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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS04–21378–3
ASSP DTS 用
Bi-CMOS
プリスケーラ内蔵
PLL周波数シンセサイザ (2.0 GHz 対応 )
MB15E07SR
■ 概 要
MB15E07SR は , 32/33, 64/65 分周を選択可能な 2.5 GHz で動作する 2 モジュラスプリスケーラを内蔵した , PLL (Phase
Locked Loop) 周波数シンセサイザ用 LSI です。パルススワロー方式の PLL 周波数シンセサイザを構成できます。
Bi CMOS テクノロジにより , 低ノイズを実現し , VCC = 2.7 V からの低電圧動作が可能です。MB15E07SR の位相ノイズは
回路技術により , 現行の PLL MB15E07SL に比べ , 非常に改善されています。また , チャージポンプ出力は 1.0 mA, 4.0 mA
の 2 種類の電流をシリアルデータにて切換え可能で , 温度依存や電源電圧依存の特性を改良した定電流型を採用していま
す。これにより , 従来のダイレクトパワーセーブやロック検出といった使いやすい機能と高速チューニング 性能をそのま
まにして , 低ノイズなシステム構築が可能です。
PDC (1.5 GHz) , GSM 等のデジタル方式の移動体通信機器向けの基地局やワイヤレス LAN 構築に最適です。
■ 特 長
・ 高速動作
：∼ 2500 MHz
・ 低電圧動作
：VCC ＝ 2.7 V ∼ 5.0 V
・ 超低消費電流
：標準 8.0 mA (VCC ＝ Vp ＝ 3.75 V, Ta ＝＋ 25 °C, ロック動作 )
・ ダイレクトパワーセーブ機能内蔵：パワーセーブ時の電源電流
標準 0.1 μA (VCC ＝ Vp ＝ 3.75 V, Ta ＝＋ 25 °C)
・ 2 モジュラスプリスケーラ分周比：32/33, 64/65
・ 基準分周器
バイナリ 14 ビットリファレンスカウンタ (3 ∼ 16383 分周 )
・ 比較分周器
バイナリ 7 ビットスワローカウンタ (0 ∼ 127 分周 )
バイナリ 11 ビットプログラマブルカウンタ (3 ∼ 2047 分周 )
・ 高速チューニング , 低ノイズな位相比較器，電流切換え型定電流回路を内蔵
・ フェーズ変換機能付き位相比較器を内蔵
・ PLL のロック , アンロックを検出するためのデジタルロック検出回路を内蔵
・ 動作温度
：Ta ＝− 40 °C ∼＋ 85 °C
Copyright©2003-2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2011.10
MB15E07SR
■ 端子配列図
(TSSOP-16)
TOP VIEW
OSCIN
1
16
NC
NC
2
15
NC
VP
3
14
LD/fout
VCC
4
13
NC
DO
5
12
PS
GND
6
11
LE
Xfin
7
10
Data
fin
8
9
Clock
(FPT-16P-M07)
2
DS04–21378–3
MB15E07SR
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
1
OSCIN
I
2
NC
⎯
ノンコネクションピンです。
3
VP
⎯
チャージポンプ出力用の電源端子です。
4
VCC
⎯
電源端子です。
5
DO
O
内蔵チャージポンプの出力端子です。
FC ビットの設定により , 位相特性が反転しま
す。
6
GND
⎯
GND 端子です。
7
Xfin
I
プリスケーラの相補入力端子です。容量接地にて使用してください。
8
fin
I
プリスケーラの入力端子です。AC 結合にて入力してください。
9
Clock
I
19 ビットシフトレジスタのクロック入力端子です ( オープンでの使用禁止 ) 。
クロックパルスの立上り時にデータを読み込みます。
10
Data
I
バイナリ・コードによるシリアルデータの入力端子です。
データの最後のビットはコントロールビットです ( オープンでの使用禁止 ) 。
11
LE
I
ロードイネーブル信号入力端子です ( オープンでの使用禁止 ) 。
LE 立上りエッジ時シリアルデータのコントロールビットの組み合せにより , シフ
トレジスタの内容をラッチへ転送します。
12
PS
I
パワーセーブ制御信号入力端子です ( オープンでの使用禁止 ) 。
PS ＝ “H” 時：通常動作 /PS ＝ “L” 時：パワーセーブ状態
電源投入時には必ず PS ＝ “L” に設定してください。
13
NC
⎯
ノンコネクションピンです。
14
LD/fout
O
ロック検出の出力 (LD) 端子 / 位相比較器入力のモニタ (fout) 端子です。
シリアルデータの LDS ビットにより LD/fout の出力を切換えます。
LDS ＝ “H” 時：fout 出力 /LDS ＝ “L” 時：LD 出力
15
NC
⎯
ノンコネクションピンです。
16
NC
⎯
ノンコネクションピンです。
DS04–21378–3
機能説明
基準分周器の入力端子です。TCXO からの信号を AC 結合で入力してください。
3
MB15E07SR
■ ブロックダイヤグラム
OSCIN
fr
1
水晶発振回路
バイナリ 14 ビット
リファレンスカウンタ
SW
FC
LDS CS
4 ビットラッチ
位相比較器
14 ビットラッチ
PS
12
LE 11
間欠動作
制御回路
C
N
T
19 ビットシフトレジスタ
LD/fr/fp
選択回路
1 ビット
コントロール
ラッチ
7 ビット
ラッチ
Data
Clock 9
fin
GND
VCC
4
8
11 ビット
ラッチ
チャージ
ポンプ
14
LD/fout
3 VP
5
DO
バイナリ 7 ビット バイナリ 11 ビット
スワロー
プログラマブル
カウンタ
カウンタ
10
Xfin 7
デジタル
ロック
検出回路
fp
プリスケーラ
32/33
64/65
SW
6
4
DS04–21378–3
MB15E07SR
■ 絶対最大定格
定格値
項目
記号
条件
単位
最小
最大
VCC
⎯
− 0.5
5.5
V
VP
⎯
VCC
6.0
V
入力電圧
VI
⎯
− 0.5
VCC ＋ 0.5
V
DO 以外
GND
VCC
V
出力電圧
VO
DO
GND
VP
V
⎯
− 55
＋ 125
°C
電源電圧
保存温度
Tstg
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
規格値
項目
記号
単位
最小
標準
最大
VCC
2.7
3.75
5.0
V
VP
VCC
⎯
5.5
V
入力電圧
VI
GND
⎯
VCC
V
動作温度
Ta
− 40
⎯
＋ 85
°C
電源電圧
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
DS04–21378–3
5
MB15E07SR
■ 電気的特性
(VCC ＝ 2.7 V ∼ 5.0 V, Ta ＝− 40 °C ∼＋ 85 °C)
規格値
記号
項目
⎯
ICC*1
電源電流
“H” レベル入力電流
⎯
8.0
⎯
mA
0.1*2
20
μA
fin
fIN
50 Ω 系
100
⎯
2500
MHz
OSCIN
fOSC
3
⎯
40
MHz
100 MHz ∼ 300 MHz
⎯
Pfin
−6
＋2
dBm
fin*3
300 MHz ∼ 2500 MHz
− 15
⎯
＋2
dBm
OSCIN*3
“L” レベル入力電流
最大
⎯
⎯
入力感度
“H” レベル入力電流
標準
PS = “L”
動作周波数
“L” レベル入力電圧
最小
IPS
パワーセーブ電流
“H” レベル入力電圧
単位
条件
Data, LE,
PS, Clock
Clock,
Data,
LE, PS
VOSC
⎯
0.5
⎯
VCC
VP-P
VIH
⎯
0.7 VCC
⎯
⎯
V
VIL
⎯
⎯
⎯
0.3 VCC
V
IIH*4
⎯
− 1.0
⎯
＋ 1.0
μA
IIL*4
⎯
− 1.0
⎯
＋ 1.0
μA
IIH
⎯
0
⎯
＋ 100
μA
IIL*4
⎯
− 100
⎯
0
μA
VCC − 0.4
⎯
⎯
V
⎯
⎯
0.4
V
VP − 0.4
⎯
⎯
V
OSCIN
“L” レベル入力電流
VOH
VCC ＝ VP ＝ 3.75 V, IOH ＝− 1 mA
VOL
VCC ＝ VP ＝ 3.75 V, IOL = 1 mA
VDOH
VCC ＝ VP ＝ 3.75 V, IDOH ＝− 0.5 mA
“L” レベル出力電圧
VDOL
VCC ＝ VP ＝ 3.75 V, IDOL ＝ 0.5 mA
⎯
⎯
0.4
V
ハイインピーダンス
Do
カットオフ電流
IOFF
VCC ＝ VP ＝ 3.75 V
Voff ＝ 0.5 V ∼ VP − 0.5 V
⎯
⎯
2.5
nA
“H” レベル出力電流
IOH
⎯
⎯
⎯
− 1.0
mA
“L” レベル出力電流
IOL
⎯
1.0
⎯
⎯
mA
IDOH*4
CS ビット＝ “1”
⎯
− 4.0
⎯
“H” レベル出力電流
VCC ＝ VP ＝ 3.75 V CS ビット＝ “0”
VDO ＝ VP / 2
CS ビット＝ “1”
Ta ＝＋ 25 °C
⎯
− 1.0
⎯
⎯
4.0
⎯
CS ビット＝ “0”
⎯
1.0
⎯
“H” レベル出力電圧
LD/fout
“L” レベル出力電圧
“H” レベル出力電圧
Do
LD/fout
Do
IDOL*4
“L” レベル出力電流
チャージポンプ
電流変動率
mA
mA
IDOL/IDOH
IDOMT*5 VDO ＝ VP / 2
⎯
5
⎯
％
対 VDO
IDOVD*6 0.5 V ≦ VDO ≦ VP − 0.7 V
⎯
10
⎯
％
⎯
3
⎯
％
対 Ta
IDOTA*
7
− 40 °C ≦ Ta ≦＋ 85 °C
＊ 1 : fIN ＝ 2500 MHz, fOSC ＝ 13 MHz, VOSC ＝ 1.2 VPP, VCC ＝ VP ＝ 3.75 V, Ta ＝＋ 25 °C ロック時です。
＊ 2 : VCC ＝ VP ＝ 3 V, Ta ＝＋ 25 °C, fOSC ＝ 12.8 MHz, VOSC ＝ 1.2 VPP, パワーセーブ時。
＊ 3 : AC 結合にしてください。最小動作周波数は 1000 pF 結合時です。
＊ 4 : −記号は IC から流れ出す方向を示します。
（続く）
6
DS04–21378–3
MB15E07SR
（続き）
＊ 5 : VCC ＝ VP ＝ 3.75 V, Ta ＝＋ 25 °C 時です。
( ｜｜ I3 ｜−｜ I4 ｜｜ ) / ［ ( ｜ I3 ｜＋｜ I4 ｜ ) / 2］× 100 ％
＊ 6 : VCC ＝ VP ＝ 3.75 V, Ta ＝＋ 25 °C 時です。
［ ( ｜｜ I2 ｜−｜ I1 ｜｜ ) / 2］/ ［ ( ｜ I1 ｜＋｜ I2 ｜ ) / 2］× 100 ％ (IDOL, IODH 各々 )
＊ 7 : VCC ＝ VP ＝ 3.75 V, VDO ＝ VP / 2 時です。
( ｜｜ IDO ( ＋ 85 °C) ｜−｜ IDO ( − 40 °C) ｜｜ / 2) / ( ｜ IDO ( ＋ 85 °C) ｜＋｜ IDO ( − 40 °C) ｜ / 2) × 100 ％ (IDOL, IODH 各々 )
I1
I3
I2
IDOL
IDOH
I4
I2
I1
0.5
Vp/2
Vp − 0.7 V Vp
チャージポンプ出力電圧 (V)
DS04–21378–3
7
MB15E07SR
■ 機能説明
1. パルススワロー機能
下記の式に従って , 各設定値を設定してください。
fVCO ＝ [ (P × N) ＋ A] × fOSC ÷ R
fVCO
P
N
A
fOSC
R
：外部に接続される VCO の出力周波数
：プリスケーラの分周比 (32 または 64)
：バイナリ 11 ビットプログラマブルカウンタ設定値 (3 ∼ 2047)
：バイナリ 7 ビットスワローカウンタ設定値 (0 ∼ 127, ただし A < N)
：基準発振周波数 (OSCIN 入力周波数 )
：バイナリ 14 ビットリファレンスカウンタ設定値 (3 ∼ 16383)
2. シリアルデータ入力方法について
シリアルデータの入力は Data 端子 , Clock 端子 , LE 端子の 3 入力で行います。基準分周器と比較分周器をそれぞれ単独
にコントロールできます。
Data 端子にはバイナリコードのシリアルデータを入力してください。
シリアルデータはクロックの立上りで内部のシフトレジスタに順次取り込まれ , ロードイネーブル (LE) の立上りで , コ
ントロールビットの組合せにより , 各ラッチへ転送されます。
・ コントロールビット “H” →リファレンスカウンタへデータ転送
・ コントロールビット “L” →プログラマブルカウンタへデータ転送
(1) データビットの構成
・基準分周の構成
(LSB)
(MSB)
データの入力方向
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
C
N
T
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
S
F
C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
W
C
L
D
S
S
R1 ∼ R14：リファレンスカウンタの分周比設定ビット (3 ∼ 16383)
SW
：プリスケーラ分周比の選択ビット
FC
：位相比較器のフェイズ切換えビット
LDS
：LD/fout の切換えビット
CS
：チャージポンプ電流設定ビット
CNT
：コントロールビット
( 注意事項 ) データは MSB 側から入力してください。
・比較分周の構成
(LSB)
データの入力方向
(MSB)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
C
N
T
A
A
A
A
A
A
A
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
1
2
3
4
5
6
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
A1 ∼ A7 ：スワローカウンタの分周比設定ビット (0 ∼ 127)
N1 ∼ N11：プログラマブルカウンタの分周比設定ビット (3 ∼ 2047)
CNT
：コントロールビット
( 注意事項 ) データは MSB 側から入力してください。
8
DS04–21378–3
MB15E07SR
(2) データ設定について
・バイナリ 14 ビットリファレンスカウンタの設定 (R1 ∼ R14)
分周比
3
R R R R R R
14 13 12 11 10 9
0
0
0
0
0
0
R
8
R
7
R
6
R
5
R
4
R
3
R
2
R
1
0
0
0
0
0
0
1
1
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
4
・
・
・
16383
（注意事項）分周比 3 未満は禁止です。
・バイナリ 11 ビットプログラマブルカウンタの設定 (N1 ∼ N11)
分周比
3
N N N
11 10 9
N
8
N
7
N
6
N
5
N
4
N
3
N
2
N
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
4
・
・
・
2047
（注意事項）分周比 3 未満は禁止です。
・バイナリ 7 ビットスワローカウンタの設定 (A1 ∼ A7)
分周比
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
・
・
・
127
0 0 0 0 0 0 1
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
1 1 1 1 1 1 1
・プリスケーラ分周比の選択 (SW)
・チャージポンプ電流の選択 (CS)
分周比
SW
分周比
CS
32/33
1
± 4.0 mA
1
64/65
0
± 1.0 mA
0
・LD/fout 出力の設定 (LDS)
出力
LDS
fout
1
LD
0
DS04–21378–3
9
MB15E07SR
・位相比較器のフェイズ切換えビット (FC)
FC ビットは位相比較器のフェイズ切換え用端子です。FC ビットを制御して内蔵チャージポンプ出力 (DO) の特性を選択
できます。
また , 位相比較器に入力される信号のモニタ出力 (LD/fout 出力 ) の選択も制御できます。
FC ビットと DO 出力との関係は次のようになります。
FC：“1”
DO
fp < fr
H
fr < fp
L
fp ＝ fr
Z
LD/fout
FC：“0”
DO
LD/fout
L
fout ＝ fr
H
fout ＝ fp
Z
Z：ハイインピーダンス状態
PLL 周波数シンセサイザを設計する際には , ローパスフィルタ , VCO の極性に応じて FC ビットを設定してください。
ローパスフィルタ , VCO 極性が (1) の場合：FC：“1”
ローパスフィルタ , VCO 極性が (2) の場合：FC：“0”
( 注意事項 ) アクティブ型のローパスフィルタを使用する場合には ,
その極性に注意してください。
高
V
C
O
(1)
出
力
周
波
数
(2)
ローパスフィルタ出力電圧
10
大
DS04–21378–3
MB15E07SR
3. パワーセーブ ( 間欠動作について )
PS 端子
状態
H
動作モード
L
パワーセーブモード
パワーセーブとは , 内部回路を必要なときに動作させ , 不必要なときには停止させる間欠動作により , 回路全体の消費
電力を抑える機能です。しかし , 回路を単純に停止状態から動作させると , 位相比較器に入力した基準周波数 (fr) と比較周
波数 (fp) が同じであっても位相関係が不定であるため , 位相比較器から過大な誤差信号が出力され , PLL のロックが外れ
てしまうという問題が生じます。そこで , このような問題を解決するため , 動作開始の際に強制的に位相を合わせ , ロック
した周波数の変動を抑えて間欠動作制御を実現しています。
( 動作モード )
全回路が動作状態にあり , 通常の PLL 動作を行います。
( パワーセーブモード )
動作を停止しても , 不都合でない回路を停止して , 低消費電流状態になります。この状態での消費電流は標準で 0.1 μA,
最大で 20 μA です。
このときの Do および LD は PLL がロックしたときと同じレベルです。Do の場合は , ハイインピーダンス状態になり ,
電圧制御発振器 (VCO) への入力電圧は , 低域通過フィルタの時定数で動作モード時 ( つまりロック時 ) の電圧に保持され
るため VCO の出力周波数はほぼロック周波数を保てます。
( 注意事項 )シリアルデータの入力は電源電圧が安定した後に行い , データの設定が完了したら , パワーセーブモードを解
除してください。
OFF
VCC
ON
tV ≥ 1 μs
Clock
Data
LE
tPS ≥ 100 ns
PS
(1)
(2)
(3)
(1) 電源立上げ時 , PS 端子は “L” レベル ( パワーセーブ状態 )
(2) 電源電圧が安定 (VCC ≧ 2.2 V) して 1 μs 以上経過後 , データを設定開始
(3) データの設定が完了して 100 ns 以上経過後 , PS 端子を “L” → “H” レベルにして ,
パワーセーブ状態を解除
DS04–21378–3
11
MB15E07SR
4. シリアルデータ入力タイミングについて
分周比の設定は Data 端子 , Clock 端子 , LE 端子のシリアルインタフェースで行います。
設定データは Clock 信号の立上りでシフトレジスタに読み込み , LE 信号の立上りエッジでラッチへ転送されます。設定
データの入力タイミングを示します。
1st データ
2nd データ
コントロールビット
無効データ
∼
Data
MSB
LSB
∼
∼
Clock
t1
t2
t3
t6
t0
LE
∼
t4
t5
100 ns ≦ t0, t5
20 ns ≦ t1, t2, t6
30 ns ≦ t3, t4
シフトレジスタにデータを読み込む際には , LE は “L” レベルにしてください。
12
DS04–21378–3
MB15E07SR
■ 位相比較器の出力波形
fr
fp
t WU
t WL
LD
(FC ビット＝ “1” 設定時 )
DO
(FC ビット＝ “0” 設定時 )
DO
( 注意事項 )・位相差の検出は− 2 π ∼＋ 2 π です。
・ロック時の Do パルス ( ひげ ) は不感地帯をなくすために出力しています。
・LD 出力は位相差 tWU 以上になったとき “L” になり , tWL 以下の状態が 3 周期以上連続したとき “H” にな
ります。
・tWU, tWL は , OSCIN 入力周波数で決定され , 下記のとおりになります。
tWU ≧ 2/fosc [s]
例 ) fosc ＝ 13 MHz 時：tWU ≧ 153.8 ns
：tWL ≦ 307.7 ns
tWL ≦ 4/fosc [s]
・スタンバイ状態 (PS ＝ “L”) 時には LD 出力は “H” になります。
DS04–21378–3
13
MB15E07SR
■ 測定回路例 (fin, OSC IN 入力感度測定 )
1000 pF
0.1 μF
1000 pF
0.1 μF
1000 pF
S.G.
S.G.
50 Ω
fin
Xfin GND
DO
VCC
VP
NC
8
7
6
5
4
3
2
1
9
10
11
12
13
14
15
16
Clock Data LE
PS
NC LD/fout NC
VCC
コントローラ ( 分周比設定 )
14
OSCIN
50 Ω
NC
オシロスコープ
DS04–21378–3
MB15E07SR
■ 標準特性
1. fin 入力感度−入力周波数特性
入力感度−入力周波数特性
Ta = +25 °C
10
入力感度 Pfin (dBm)
0
カタログ保証範囲
−10
−20
−30
VCC = 2.7 V
VCC = 3.75 V
VCC = 5.0 V
VCC = 5.25 V
SPEC
−40
−50
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
入力周波数 fIN (MHz)
2. OSCIN 入力感度
入力感度−入力周波数特性
Ta = +25 °C
10
カタログ
保証範囲
入力感度 VOSC (dBm)
0
−10
−20
−30
VCC = 2.7 V
VCC = 3.0 V
VCC = 3.75 V
VCC = 5.0 V
SPEC
−40
−50
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
入力周波数 fOSC (MHz)
DS04–21378–3
15
MB15E07SR
3. Do 出力電流特性
・1.0 mA モード
IDO − VDO 特性
チャージポンプ出力電流 IDO (mA)
10.00
Ta = + 25 °C
VCC = 3.75 V
Vp = 3.75 V
2.000
/div
−10.00
0.00
1.00/div
7.00
チャージポンプ出力電圧 VDO (V)
・4.0 mA モード
IDO − VDO 特性
チャージポンプ出力電流 IDO (mA)
10.00
Ta = + 25 °C
VCC = 3.75 V
Vp = 3.75 V
2.000
/div
−10.00
0.00
1.00/div
7.00
チャージポンプ出力電圧 VDO (V)
16
DS04–21378–3
MB15E07SR
4. fin 入力インピーダンス特性
4
22.184 Ω
61.264 Ω 3.9002 nH
2 500.000 000 MHz
1 : 78.328 Ω
−319.34 Ω
300 MHz
4
2 : 22.145 Ω
−77.82 Ω
1 GHz
3
3 : 14.324 Ω
13.364 Ω
2 GHz
1
2
START
300.000 000 MHz
STOP 2 500.000 000 MHz
5. OSCIN 入力インピーダンス特性
4 32.719 Ω
−801.28 Ω 4.9656 pF
2 500.000 000 MHz
1:
633.5 Ω
−9.258 kΩ
3 MHz
2 : 038.63 Ω
−3.0145 kΩ
10 MHz
3 : 083.94 Ω
−1.5534 kΩ
20 MHz
4
213
START
DS04–21378–3
3.000 000 000 MHz
STOP 40.000 000 MHz
17
MB15E07SR
■ ループ特性測定例 ( ロックアップタイム , 位相ノイズ , リファレンスリーク )
Test Circuit
S.G.
OSCIN
fin
スペクトラム
アナライザ
LPF
Do
fVCO = 1730 MHz
KV = 42 MHz/V
fr = 200 kHz
fOSC = 13 MHz
LPF
VCC =VP = 3.75 V
VVCO = 3.3 V
Ta = +25 °C
CP : 4.0 mA モード
27 kΩ
2.7 kΩ
1000 pF
VCO
120 pF
15000 pF
・PLL リファレンス・リーク
REF −10.0 dB
MKRΔ 200 kHz −80.39 dBc
DELTA MKR
200 kHz
NOISE/1 Hz
−116.53 dBc/Hz
CENTER 1.732004 GHz
RBW 3 kHz
VBW 30 Hz
SWP 23 s
SPAN 1.00 MHz
ATT 10 dB
・PLL 近傍位相ノイズ
REF −10.0 dB
VAVG 10
DELTA MKR
10 1.00 kHz
10
CENTER 1.73200392 GHz
RBW 30 Hz
VBW 100 Hz
MKRΔ 1.00 kHz −81.66 dBc/Hz
NOISE/1 Hz
−81.66 dBc/Hz
SWP 2.0 s
SPAN 10.00 kHz
ATT 10 dB
（続く）
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DS04–21378–3
MB15E07SR
（続き）
PLL ロックアップタイム
PLL ロックアップタイム
1805 MHz→ 1730 MHz within ± 1 kHz
Hch→Lch
375 μs
1730 MHz→ 1805 MHz within ± 1 kHz
Lch→Hch
390 μs
Δ Mkr x : 375.00233 μs
y : −75.0818 MHz
Δ Mkr x : 389.98165 μs
y : 74.8653 MHz
100.0050
MHz
100.0050
MHz
2.88
kHz/01v
2.88
kHz/01v
99.99500
MHz
99.99500
MHz
0 s
0 s
2.0000000 μs
Δ Mkr x : 389.98165 μs
y : 74.8653 MHz
Δ Mkr x : 375.08233 μs
y : −75.0018 MHz
100.0050
MHz
250.0000
MHz
2.88
kHz/01v
50.0000
MHz/01v
99.99500
MHz
0
Hz
0 s
DS04–21378–3
2.0000000 μs
2.0000000 μs
0 s
2.0000000 μs
19
MB15E07SR
■ 応用回路例
OUTPUT
VCO
LPF
Lock Det.
コントローラ
より
NC
NC
LD/fout
NC
PS
LE
Data
Clock
16
15
14
13
12
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
OSCIN
NC
VP
VCC
DO
GND
Xfin
fin
1000 pF
1000 pF
1000 pF
0.1 F
0.1 F
TCXO
VP：5.5 V Max
■ 取扱い上の注意
静電気破壊に対しては , 静電防止素子を付加し , また回路上で向上を図っておりますが , 取扱いについては下記の事項
を守ってください。
・保管の移動の際には , 導電性ケースに入れてください。
・取り扱う前に , 作業者および治具 , 工具類が帯電のない状態 ( アース ) であることを確認し , 作業台にはアースされた
導電性シートをご用意ください。
・LSI をソケットに挿入 , またはソケットから取り外す際には , 電源をオフにしてください。
・LSI を実装したボードを取り扱う ( 運搬など ) 際には , リードを導電性のシートで保護してください。
20
DS04–21378–3
MB15E07SR
■ オーダ型格
型格
MB15E07SRPFT
DS04–21378–3
パッケージ
備考
プラスチック・TSSOP, 16 ピン
(FPT-16P-M07)
21
MB15E07SR
■ パッケージ・外形寸法図
プラスチック・TSSOP, 16 ピン
リードピッチ
0.65mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
4.40 × 5.00 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.10mmMAX
質量
0.06g
コード（参考）
P-TSSOP16-4.4×5.0-0.65
(FPT-16P-M07)
プラスチック・TSSOP, 16 ピン
（FPT-16P-M07）
注 1）*1 印寸法のレジン残りは片側 +0.15（.006）MAX
注 2）*2 印寸法はレジン残りを含まず。
注 3）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 4）端子幅はタイバ切断残りを含まず。
*1 5.00±0.10(.197±.004)
16
0.17±0.05
(.007±.002)
9
*2 4.40±0.10 6.40±0.20
(.173±.004) (.252±.008)
INDEX
Details of "A" part
1.05±0.05
(Mounting height)
(.041±.002)
LEAD No.
1
8
0.65(.026)
"A"
0.24±0.08
(.009±.003)
0.13(.005)
M
0~8°
+0.03
(0.50(.020))
0.10(.004)
0.60±0.15
(.024±.006)
+.001
0.07 –0.07 .003 –.003
(Stand off)
0.25(.010)
単位：mm （inches）
注意：括弧内の値は参考値です。
C
22
2003-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F16020S-c-3-5
DS04–21378–3
MB15E07SR
MEMO
DS04–21378–3
23
MB15E07SR
富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
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