NJM2670 デュアルＨブリッジドライバ ■ 外形 ■概要 ＮＪＭ２６７０は汎用Ｈブリッジドライバで、耐圧は６０ Ｖです。 基本回路として 2 つの高出力 H ブリッヂ、サーマ ルシャットダウン回路で構成されています。信号入力部は TTL 互換ロジック方式のマイコン等の外部の制御系との組み 合わせによって、バイポーラ制御方式のステッピングモー タ、または２個の単相 DC モータをドライブできます。 NJM2670D2 NJM2670E3 ■特徴 ● 広範囲電源電圧 ４∼６０V ● 広範囲出力電流範囲 ５∼１５００ｍＡ ● サーマルシャットダウン回路内蔵（アラーム出力付） ● H ブリッジ貫通電流防止用デッドバンド ● パッケージ DIP22、EMP24(Batwing) ■端子配列 SENSE A VS A INA1 VCC ENABLE A INA2 OUTA2 OUTA1 GND GND GND GND INB1 INB2 TSD_ARM ENABLE B NC NC OUTB1 OUTB2 SENSE B VS B VS A SENSE A INA1 VCC ENABLE A INA2 NC NC OUTA2 OUTA1 GND GND GND GND INB1 INB2 TSD_ARM ENABLE B NC NC OUTB1 OUTB2 VS B SENSE B DIP-22 EMP-24 -1Ver2.0 NJM2670 ■ブロック図 VS A INA1 INA2 OUTA1 OUTA2 SENSE A ENABLE A VCC Thermal Shut Down TSD_ARM VS B INB1 INB2 OUTB1 OUTB2 SENSE B ENABLE B -2- GND NJM2670 ■絶対最大定格 (Ta=25°C ) 項目 モータ電源電圧 ロジック部電源電圧 ロジック部入力電圧 出力電流 消費電力＠T(GND)=+25℃,DIP and EMP package 消費電力＠T(GND)=+125℃,DIP package 消費電力＠T(GND)=+125℃,EMP package 動作温度 保存温度 記号 VMM VCC VIN IOUT PD25 PD125 PD125 Topr Tstg 定格値 60 7 -0.3 ∼ 7 1.5 5 2.2 2 -40 ∼ 85 -55 ∼ 150 単位 V V V A W W W °C °C ■推奨動作条件 項目 記号 モータ電源電圧 ロジック部電源電圧 出力電流 動作温度(接合部) 条件 最小 標準 最大 単位 VMM 4 55 V VCC IOUT Tj 4.75 − -20 − 5.00 − − 5.25 1.3 +125 V A °C 最小 標準 最大 単位 − − − − 11 40 13 42 − − − − ℃／W ℃／W ℃／W ℃／W ■熱特性 項目 熱抵抗 記号 Rthj-GND Rthj-A Rthj-GND Rthj-A 条件 DIP22 パッケージ DIP22 パッケージ ※ EMP24 パッケージ EMP24 パッケージ ※ ※ すべての GND ピンは、20cm２の PCB 銅配線領域に半田付けされていて自然対流状態です。 -3- NJM2670 ■電気的特性 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 - 40 - mA - 170 0.5 1 50 0.7 - ℃ uA V us - 2 -0.4 - 0.6 20 - V V uA mA - 1.3 1.5 0.5 0.8 1.3 1.6 1.3 1.6 − 250 250 1.5 1.8 0.8 1.3 1.6 1.9 1.6 1.9 V V V V V V V V mA ns ns 全体 Icc 消費電流 Enable=H,IN1=IN3=L,IN 2=IN4=H Ttsd Itsd- LEAK Vtsd td サーマルシャットダウン温度 サーマルアラームリーク電流 サーマルアラーム出力飽和電圧 デッドタイム ロジック部 L レベル入力電圧 H レベル入力電圧 H レベル入力電流 L レベル入力電流 出力部 上側トランジスタ飽和電圧 TSD ARM=5V Io=5mA ViL ViH IiH IiL Vi=2.4V Vi=0.4V VOU1 Io=1000mA Io=1300mA Io=1000mA Io=1300mA Io=1000mA Io=1300mA Io=1000mA Io=1300mA VMM=50V VOU2 VOL1 VOL2 VfU1 VfU2 VfL1 VfL2 Io-LEAK TrrU TrrL 下側トランジスタ飽和電圧 上側ダイオード順方向電圧 降下 下側ダイオード順方向電圧 降下 出力リーク電流 上側ダイオード逆回復時間 下側ダイオード逆回復時間 1 - ■真理値表 INPUT (L=Low,H=High,X=Don't care) ENABLE A=H ENABLE B=H ENABLE A=L ENABLE B=L -4- INA1 INB1 L L H H INA2 INB2 L H L H X X OUTPUT (H=Source,L=Sink) OUTA2 OUTA1 OUTB1 OUTB2 L L L H H L H H All Transistor turned OFF OUTPUT mode short break mode CW CCW short break mode NJM2670 ■応用例 ① バイポーラ方式ステッピングモータ（定電圧駆動）の場合 VMM（4∼55V） VS A INA1 INA2 OUTA1 Motor OUTA2 SENSE A ENABLE A ＣＰＵ マイコン等 VCC VS B TSD VCC TSD ARM INB1 INB2 OUTB1 OUTB2 SENSE B GND ENABLE B (VMMGND) ② 単相 DC モータの場合 VMM（4∼55V） VS A INA1 INA2 OUTA1 Motor OUTA2 SENSE A ENABLE A ＣＰＵ マイコン等 VCC VS B VCC TSD TSD ARM INB1 INB2 OUTB1 Motor OUTB2 SENSE B GND ENABLE B (VMMGND) -5- NJM2670 ③ 電流制御方式アプリケーション例（バイポーラ方式ステッピングモータの場合） VS A VMM (4 ∼ 55V) INA1 INA2 OUTA1 Motor OUTA2 SENSE A CPU or Microprocessor ENABLE A VCC VS B VCC TSD ARM TSD INB1 INB2 OUTB1 OUTB2 SENSE B GND ENABLE B Current Control ■タイミングチャート INA1(B1) INA2(B2) ENABLE A(B) OUTA1(B1) OUTA2(B2) tpd1 tpd1 tpd2 tpd1:IN_HL propagation delay tpd2:IN_LH propagation delay td :Output dead band protection delay te1 :ENABLE_HL propagation delay te2 :ENABLE_LH propagation delay th :Output High impedance section -6- td td te1 tpd2 tpd1 tpd2 td te1 te2 te2 th Reference value 1.0 2.5 1.5 3.5 2.0 unit us us us us us NJM2670 ■特性例１ NJM2670 VIN(INA1)-hysteresis vs. Temperature （DIP-22,Lot-No.U2001T） IC C vs. V CC 20 0 1 Ta =25 de gC Io =5 00 mA VS=48V EN 1=E N2 =H VS=48V RL=∞ EN1=EN2=H INA2=L INB1=INB2=L 0.8 VIN(INA1)-hysteresis [V] ICC [mA] 15 0 10 0 0.6 0.4 50 0.2 0 0 0 1 2 3 4 5 6 -50 7 0 VC C [V] NJM2670 VIN(INA1) vs. Temperature （DIP-22,Lot-No.U2001T） 2.2 150 VS=48V RL=∞ EN1=EN2=H INA2=L INB1=INB2=L 0.6 INA1=L→H VIN(INA1)-IB [V] 2 VIN(INA1) [V] 100 NJM2670 VIN(INA1)-IB vs. Temperature （DIP-22,Lot-No.U2001T） 0.8 VS=48V RL=∞ EN1=EN2=H INA2=L INB1=INB2=L 2.4 50 Temperature [degC] 1.8 1.6 0.4 INA1=0.4V 0.2 INA1=2.4V 1.4 INA1=H→L 0 1.2 1 -0.2 -50 0 50 100 -50 150 N JM 2670 Vsat(D) vs. Io N JM 2670 Vsat(U ) vs. Io 100 150 (Lot-N o.U 2009T ,D IP 16) 2 VC C=5V VS =48V Ta=25degC O U T A1 O U T A2 O U T B1 O U T B2 2 .5 50 Temperature [degC] (L ot-N o.U 2009T,D IP 16) 3 0 Temperature [degC] V C C =5V V S =4 8V T a=25de gC O U T A1 O U T A2 O U T B1 O U T B2 1 .8 1 .6 V sat(U) [V ] V sat(D) [V ] 2 1 .5 1 .4 1 .2 1 1 0 .5 0 .8 0 0 .6 0 0.5 1 Io [A ] 1.5 2 0 0.5 1 1.5 2 Io [A ] -7- NJM2670 ■特性例２ NJM2670 Diode(D) vs. Io (Lot-No.U2009T,DIP16) 1.8 (Lot-No.U2009T,DIP16) 1.8 VCC=5V VS=48V Ta=25degC OUTA1 OUTA2 OUTB1 OUTB2 1.6 1.4 1.2 VCC=5V VS=48V Ta=25degC OUTA1 OUTA2 OUTB1 OUTB2 1.6 Diode(U) [V ] Diode(D) [V ] NJM2670 Diode(U) vs. Io 1.4 1.2 1 1 0.8 0.8 0.6 0.6 0 0.5 1 1.5 0 2 0.5 1 Io [A] 2 ICC vs. Temperature ICC vs. Temperature 80 60 VCC=5V VS=48V RL=Nothing IN1=IN2=H IN3=IN4=L EN=H 55 50 45 40 VCC=5V VS=48V RL=Nothing 70 60 ICC [mA] ICC [mA] 1.5 Io [A] IN1=IN2=H IN3=IN4=H EN=H 50 40 EN=L 35 30 30 IN1=IN2=L IN3=IN4=L EN=H 20 25 20 -50 -25 0 25 50 75 100 125 10 150 -50 -25 0 Temperature [degC] 75 100 125 150 NJM2670 Vsat(U) vs. Temperature Io=1.0A (Lot-No.U2009T,DIP16) Io=1.0A (Lot-No.U2009T,DIP16) 1.4 VCC=5V VS=48V OUTA1 OUTA2 OUTB1 OUTB2 1 50 Temperature [degC] NJM2670 Vsat(D) vs. Temperature 1.2 25 VCC=5V VS=48V OUTA1 OUTA2 OUTB1 OUTB2 V sat(U) [V ] Vsat(D) [V] 1.35 0.8 1.3 0.6 1.25 0.4 1.2 0.2 -50 -25 0 25 50 75 Temperature [degC] -8- 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 Temperature [degC] 100 125 150 NJM2670 ■特性例３ NJM2670 Vsat(U) vs. Temperature NJM2670 Vsat(D) vs. Temperature V sat(U) [V ] 1 VCC=5V VS=48V OUTA1 OUTA2 OUTB1 OUTB2 1.7 1.2 Io=1.3A (Lot-No.U2009T,DIP16) 1.8 VCC=5V VS=48V OUTA1 OUTA2 OUTB1 OUTB2 1.4 Vsat(D ) [V ] Io=1.3A (Lot-No.U2009T,DIP16) 1.6 1.6 1.5 0.8 1.4 0.6 1.3 1.2 0.4 -50 -25 0 25 50 75 100 125 -50 150 -25 0 NJM2670 Diode(D) vs. Temperature 50 75 100 125 150 NJM2670 Diode(U) vs. Temperature (Lot-No.U2009T,DIP16) 1.6 25 Temperature [degC] Temperature [degC] (Lot-No.U2009T,DIP16) 1.6 VCC=5V VS=48V VCC=5V VS=48V 1.5 1.5 Diode(U) [V ] Diode(D) [V ] I=1.3A 1.4 I=1.0A 1.3 1.4 1.3 1.2 1.2 1.1 1.1 1 I=1.3A I=1.0A 1 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Temperature [degC] -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 Temperature [degC] NJM2670 Diode(U) vs. Temperature (Lot-No.U2009T,DIP16) 1.2 VCC=5V VS=48V 1.15 Diode(U) [V ] 1.1 I=0.5A 1.05 1 0.95 0.9 0.85 0.8 -50 -25 0 25 50 75 Temperature [degC] 100 125 150 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 -9-