイプ
InGaAs
(∼2.6 µm)
長波長タイプInGaAs
(∼2.1 µm)
1.2
長波長タイプInGaAs
(∼1.9 µm)
受光感度 (A/W)
1.0
短波長高感度タイプ
InGaAs
0.8
Siフォトダイオード
S1337-BRタイプ
0.6
0.4
標準タイプ
InGaAs
0.2
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
波長 (µm)
KIRDB0477JA
カットオフ波長における温度依存性(代表例)
(Typ.)
1.4
1.2
受光感度 (A/W)
1.0
長波長タイプ
InGaAs
(∼2.6 µm)
Ta=25 °C
Td=-10 °C
Td=-20 °C
標準タイプInGaAs
0.8
長波長タイプ
InGaAs
(∼1.9 µm)
0.6
0.4
長波長タイプ
InGaAs
(∼2.1 µm)
0.2
0
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
波長 (µm)
KIRDB0478JA
InGaAsフォトダイオード
2
InGaAs PINフォトダイオード
タイプ
短波長高感度タイプ
型名
ページ
0.4
0.6
0.8
G10899シリーズ
1.0
感度波長範囲 (µm)
1.4
1.6
1.8
1.2
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
2.2
2.4
2.6
2.8
常温型 (0.5∼1.7 µm)
8
G12180/G8370シリーズ
G6854-01
常温型 (0.9∼1.7 µm)
G11193シリーズ
G8941シリーズ
COB
1段電子冷却型 (0.9∼1.67 µm)
G11777-003P
9
G6849シリーズ
標準タイプ アレイ
G7150/G7151-16
2段電子冷却型 (0.9∼1.65 µm)
G8909-01
G12430シリーズ
ROSA
G12072-54
(1.31 µm)
ピグテイル/
G9821シリーズ
レセプタクル
タイプ
G9822シリーズ
(プリアンプ付)
(1.31 µm)
ピグテイル/ G8195シリーズ
レセプタクル
G9801シリーズ
タイプ
10
(1.55 µm)
常温型 (0.9∼1.7 µm)
常温型 (0.9∼1.9 µm)
1段電子冷却型 (0.9∼1.87 µm)
∼1.9 µm G12181シリーズ
2段電子冷却型 (0.9∼1.85 µm)
常温型 (0.9∼2.1 µm)
長波長タイプ ∼2.1 µm G12182シリーズ
1段電子冷却型 (0.9∼2.07 µm)
2段電子冷却型 (0.9∼2.05 µm)
11
常温型 (0.9∼2.6 µm)
1段電子冷却型 (0.9∼2.57 µm)
∼2.6 µm G12183シリーズ
2段電子冷却型 (0.9∼2.55 µm)
InGaAs APD
タイプ
APD
型名
ページ
G8931シリーズ
0.4
0.6
0.8
1.0
11
1.2
感度波長範囲 (µm)
1.4
1.6
1.8
常温型 (0.9∼1.7 µm)
InGaAsリニアイメージセンサ
タイプ
型名
ページ
0.4
0.6
0.8
1.0
G92XXシリーズ
標準タイプ
1.2
感度波長範囲 (µm)
1.4
1.6
1.8
常温型 (0.9∼1.7 µm)
G9494シリーズ
1段電子冷却型 (0.9∼1.67 µm)
G10768シリーズ
裏面入射タイプ
12
G11135シリーズ
常温型 (0.95∼1.7 µm)
1段電子冷却型 (0.95∼1.67 µm)
G11620シリーズ
∼1.85 µm G9205シリーズ
2段電子冷却型 (0.9∼1.85 µm)
∼2.05 µm G9206-256W
2段電子冷却型 (0.9∼2.05 µm)
長波長タイプ ∼2.15 µm G9206-02/-512W
13
2段電子冷却型 (0.9∼2.15 µm)
∼2.25 µm G9207-256W
2段電子冷却型 (0.9∼2.25 µm)
∼2.55 µm G9208シリーズ
2段電子冷却型 (0.9∼2.55 µm)
InGaAsエリアイメージセンサ
タイプ
型名
ページ
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
感度波長範囲 (µm)
1.4
1.6
1.8
G11097-0606S
1段電子冷却型 (0.95∼1.7 µm)
G11097-0707S
標準タイプ
G12460-0606S
13
1段電子冷却型 (1.12∼1.9 µm)
G12242-0707W
2段電子冷却型 (0.95∼1.7 µm)
G12242-0909W
3
InGaAsフォトダイオード
2.0
セレクションガイド
応答速度
大受光面サイズの計測用から超高速の光通信用まで、さまざまな応答速度・受光面サイズのInGaAsフォトダイオードを用意しています。
InGaAs PINフォトダイオード [遮断周波数、受光面サイズ (単位: mm)]
タイプ
短波長高感度タイプ
型名
ページ
G10899シリーズ
G12180/G8370シリーズ
20
40
ϕ3 ϕ2
8
60
80
遮断周波数 (MHz)
500
100
ϕ1
1000 2000 3000 4000
ϕ5,3,2
ϕ1
ϕ0.5
ϕ0.3
G6854-01
ϕ0.08
G11193シリーズ
ϕ0.3
G8941シリーズ
COB
ϕ1
ϕ2/4分割
ϕ0.3
ϕ1/4分割
0.45 × 1
0.08 × 0.2
G8909-01
ϕ0.08
G12430シリーズ
ROSA
ϕ0.2
ϕ0.3
9
G7150/G7151-16
標準タイプ アレイ
ϕ0.5
G11777-003P
G6849シリーズ
0.45 × 1
0.2 × 1
G12072-54
ピグテイル/
G9821シリーズ
レセプタクル
タイプ
G9822シリーズ
(プリアンプ付)
5 G 10 G
ϕ0.5 ϕ0.3
ϕ0.03
ϕ0.07
10
ピグテイル/ G8195シリーズ
レセプタクル
G9801シリーズ
タイプ
ϕ0.08
∼1.9 µm G12181シリーズ
長波長タイプ ∼2.1 µm G12182シリーズ
11
∼2.6 µm G12183シリーズ
ϕ3,2,1
ϕ0.5
ϕ3,2,1
ϕ0.5
ϕ3,2,1 ϕ0.5
ϕ0.3
ϕ0.3
ϕ0.3
InGaAs APD [遮断周波数、受光面サイズ (単位: mm)]
タイプ
APD
型名
G8931シリーズ
ページ
20
40
60
80
100
遮断周波数 (MHz)
500
11
1000 2000 3000 4000
ϕ0.2
5 G 10 G
ϕ0.04
InGaAsリニアイメージセンサ [ラインレート、画素数]
タイプ
型名
ページ
500
G92XXシリーズ
標準タイプ
ラインレート (ライン/s)*1
1000
5000
G9494シリーズ
G10768シリーズ
10000
512 ch*2
256 ch
12
1024 ch
G11135シリーズ
512 ch
裏面入射タイプ
G11620シリーズ
256 ch
512 ch 256 ch 128 ch
∼1.85 µm G9205シリーズ
512 ch* 256 ch
∼2.05 µm G9206-256W
256 ch
長波長タイプ ∼2.15 µm G9206-02/-512W
50000
512 ch*2 256 ch
2
13
512 ch*2 256 ch
∼2.25 µm G9207-256W
256 ch
∼2.55 µm G9208シリーズ
512 ch*2 256 ch
*1: 蓄積時間を最小値に設定した場合
*2: ビデオラインを 2 本で読み出した場合、256 画素と同じラインレートになります。
InGaAsエリアイメージセンサ [フレームレート、画素数]
タイプ
型名
ページ
500
G11097-0606S
G12460-0606S
G12242-0707W
G12242-0909W
10000
50000
64 × 64 ch
G11097-0707S
標準タイプ
フレームレート (フレーム/s)*3
1000
5000
128 × 128 ch
13
64 × 64 ch
128 × 128 ch
640 × 512 ch
*3: 蓄積時間 1 µs
InGaAsフォトダイオード
4
パッケージ
表面実装型から高信頼性メタルタイプまで、さまざまなパッケージを用意しています。
InGaAs PINフォトダイオード
タイプ
型名
短波長高感度タイプ
ページ
8
1
3
3
4
12
G11193シリーズ
6
7
8
G11777-003P
アレイ
9
9
10
G7150/G7151-16
11
G8909-01
12
G12430シリーズ
ROSA
表面実装型 レセプタクル型 ピグテイル型
G8941シリーズ
G6849シリーズ
標準タイプ
セラミック
5
G6854-01
COB
1段電子冷却型 2段電子冷却型
1 2
G10899シリーズ
G12180/G8370シリーズ
メタル
非冷却
13
G12072-54
ピグテイル/レセプタクル G9821シリーズ
タイプ (プリアンプ付) G9822シリーズ
G8195シリーズ
ピグテイル/
レセプタクルタイプ G9801シリーズ
14
15
10
15
14
∼1.9 µm
G12181シリーズ
1
3
3
長波長タイプ ∼2.1 µm
G12182シリーズ
1
3
3
∼2.6 µm
G12183シリーズ
1
3
3
11
InGaAs APD
タイプ
型名
APD
G8931シリーズ
ページ
11
メタル
非冷却
1段電子冷却型
セラミック
2段電子冷却型
表面実装型
16
InGaAsリニアイメージセンサ
タイプ
型名
ページ
メタル
非冷却
1段電子冷却型
セラミック
2段電子冷却型
17
G92XXシリーズ
18
18
G9494シリーズ
標準タイプ
G10768シリーズ
19
12
20
G11135シリーズ
裏面入射タイプ
17
G11620シリーズ
∼1.85 µm
G9205シリーズ
∼2.05 µm
G9206-256W
長波長タイプ ∼2.15 µm
G9206-02/-512W
20
17
17
17
13
∼2.25 µm
G9207-256W
17
∼2.55 µm
G9208シリーズ
17
InGaAsエリアイメージセンサ
タイプ
型名
標準タイプ
ページ
メタル
非冷却
1段電子冷却型
G11097-0606S
21
G11097-0707S
22
G12242-0707W
23
13
24
G12460-0606S
25
G12242-0909W
5
セラミック
2段電子冷却型
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
InGaAsフォトダイオード
セレクションガイド
応用例
当社のInGaAs フォトダイオードの代表的な応用例を紹介します。
InGaAs PINフォトダイオード
タイプ
短波長高感度タイプ
型名
ページ
放射
温度計
水分計
8
●
●
ガス分析
分光測光
G10899シリーズ
G12180/G8370シリーズ
レーザ
モニタ
DWDM
モニタ
光パワー
メータ
光通信
●
●
●
●
●
G6854-01
●
●
G11193シリーズ
COB
G8941シリーズ
●
●
G11777-003P
●
●
G6849シリーズ
標準タイプ
アレイ
9
●
G7150/G7151-16
●
G8909-01
●
G12430シリーズ
ROSA
●
G12072-54
ピグテイル/レセプタクル G9821シリーズ
タイプ (プリアンプ付) G9822シリーズ
G8195シリーズ
ピグテイル/
レセプタクルタイプ G9801シリーズ
距離計測
●
●
●
10
●
●
●
●
∼1.9 µm
G12181シリーズ
●
●
●
●
●
長波長タイプ ∼2.1 µm
G12182シリーズ
●
●
●
●
●
∼2.6 µm
G12183シリーズ
●
●
●
ガス分析
分光測光
11
●
InGaAs APD
タイプ
APD
型名
ページ
G8931シリーズ
11
放射
温度計
水分計
レーザ
モニタ
DWDM
モニタ
光パワー
メータ
光通信
距離計測
●
●
InGaAsリニアイメージセンサ
タイプ
型名
ページ
G92XXシリーズ
標準タイプ
放射温度計
マルチチャンネル
分光測光
非破壊検査
●
●
●
G9494シリーズ
G10768シリーズ
裏面入射タイプ
●
12
G11135シリーズ
●
●
●
●
●
●
●
●
∼1.85 µm G9205シリーズ
●
●
●
∼2.05 µm G9206-256W
●
●
●
●
●
●
∼2.25 µm G9207-256W
●
●
●
∼2.55 µm G9208シリーズ
●
●
●
13
DWDM
モニタ
OCT
光スペクトラム
アナライザ
●
●
G11620シリーズ
長波長タイプ ∼2.15 µm G9206-02/-512W
異物選別
●
●
●
InGaAsエリアイメージセンサ
タイプ
標準タイプ
ハイパースペクトラル
イメージング
熱画像モニタ
レーザービーム
プロファイラ
近赤外画像検出
異物選別
G11097-0606S
●
●
●
●
●
G11097-0707S
●
●
●
●
●
型名
G12460-0606S
ページ
●
●
●
●
●
G12242-0707W
13
●
●
●
●
●
G12242-0909W
●
●
●
●
●
InGaAsフォトダイオード
6
InGaAsフォトダイオードの応用例
IHクッキングヒータ
光パワーメータ
光ファイバ
InGaAs PIN
フォトダイオード
InGaAs PINフォトダイオード
KIRDC0095JA
InGaAs PIN フォトダイオードが鍋底の温度を検知します。
ミニ分光器
KIRDC0100JA
光ファイバなどにおける近赤外域の光量を検出するために InGaAs
PIN フォトダイオードが使用されています。
距離計測
InGaAs APD
フォーカスレンズ
InGaAsリニア
イメージセンサ
透過グレーティング
コリメートレンズ
入射スリット
KACCC0097JB
KIRDC0098JA
当社製のミニ分光器に InGaAs リニアイメージセンサが内蔵されて
います。
対象物までの距離を高速・高精度に検出するために InGaAs APD
が用いられています。
穀物選別
ハイパースペクトラルイメージング
CCD
InGaAsリニア
イメージセンサ
InGaAsエリア
イメージセンサ
光源
ハイパースペクトル画像
光源
噴射ノズル
不良品
農作物・森林・鉱床など
良品
KIRDC0099JA
穀物の良品・不良品の選別をするために光源からの光を穀物に当て
て透過光を検出します。(InGaAs リニアイメージセンサ : 近赤外用、
CCD: 可視域用 )
7
InGaAsフォトダイオード
KIRDC0124JA
上空から InGaAs エリアイメージセンサ内蔵のカメラで撮影するこ
とによって、地表のハイパースペクトル画像が得られます。
InGa As PINフォトダイオード、InGa As APD
短波長高感度タイプ
感度波長範囲
InGaAs PINフォトダイオード
0.5 µm
1.0 µm
1.5 µm
2.0 µm
2.5 µm
G10899シリーズは、短波長側の感度波長範囲を広げたタイプのInGaAs PINフォトダイオードです。標準タイプの感度波
長範囲 0.9 ∼1.7 µmに対し、G10899シリーズは0.5 ∼1.7 µmとなっているため、
1つの検出器で広い波長範囲の検出
を行うことが可能です。
特長
■
用途
広い感度波長範囲 低ノイズ、低暗電流 大受光面サイズを用意
■
型名
冷却
G10899-003K
G10899-005K
G10899-01K
非冷却
■
受光面
サイズ
(mm)
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
G10899-02K
ϕ2
G10899-03K
ϕ3
■
受光感度
感度波長範囲 最大感度波長
S
λ
λp
λ=0.65 µm λ=λp
(µm)
(µm)
(A/W) (A/W)
0.5∼1.7
1.55
0.15
0.85
分光測光 ■ 放射温度計
暗電流
ID
VR=1 V
(nA)
0.3
0.5
1
遮断周波数
fc
パッケージ
VR=1 V
(MHz)
300
150
TO-18
45
5
10
15
5
標準タイプ
(Typ. Ta=25 °C)
写真
オプション
(別売)
C4159-03
TO-5
感度波長範囲
InGaAs PINフォトダイオード
0.5 µm
1.0 µm
1.5 µm
2.0 µm
2.5 µm
InGaAs PINフォトダイオードは、並列抵抗が大きくノイズが低いという特長をもっています。高信頼性メタルタイプから
表面実装型までさまざまなパッケージをそろえています。
特長
■
用途
低ノイズ、低暗電流 ■ さまざまな受光面サイズを用意
■
レーザモニタ ■ 光計測機器 ■ 光通信
メタルパッケージ
型名
冷却
(測定条件)
受光面
サイズ
(mm)
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
G12180-003A
G12180-005A
G12180-010A
G12180-020A
G12180-030A
G12180-050A
(Typ.)
非冷却
(Ta=25 °C)
ϕ5
感度波長範囲 最大感度波長
λ
λp
(µm)
(µm)
0.9∼1.7
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
1.1
暗電流
ID
VR=1 V
(nA)
0.1*1
0.15*1
0.8*1
1.5
2.5
(MHz)
600 (VR=5 V)
200 (VR=5 V)
60 (VR=5 V)
13 (VR=1 V)
7 (VR=1 V)
5
3 (VR=1 V)
TO-8
1
35 (VR=1 V)
TO-18
遮断周波数
fc
パッケージ
TO-5
ϕ1
G8370-82*3
ϕ2
5
4 (VR=1 V)
G8370-83*3
ϕ3
15
2 (VR=1 V)
25*4
0.6 (VR=0 V)
0.07
0.3
1
2.5
0.03
0.15
0.5
1.2
40 (VR=1 V)
13 (VR=1 V)
7 (VR=1 V)
3 (VR=1 V)
TO-8
40 (VR=1 V)
13 (VR=1 V)
7 (VR=1 V)
3 (VR=1 V)
CD レンズ付
2000
TO-18
(VR=5 V)
ϕ5
G8370-85*3
G12180-110A
G12180-120A
G12180-130A
G12180-150A
G12180-210A
G12180-220A
G12180-230A
G12180-250A
G6854-01
1段電子冷却
(Td*2=-10 °C)
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
非冷却
(Ta=25 °C)
ϕ1
ϕ2
ϕ3
ϕ5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
ϕ5
ϕ0.08
0.9∼1.67
0.95
0.9∼1.65
0.9∼1.7
0.08*1
オプション
(別売)
TO-18
G8370-81*3
1.55
写真
C4159-03
TO-5
TO-8
C4159-03
A3179
C1103-04
C4159-03
A3179-01
C1103-04
-
*1: VR=5 V *2: 素子温度 *3: 低PDL (Polarization Dependence Loss)タイプ *4: VR=0.1 V
InGaAsフォトダイオード
8
セラミックパッケージ
型名
(Typ. Ta=25 °C)
受光面
サイズ
感度波長範囲
λ
最大感度波長
λp
(mm)
(µm)
(µm)
G8370-10
ϕ10
G11193-02R
ϕ0.2
G11193-03R
ϕ0.3
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
暗電流
ID
VR=5 V
(nA)
遮断周波数
fc
VR=5 V
(MHz)
パッケージ
0.95
200
(V R =10 mV)
0.1
(V R =0 V)
-
0.04
1000
0.1
500
1
35
0.5
200
0.3
400
暗電流
ID
VR=5 V
(nA)
遮断周波数
fc
VR=5 V
(MHz)
パッケージ
表面実装型
(超小型)
0.9∼1.7
1
写真
表面実装型
1.55
G8941-01
ϕ1
G8941-02
ϕ0.5
G8941-03
ϕ0.3
0.9∼1.7
0.95
表面実装型
COBパッケージ
型名
G11777-003P
(Typ. Ta=25 °C)
受光面
サイズ
感度波長範囲
λ
最大感度波長
λp
(mm)
(µm)
(µm)
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
ϕ0.3
0.9∼1.7
1.55
0.95
0.1
500
受光感度
S
λ=1.55 µm
(A/W)
暗電流
ID
1素子当たり
(nA)
遮断周波数
fc
VR=1 V
(MHz)
30
フォトダイオードアレイ
型名
(Typ. Ta=25 °C)
受光面
サイズ
感度波長範囲
λ
最大感度波長
λp
(mm)
(µm)
(µm)
G6849
ϕ2
(4分割)
0.5
(V R =1 V)
G6849-01
ϕ1
(4分割)
0.15
(V R =1 V)
120
G7150-16
0.45 × 1.0
(× 16素子)
5
(V R =1 V)
30
G7151-16
0.08 × 0.2
(× 16素子)
0.2
(V R =1 V)
300
G8909-01
ϕ0.08
(× 40素子)
0.02
(V R =5 V)
1000
(V R =5 V)
G12430-016D
0.45 × 1.0
(× 16素子)
0.5
(VR=1 V)
30
G12430-032D
0.2 × 1.0
(× 32素子)
0.25
(VR=1 V)
60
G12430-046D
0.2 × 1.0
(× 46素子)
0.25
(VR=1 V)
60
パッケージ
TO-5
0.9∼1.7
1.55
0.95
セラミック
9
InGaAsフォトダイオード
写真
写真
InGaAs PINフォトダイオード、
InGaAs APD
ROSA
(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C, Vcc=3.3 V)
型名
G12072-54
波長帯
受光感度
S
伝送帯域
最小受信感度
Pmin
最大受信感度
Pmax
(µm)
(A/W)
(Gbps)
(dBm)
(dBm)
1.31
0.8
8.5∼11.3
-19.5
+5
ピグテイル/レセプタクル型 (プリアンプ付 InGaAs PINフォトダイオード)
型名
受光感度
S
遮断周波数
fc
最小受信感度
Pmin
最大受信感度
Pmax
(V/mW)
(GHz)
(dBm)
(dBm)
トランス
インピーダンス
Tz
(kΩ)
光反射減衰量
ORL
min.
(dB)
2.25
(シングルエンド)
12
写真
(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C, Vcc=3.3 V)
光反射減衰量
ORL
min.
(dB)
トランス
インピーダンス
Tz
(kΩ)
パッケージ
写真
FC基板
レセプタクル
G9821-22
12
FCパネル
レセプタクル
G9821-32
1.5
2.1
-25.5
1.8
(シングルエンド)
+1 min.
SC同軸
ピグテイル
G9822-11
27
FC同軸
ピグテイル
G9822-12
ピグテイル/レセプタクル型 (InGaAs PINフォトダイオード)
型名
感度波長範囲
λ
最大感度波長
λp
(µm)
(µm)
受光感度
S
λ=1.55 µm
(A/W)
(指定のない場合はTyp. Ta=25 °C)
暗電流
ID
VR=5 V
(pA)
遮断周波数
fc
VR=5 V
(GHz)
パッケージ
G8195-11
SC同軸
ピグテイル
G8195-12
FC同軸
ピグテイル
0.9 ∼ 1.7
1.55
0.95
20
写真
2
G9801-22
FC基板
レセプタクル
G9801-32
FCパネル
レセプタクル
長波長タイプ
感度波長範囲
InGaAs PINフォトダイオード
0.5 µm
1.0 µm
1.5 µm
2.0 µm
2.5 µm
長波長側の感度波長範囲を最大2.6 µmまで広げたInGaAs PINフォトダイオードです。最大感度波長 1.75 µm、
1.95
µm、
2.3 µmの3タイプを用意しています。なお、
低ノイズの電子冷却型も用意しています。
最大感度波長 1.75 µm
型名
G12181-003K
G12181-005K
G12181-010K
G12181-020K
G12181-030K
G12181-103K
G12181-105K
G12181-110K
G12181-120K
G12181-130K
G12181-203K
G12181-205K
G12181-210K
G12181-220K
G12181-230K
冷却
(測定条件)
非冷却
(Ta=25 °C)
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
(Typ.)
受光面
サイズ
(mm)
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
感度波長範囲 最大感度波長
λ
λp
(µm)
(µm)
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
0.9∼1.9
0.9∼1.87
0.9∼1.85
1.75
1.1
遮断周波数
暗電流
fc
ID
VR=0.5 V VR=0 V
(nA)
(MHz)
1
90
3
35
10
10
50
2.5
100
1.5
0.1
140
0.3
50
1
16
5
3.5
10
1.8
0.05
150
0.15
53
0.5
17
2.5
3.7
5
1.9
パッケージ
写真
オプション
(別売)
TO-18
C4159-03
TO-5
TO-8
C4159-03
A3179
C1103-04
TO-8
C4159-03
A3179-01
C1103-04
InGaAsフォトダイオード 10
最大感度波長 1.95 µm
冷却
(測定条件)
型名
G12182-003K
G12182-005K
G12182-010K
G12182-020K
G12182-030K
G12182-103K
G12182-105K
G12182-110K
G12182-120K
G12182-130K
G12182-203K
G12182-205K
G12182-210K
G12182-220K
G12182-230K
非冷却
(Ta=25 °C)
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
(Typ.)
受光面
サイズ
(mm)
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
感度波長範囲 最大感度波長
λ
λp
(µm)
(µm)
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
0.9∼2.1
0.9∼2.07
1.95
1.2
0.9∼2.05
遮断周波数
暗電流
fc
ID
VR=0.5 V VR=0 V
(nA)
(MHz)
10
90
20
35
100
10
500
2.5
1000
1.5
1
140
3
50
10
16
50
3.5
100
1.8
0.5
150
1.5
53
5
17
25
3.7
50
1.9
パッケージ
オプション
(別売)
写真
TO-18
C4159-03
TO-5
TO-8
C4159-03
A3179
C1103-04
TO-8
C4159-03
A3179-01
C1103-04
最大感度波長 2.3 µm
冷却
(測定条件)
型名
G12183-003K
G12183-005K
G12183-010K
G12183-020K
G12183-030K
G12183-103K
G12183-105K
G12183-110K
G12183-120K
G12183-130K
G12183-203K
G12183-205K
G12183-210K
G12183-220K
G12183-230K
非冷却
(Ta=25 °C)
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
(Typ.)
受光面
サイズ
(mm)
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
ϕ0.3
ϕ0.5
ϕ1
ϕ2
ϕ3
感度波長範囲 最大感度波長
λ
λp
(µm)
(µm)
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
0.9∼2.6
0.9∼2.57
2.3
1.3
0.9∼2.55
遮断周波数
暗電流
fc
ID
VR=0.5 V VR=0 V
(µA)
(MHz)
0.4
50
1
20
3
6
10
1.5
30
0.8
0.12
70
0.3
25
0.9
7
3
2
9
0.9
0.085
75
0.21
28
0.65
8
2.1
2.3
6
1
パッケージ
オプション
(別売)
写真
TO-18
C4159-03
TO-5
TO-8
C4159-03
A3179
C1103-04
TO-8
C4159-03
A3179-01
C1103-04
感度波長範囲
InGaAs APD
0.5 µm
1.0 µm
1.5 µm
2.0 µm
2.5 µm
InGaAs APDは、距離計測・空間光伝送・微弱光検出などに用いられます。G8931-20は、大受光面サイズ ϕ0.2 mmを
実現しています。
型名
G8931-04
G8931-20
11
InGaAsフォトダイオード
冷却
非冷却
(Typ. Ta=25 °C)
受光面
サイズ
感度波長範囲
λ
最大感度波長
λp
(mm)
(µm)
(µm)
ϕ0.04
ϕ0.2
0.95∼1.7
1.55
受光感度
S
λ=1.55 µm
M=1
(A/W)
0.9
暗電流
ID
VR=VBR × 0.9
遮断周波数
fc
M=10
(nA)
(GHz)
40
4
150
0.9
パッケージ
TO-18
写真
InGa Asイメージセンサ
InGaAsリニアイメージセンサ
InGaAsリニアイメージセンサは、近赤外域で高感度のInGaAsフォトダイオードアレイ、チャージアンプ、オフセット補償回路、
シフトレジスタ、タイミング発生回路で構成されています。各画素からの信号は、電荷蓄積モードで読み出されます。なお、
G11135/G11620シリーズは、
裏面入射構造を採用することによってシングルビデオラインを実現しています。
感度波長範囲
0.5 µm
標準タイプ
型名
G9202-512S
G9203-256D
G9203-256S
1.5 µm
2.0 µm
2.5 µm
(指定のない場合はTyp.)
冷却
(測定条件)
画素
ピッチ
画素数
(µm)
G9201-256S
1.0 µm
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
50
256
25
512
50
256
受光面
サイズ
感度波長範囲
λ
(mm × mm)
(µm)
12.8 × 0.25
0.9∼1.67
非冷却
(Ta=25 °C)
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
暗電流
ID
Ta=25 °C
(pA)
不良画素
の割合
max.
(%)
写真
2
専用駆動回路
(別売)
C8061-01
1
0.9∼1.7
4
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
0.9∼1.67
C8061-01
0
0.95
12.8 × 0.5
G9204-512D
非冷却
(Ta=25 °C)
G9204-512S
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
G9211-256S
G9212-512S
G9213-256S
G9214-512S
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
G9494-256D
1
512
0.9∼1.67
50
25
50
25
256
512
256
512
50
256
G10768-1024D
非冷却
G10768-1024DB (Ta=25 °C)
25
512
25
1024
C8061-01
2
1
4
1
12.8 × 0.25
0.9∼1.67
0.95
0.9∼1.7
0.95
12.8 × 0.5
12.8 × 0.05
非冷却
(Ta=25 °C)
G9494-512D
-
0.9∼1.7
25
25.6 × 0.025
C8061-01
1
C10820
1
C10854
4
12.8 × 0.025
25.6 × 0.1
1
1
0.9∼1.7
0.95
±1
裏面入射タイプ
感度波長範囲
裏面入射タイプInGaAs フォトダイオードとCMOS-ROIC をバンプ接続しており、
0.5 µm
1 つの出力端子となっています。
型名
G11135-256DD
G11135-512DE
G11620-256DA
G11620-512DA
冷却
画素数
非冷却
(µm)
50
25
50
25
256
512
256
512
50
128
G11620-256DF
G11620-256SA
G11620-512SA
25
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
1.5 µm
2.0 µm
2.5 µm
(指定のない場合はTyp.)
画素
ピッチ
G11620-128DA
1.0 µm
256
50
256
25
512
受光面
サイズ
感度波長範囲
λ
(mm × mm)
12.8 × 0.05
12.8 × 0.025
(µm)
12.8 × 0.5
暗電流
ID
Ta=25 °C
(pA)
不良画素
の割合
max.
(% )
± 0.2
写真
専用駆動回路
(別売)
C11514
0.95∼1.7
0.82
6.4 × 0.5
12.8 × 0.5
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
1
C11513
± 0.5
0.95∼1.67
-
InGaAsフォトダイオード 12
感度波長範囲
0.5 µm
長波長タイプ
G9205-256W
G9205-512W
G9206-256W
G9206-02
G9206-512W
G9207-256W
G9208-256W
G9208-512W
1.5 µm
2.0 µm
2.5 µm
(指定のない場合はTyp.)
冷却
(測定条件)
型名
1.0 µm
2段電子冷却
(Td=-20 °C)
画素
ピッチ
画素数
(µm)
50
25
256
512
50
256
25
512
50
256
25
512
(µm)
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
暗電流
ID
Td=-20 °C
(pA)
0.9 ∼ 1.85
1.1
15
1.2
30
1.2
1.3
1.3
200
500
500
受光面
サイズ
感度波長範囲
λ
(mm × mm)
12.8 × 0.25
0.9 ∼ 2.05
0.9 ∼ 2.15
0.9 ∼ 2.15
0.9 ∼ 2.25
0.9 ∼ 2.55
0.9 ∼ 2.55
不良画素
の割合
max.
(% )
5
4
5
5
4
5
5
4
写真
専用駆動回路
(別売)
C8062-01
感度波長範囲
InGaAsエリアイメージセンサ
0.5 μm
1.0 μm
1.5 μm
2.0 μm
2.5 μm
CMOS読み出し回路 (ROIC: readout integrated circuit)と裏面入射型InGaAsフォトダイオードのハイブリッド構造を
採用したイメージセンサです。
(指定のない場合はTyp.)
型名
冷却
(測定条件)
画素
ピッチ
画素数
(µm)
64 × 64
G11097-0606S
受光面
サイズ
感度波長範囲
λ
(mm × mm)
(µm)
G11097-0707S
(pA)
写真
専用駆動回路
(別売)
C11512
0.95∼1.7
50
暗電流
ID
不良画素
の割合
max.
(% )
3.2 × 3.2
1段電子冷却
(Td=25 °C)
128 × 128
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
0.8
2
(Td=25 °C)
6.4 × 6.4
C11512-01
1
G12460-0606S
1段電子冷却
(Td=0 °C)
G12242-0707W
2段電子冷却
(Td=15 °C)
G12242-0909W
13
InGaAsフォトダイオード
64 × 64
3.2 × 3.2
128 × 128
2.56 × 2.56
20
640 × 512 12.8 × 10.24
1.12∼1.9
1.1
8
(Td=0 °C)
0.95∼1.7
0.8
0.5
(Td=15 °C)
C11512
C11512-02
0.37
C12376
関連 製品
複合素子
透過型SiフォトダイオードとInGaAs PINフォトダイオードを同一光軸にて上下に配置した光検出器です。SiとInGaAs (標
準タイプまたは長波長タイプ)の波長域を合わせた感度波長範囲を実現しています。電子冷却型は、素子を冷却して温度を
一定に保つことにより、InGaAsのS/Nが向上し高精度の測定が可能です。また、標準タイプと長波長タイプのInGaAsフォト
ダイオードを用いた複合素子にも対応します。
特長
■
■
■
用途
広い感度波長範囲 複数の波長の光を同一光路で検出が可能
高S/N (1段電子冷却型)
型名
冷却
(測定条件)
K1713-05
K1713-08
K1713-09
非冷却
(Ta=25 °C)
K11908-010K
K3413-05
K3413-08
1段電子冷却
(Td=-10 °C)
K3413-09
K12728-010K
K12729-010K
非冷却
(Ta=25 °C)
検出素子
受光面
サイズ
Si
InGaAs
Si
InGaAs
Si
InGaAs
InGaAs
InGaAs
Si
InGaAs
Si
InGaAs
Si
InGaAs
Si
InGaAs
InGaAs
InGaAs
(mm)
2.4 × 2.4
ϕ0.5
2.4 × 2.4
ϕ1
2.4 × 2.4
ϕ1
2.4 × 2.4
ϕ1
2.4 × 2.4
ϕ0.5
2.4 × 2.4
ϕ1
2.4 × 2.4
ϕ1
2.4 × 2.4
ϕ1
2.4 × 2.4
ϕ1
■
■
分光測光 ■ 放射温度計
フレームモニタ ■ レーザーモニタ
(Typ.)
感度波長範囲 最大感度波長
λ
λp
(µm)
0.32∼1.7
0.32∼2.6
0.32∼1.7
0.9∼2.55
0.32∼1.67
0.32∼2.57
0.32∼1.67
0.32∼1.65
0.9∼2.55
(µm)
0.94
1.55
0.94
2.3
0.94
1.55
1.55
2.1
0.94
1.55
0.94
2.3
0.94
1.55
0.96
1.55
1.55
2.1
受光感度
S
λ=λp
(A/W)
0.45
0.55
0.45
0.60
0.45
0.55
0.95
1.0
0.45
0.55
0.45
0.60
0.45
0.55
0.45
0.55
0.95
1.0
遮断周波数
fc
VR=0 V
RL=1 kΩ
(MHz)
1.75
200
1.75
6*1
1.75
50
2*1
6*1
1.75
200
1.75
15
1.75
50
2*1
10*1
2*1
6*1
パッケージ
TO-5
写真
オプション
(別売)
C9329
C4159-03
C4159-03
TO-8
C9329
C4159-03
A3179-03
C1103-04
セラミック
-
*1: VR=0 V, RL=50 Ω
InGaAsフォトダイオード 14
プリアンプ付赤外検出モジュール
InGaAs PINフォトダイオードとプリアンプを一体化した赤外線検出器です。低ノイズの電子冷却型、液体窒素冷却型も用
意しています。感度波長範囲、応答特性、ゲインなどを変更した特注品にも対応が可能です。
特長
■
■
■
取り扱いが簡単
直流電源を接続するだけで、入射光量に応じた
電圧出力を得ることができます。
小型
低ノイズ、高感度 (電子冷却型、液体窒素冷却型)
型名
G6121
検出素子
G8370-05
C12485-210
G12182-210K
C12486-210
G12183-210K
C12483-250
G12180-250A
G7754-01
G7754-03
15
用途
InGaAsフォトダイオード
G12183-010 (チップ)
G12183-030 (チップ)
冷却
(測定条件)
非冷却
(Ta=25 °C)
電子冷却
(Td=-15 °C)
液体窒素
(Td=-196 °C)
■
各種赤外線検出
(Typ.)
(µm)
受光感度
S
λ=λp
(V/W)
1.7
1.55
1 × 106
ϕ1
2.05
1.95
1.7 × 108
ϕ1
2.56
2.3
1.5 × 108
ϕ5
1.66
1.55
5 × 107
2.4
2.0
(mm)
カットオフ
波長
λc
(µm)
ϕ5
受光面
サイズ
最大感度波長
λp
ϕ1
ϕ3
2 × 109
5 × 108
写真
オプション
InGaAs フォトダイオードを容易に使用するためのオプションを用意しています。
接続例
*1
電源 (±15 V)
POWER
OUT
*2
電子冷却型
検出素子*3
測定機器
赤外線検出素子用アンプ
C4159-03
電子冷却型用
放熱器
A3179シリーズ
電源
(100 V, 115 V, 230 V)
ûC
温度コントローラ
C1103-04
KIRDC0101JB
ケーブル番号
ケーブル
およその長さ
備考
①
同軸ケーブル(信号用、コネクタなし)
2m
放熱器 A3179シリーズに付属しています。ケーブルはできるだけ短くして使用
してください。
(10 cm程度が望ましい)
②
4芯ケーブル(コネクタ付き)A4372-05
3m
温度コントローラ C1103-04に付属しています。別売もしています。
③
4芯ケーブル(コネクタ付き)A4372-02
2m
赤外線検出素子用アンプ C4159-03、プリアンプ付赤外検出モジュール (常温型) に
付属しています。別売もしています。なお、6芯ケーブル (コネクタ付き) A4372-03
[プリアンプ付赤外検出モジュール (常温型) に付属]の別売もしています。
④
BNCコネクタケーブル E2573
⑤
電源ケーブル(温度コントローラ用)
1m
別売品
1.9 m
温度コントローラ C1103-04に付属しています。
*1: バラ線を3∼4ピンコネクタまたはバナナプラグに付けて電源に接続してください。
*2: はんだ付けが必要です。アンプ C5185シリーズを使用する場合、BNCコネクタが必要です。
(ユーザーにて用意してください。例 : E2573の一端 )
*3: 専用ソケットはありません。はんだ付けが必要です。
赤外線検出素子用アンプ
InGaAs PINフォトダイオード用
C4159-03 は、InGaAs PINフォトダイオード用の低ノイズアンプです。
特長
■
■
付属品
低ノイズ
3レンジのゲイン切り替え
■
■
取扱説明書 電源用ケーブルA4372-02
(アンプ接続用4ピンコネクタ付き、2m、片側: バラ線)
仕様
(Typ.)
項目
条件
適合検出素子*4 *5
変換インピーダンス
周波数特性
出力インピーダンス
最大出力電圧
出力オフセット電圧
等価入力雑音電流
逆電圧
外部電源*6
消費電流
アンプのみ, -3 dB
1 kΩ負荷
f=1 kHz
仕様
単位
InGaAs
-
107, 10 6, 105 (3レンジのゲイン切替)
V/A
DC∼15 kHz
50
+10
±5
2.5
外部から印加可能
±15
±15 max.
Ω
V
mV
pA/Hz1/2
V
mA
写真
注) 使用時に電源が必要です
*4: 本製品は、複数の検出素子を駆動することはできません。
*5: この項目に掲載された製品以外と組み合わせて使用することを希望する場合には、事前に当社へご連絡ください。
*6: 推奨直流電源 ( アナログ電源 ): ±15 V、電流容量 : 最大消費電流の 1.5 倍以上、リップル雑音 : 5 mVp-p 以下
InGaAsフォトダイオード 16
電子冷却型用放熱器
InGaAs PINフォトダイオード、複合素子用
A3179シリーズは、電子冷却型赤外線検出素子用に設計された放熱器です。A3179、
A3179-03は周囲温度 25 °Cに対
してΔT≒35 °C、A3179-01はΔT≒45 °Cの冷却が可能です。
特長
■
■
付属品
A3179: 1段電子冷却型用
A3179-01: 2段電子冷却型用
A3179-03: 複合素子 K3413シリーズ用
小型
■
■
■
取扱説明書 4芯ケーブル (コネクタなし、2 m): 冷却素子、サーミスタ用*1 *2
同軸ケーブル(2m):信号用*1
*1: 温度コントローラ C1103-04と組み合せて使う場合には、A3179シリー
ズ付属の4芯ケーブルは使わないで、4芯ケーブル A4372-05 (別売、コ
ネクタ付き)を使ってください。
*2: 検出素子接続用のソケットは付属していません。はんだ付けにて検出素子
を接続します。検出素子のピンとはんだ付け部を絶縁用ビニールチューブ
で覆ってください。
A3179-01
温度コントローラ
InGaAs PINフォトダイオード用
C1103-04 は、電子冷却型赤外線検出素子用の温度コントローラです。検出素子内部の電子冷却素子の温度設定をするこ
とが可能です。
付属品
■
■
■
取扱説明書 4芯ケーブル A4372-05 (コネクタ付き、2 m): 冷却素子、
サーミスタ用*3
電源ケーブル
仕様
項目
対応製品*4
設定素子温度
温度安定度
制御出力電流
電源
仕様
-30∼+20 °C
±0.1 °C以内
1.1 A min., 1.2 A typ., 1.3 A max.
100 V±10% ・ 50/60 Hz*5
消費電流
30 W
外形寸法
107 (W) × 84 (H) × 190 (D) mm
質量
写真
1段/2段電子冷却型InGaAs PINフォトダイオード
約1.9 kg
*3: 放熱器 A3179シリーズと組み合せて使う場合には、A3179シリーズ付属の4芯ケーブルは使わないで、A4372-05を使ってください。
*4: 電子冷却型プリアンプ付赤外検出モジュールには対応していません。本製品は、複数の電子冷却素子の温度設定をすることはできません。
*5: 外部電源入力は出荷時に100 V、115 Vあるいは230 Vに変更することができます。
17
InGaAsフォトダイオード
オプション
マルチチャンネル検出器ヘッド
InGaAsイメージセンサ用
InGaAsリニアイメージセンサ(1段/2段電子冷却型)用マルチチャンネル検出器ヘッド C8061/C8062-01
C8061/C8062-01 は、近赤外域の分光測光用として開発されたInGaAsリニアイメージセンサ用のマルチチャンネル検出器
ヘッドです。駆動回路を内蔵しており、外部から簡単な信号を入力するだけで動作させることができます。なお、マルチチャンネル
検出器ヘッド用コントローラ C7557-01を組み合わせて、付属のソフトウェアを用いることにより、
PCからマルチチャンネル
検出器ヘッドの制御とデータ収集を行うことができます。
特長
■
■
■
■
用途
InGaAsリニアイメージセンサ用の駆動回路を内蔵
C8061-01: 1段電子冷却型センサ用
C8062-01: 2段電子冷却型センサ用
高感度制御方式を採用
制御温度 C8061-01: Td=-10 ± 0.1 °C固定 (Ta=10∼30 °C)
C8062-01: Td=-20 ± 0.1 °C固定 (Ta=10∼30 °C)
簡単な信号入力で動作
小型
型名
出力
■
■
■
■
近赤外マルチチャンネル分光測光
放射温度計
非破壊検査
光ファイバ透過率測定
写真
適合センサ(別売)
G9201/G9203/G9211/G9213-256S,
G9202/G9204/G9212/G9214-512S
C8061-01
アナログ
G9205/G9206/G9207/G9208-256W, G9206-02
G9205/G9206/G9208-512W
C8062-01
マルチチャンネル検出器ヘッド用コントローラ
型名
インターフェース
C7557-01
写真
適合マルチチャンネル検出器ヘッド (別売)
USB 2.0/3.0
C8061-01, C8062-01
接続図
シャッタ*
タイミングパルス
ACケーブル (100∼240 V, C7557-01に付属)
Trig.
POWER
専用ケーブル
(C7557-01に付属)
SIGNAL I/O
USB
ケーブル
(C7557-01に付属)
TE CONTROL I/O
イメージセンサ
+
マルチチャンネル
検出器ヘッド
C7557-01
PC (USB 2.0/3.0)
[Windows 7 (32-bit, 64-bit),
Windows 8 (64-bit),
Windows 8.1 (64-bit)]
* シャッタなどは用意していません。
KACCC0402JD
InGaAsフォトダイオード 18
InGaAsリニアイメージセンサ G10768シリーズ用マルチチャンネル検出器ヘッド C10854
C10854 は、選別器やSD-OCT (spectral domain optical coherence tomography) など、高速応答が要求される用途に
対応するために開発されたマルチチャンネル検出器ヘッドで、InGaAs リニアイメージセンサ G10768 シリーズと組み合わせ
て使用します。Windows 7 (32-bit, 64-bit) 上で動作する付属のアプリケーションソフトウェア (DCam-CL) を用いることに
よって、PC 上でC10854 を制御することができます。
特長
■
■
■
用途
高速駆動: 5 MHz
ラインレート: 31.25 kHz
CameraLink対応
型名
C10854
■
■
■
インターフェース
出力
CameraLink
デジタル
近赤外マルチチャンネル分光測光 異物選別
光干渉断層計 (OCT:optical coherence tomography)
写真
適合センサ(別売)
G10768-1024D,G10768-1024DB
InGaAsエリアイメージセンサ G11097シリーズ用マルチチャンネル検出器ヘッド C11512シリーズ
C11512 シリーズはInGaAs エリアイメージセンサ G11097 シリーズ用に設計されたマルチチャンネル検出器ヘッドです。さ
まざまな近赤外イメージングを行うことができます。
Windows 7 (32-bit, 64-bit) 上で動作する付属のアプリケーションソフ
トウェア (DCam-CL) を用いることによって、
PC 上でC11512 シリーズを制御することができます。
特長
■
■
■
用途
温度制御回路内蔵 [Td=10 °C typ. (Ta=25 °C)]
CameraLink対応 ■ 小型 ■ 外部トリガ入力
オフセット・ゲイン調整 ■ パルス出力設定
型名
インターフェース
出力
C11512
19
InGaAsフォトダイオード
■
■
サーマルイメージング レーザビームプロファイラ
異物検査
写真
適合センサ(別売)
G11097-0606S
CameraLink
C11512-01
■
デジタル
G11097-0707S
駆動回路
型名
InGaAsイメージセンサ用
特長
写真
適合センサ
G9494-256D
G9494-512D
C10820
微弱光に対応した高ゲイン設定
C11513
USB 2.0インターフェース (USBバスパワー)
C11514
CameraLink対応
G11620-256DA
G11620-512DA
G11620-128DA
G11620-256DF
G11135シリーズ
接続例 (C10820)
I/Oコネクタ: D-sub15ピンタイプ
信号名
ピン番号
NC
1
A.GND
9
CH. 1
VIDEO DATA
2
EXT. TRIG
A.GND
10
A.GND
+15 V
3
+15 V
NC
11
-15 V
-15 V
4
+5 V
D.GND
12
D.GND
+5 V
5
+5 V
D.GND
13
D.GND
START
6
Start
D.GND
14
D.GND
M-CLK
7
TRIGGER
15
同軸ケーブル
オシロスコープ
例: PW18-1T
(株) テクシオ製
パルスジェネレータ
C8225-01
浜松ホトニクス製
CLK
A/D TRIG
D.GND
EOS
8
VIDEO
データ処理ボード/PC
GND
KACCC0499JA
InGaAsフォトダイオード
20
用語説 明
分光感度特性
端子間容量: Ct
入射光量と光電流の関係 (光電感度) は、入射光の波長によっ
て異なります。この波長と光電感度との関係を分光感度特性
といい、受光感度または量子効率で表します。
フォトダイオードは、PN接合により1個のコンデンサが形成さ
れていると考えることができます。この容量を接 合容量とい
い、応答速度を決める大切な値になります。オペアンプを用い
たI/V変換回路では、接合容量はゲインピーキング現象の要因
になる場合があります。当社では、接合容量にパッケージの浮
遊容量を含めた端子間容量として規定しています。
受光感度: S
光電流をアンペア (A)[または出力電圧をボルト (V)]、入射
光量をワット (W) で表したときの両者の比率。受光感度は、
絶対感度 (単位: A/WまたはV/W)で示す場合と最大感度波
長での感度を100として正規化した相対感度 (単位: %)で示
す場合があります。当社は、最大感度に対し通常5%あるいは
10%以上の感度をもつ波長の範囲を感度波長範囲と規定し
ています。
上昇時間: tr
上昇時間は、ステップ関数の光入力に対する立ち上がりの時
間で規定し、出力が最高値 (定常値)の10%から90%になる
までの時間。
遮断周波数: fc
量子効率: QE
光電流として取り出される電子あるいは正孔の数を入射フォ
トン数で割った値。通常、パーセントで表されます。量子 効率
QEと受光感度 S (単位: A/W)は、ある波長 λ (単位: nm)にお
いて以下の関係にあります。
QE=
S × 1240
× 100 [%]
λ
短絡電流: Isc
負荷抵抗が0のときフォトダイオードを流れる出力電流。分光
感度に対して白色光感度と呼ばれ、光源に分布温度 (色温度)
2856 Kの標準タングステンランプを使用します。当社では、
照度 100 lxのときの短絡電流をカタログの特性表に示して
います。
最大感度波長: λp
高速応答のPINフォトダイオードの応答速度は、遮断周波数で
表します。レーザダイオード (1.3 µm または1.55 µm)からの
正弦波入力に対する出力が周波数100 kHzの出力より3 dB
減衰する周波数として、本カタログでは遮断周波数を規定して
います。
なお、負荷抵抗は50 Ωです。遮断周波数 (fc)と上昇時間 (tr)
の関係は、おおよそ以下の式で表されます。
tr [s]=
0.35
fc [Hz]
NEP (noise equivalent power: 雑音等価電力)
雑音量に等しい入射光量、つまり信号対雑音比 (S/N)が1とな
る入射光量を示します。当社は最大感度波長 (λp)での値を規
定しています。雑音量は、周波数帯域幅の平方根に比例するた
め、バンド幅を1 Hz で正規化します。
雑音電流 [A/Hz1/2]
受光感度 [A/W] at λp
受光感度が最大となる波長。
NEP [W/Hz1/2]=
カットオフ波長: λc
最大逆電圧: VR max
分光感度特性の長波長側の限界を示す値。データシートでは、
最大感度の10%になる波長を掲載しています。
フォトダイオードに逆 電 圧を印加していくと、ある電 圧 でブ
レークダウンを起こし、素子の特性が著しく劣化します。その
ため、この電圧値より少し低めのところに絶対最大定格を定
めています。
定格値以上の電圧は印加しないでください。
暗電流: ID
フォトダイオードに暗中で逆電圧を印加すると、わずかな電流
が流れます。これを暗電流といいます。逆電圧を印加して使う
場合 (PINフォトダイオードなど)では、暗電流に起因するノイ
ズが支配的となります。
参考 (光や光半導体素子に関する物理定数)
定数
並列抵抗: Rsh
フォトダイオードにおける0 V付近での電圧−電流比。当社カ
タログでは次の式で並列抵抗を規定しています。このときの
暗電流 (ID)は、逆電圧が10 mVのときの値です。
Rsh [Ω]=
0.01 [V]
ID [A]
フォトダイオードに逆電圧を印加しない用途では、並列抵抗で
発生するノイズが支配的となります。
21
InGaAsフォトダイオード
記号
定数値
eまたはq
1.602 × 10 -19
c
真空中の光速
c
2.998 × 10 8
m/s
プランク定数
h
6.626 × 10 -34
J・s
ボルツマン定数
k
1.381 × 10 -23
J/K
室温の熱エネルギー
kT
0.0259
(T=300 K)
eV
1 eVのエネルギー
eV
1.602 × 10 -19
J
-
1240
nm
真空の誘電率
εo
8.854 × 10 -12
F/m
Siのバンドギャップエネルギー
Eg
約1.12 (Td=25 °C)
eV
電子の電荷
1 eVに対応する真空中の波長
単位
浜松ホトニクス製品に関する注意事項とお願い
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ことを意図しており、個別製品資料に記載されている場合を除き、極めて高い信頼性や安全性を
要求する特殊用途 (原子力制御機器、航空宇宙機器、人命に直接影響を与える医療機器や輸送機
器および防災・安全装置など)には使用しないでください。
絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して製品を使用してください。
弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものではありません。弊
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危害または重大な財産的損害の発生の恐れのある機器で使用する場合には、発生し得る不具合を
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弊社製品資料に記載された応用例は、製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定
の使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の
実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財
産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負いません。
製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。弊社製品資料は正確を期する
ため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。製品を使
用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。
弊社製品資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。
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営業品目
光半導体製品ラインアップ
受 光 素 子
光半導体製品
Siフォトダイオード
APD
● MPPC
● フォトIC
● イメージセンサ
● PSD
(位置検出素子)
● 赤外線検出素子
● LED
● 光通信用デバイス
● 車載用デバイス
● X線フラットパネルセンサ
● ミニ分光器
● 光半導体モジュール
●
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Siフォトダイオード、
APD、MPPC
フォトIC
イメージセンサ
PSD(位置検出素子)
赤外線検出素子
X線フラットパネルセンサ
電子管製品
光電子増倍管
光電子増倍管モジュール
● マイクロチャンネルプレート
● イメージインテンシファイア
● キセノンランプ・水銀キセノンランプ
● 重水素ランプ
● 光源応用製品
● レーザ応用製品
● マイクロフォーカスX線源
● X線イメージングデバイス
●
●
LED
光通信用デバイス
車載用デバイス
ミニ分光器
システム応 用 製 品
カメラ・画像計測装置
X線関連製品
● ライフサイエンス分野製品
● 医療分野製品
● 半導体故障解析装置
● FPD/LEDの特性評価装置
● 分光計測・光計測装置
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レー ザ製品
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半導体レーザ及び応用製品
固体レーザ
光半導体モジュール
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本資料の記載内容は、平成27年6月現在のものです。
製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。
Cat. No. KIRD0005J02 Jun. 2015 (1,200)
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