BAL99 BAL99 Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-07 1.1 2.9 ±0.1 0.4 2.5 ±0.1 Type Code 1.3 max 3 2 1 1.9 Dimensions - Maße [mm] 1 = n.c. /frei 2 = C 3 = A Power dissipation – Verlustleistung 310 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 70 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BAL99 Power dissipation – Verlustleistung Ptot 310 mW 1) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 250 mA 1) IFSM IFSM IFSM 0.5 A 1A 2A VRRM 70 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current 2) Sperrstrom IF IF IF IF = = = = 1 mA 10 mA 50 mA 150 mA VF VF VF VF < 715 mV < 855 mV < 1000 mV < 1250 mV Tj = 25°C VR = 70 V IR < 2.5 µA Tj = 150°C VR = 25 V VR = 70 V IR IR < 30 µA < 100 µA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 1.5 pF Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 6 ns RthA 400 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAL99 Outline – Gehäuse Pinning – Anschlussbelegung 3 1 Marking – Stempelung Single Diode Einzeldiode BAL99 = JF 1 = n.c./frei 2 = C 3 = A 2 120 1 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 60 10 -2 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 http://www.diotec.com/ 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG