TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF75R12W1H4F_B11 J VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypischeAnwendungen • SolarAnwendungen TypicalApplications • SolarApplications ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • IntegrierterNTCTemperaturSensor • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • Compactdesign • PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF75R12W1H4F_B11 Bypass-Diode/Bypass-Diode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 50 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 600 480 A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1800 1150 A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 0,80 V IR 0,10 mA RthJC 0,40 0,45 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,40 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 50 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 125 °C VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 50 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 360 290 A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 650 420 A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 0,95 V IR 0,10 mA RthJC 0,80 0,90 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 2 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF75R12W1H4F_B11 VerpolschutzDiodeB/Inverse-polarityprotectiondiodeB HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM 30 A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 290 245 A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 420 300 A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. VF 1,00 V IR 0,10 mA RthJC 1,20 1,35 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,15 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 20 A Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 3 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Chopper/IGBT-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 25 50 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 50 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 230 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C V 1200 VCE sat A A typ. max. 2,10 2,45 2,65 V V VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 11,0 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,038 0,038 0,038 µs µs µs tr 0,014 0,018 0,02 µs µs µs td off 0,30 0,34 0,36 µs µs µs tf 0,06 0,12 0,14 µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1150 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 10 Ω Tvj = 150°C Eon 0,52 0,65 0,67 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 10 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,15 1,70 1,90 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,60 0,65 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 4 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 150 150 A °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF75R12W1H4F_B11 Diode-Chopper/Diode-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 1200 V IF 15 A IFRM 30 A I²t 20,5 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,60 2,20 1,95 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1150 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM 5,00 5,00 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 1150 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr 0,15 0,25 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 1150 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec 0,03 0,03 mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,05 1,20 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 kΩ ∆R/R -5 5 % P25 20,0 mW VF V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 5 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF75R12W1H4F_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 VISOL kV 2,5 min. typ. max. LsCE 30 nH RCC'+EE' 5,00 mΩ Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj max 175 150 °C °C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Gleichrichter/rectifier Tvj op -40 -40 150 125 °C °C Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Gewicht Weight G 24 g Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Designed for storage conditions according to Infineon TR14 (Application Note “Storage of Products Supplied by Infineon Technologies) Designed for climate conditions without condensation or precipitation preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch) forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical) IF=f(VF) DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeA(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA (typical) IF=f(VF) 100 60 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 90 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 50 80 70 40 IF [A] IF [A] 60 50 30 40 20 30 20 10 10 0 0,0 0,2 0,4 0,6 VF [V] 0,8 1,0 0 1,2 DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeB(typisch) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeB (typical) IF=f(VF) 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 1,4 AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 40 50 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 35 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 45 40 30 35 30 IC [A] IF [A] 25 20 25 20 15 15 10 10 5 0 5 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 0 1,4 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 7 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 4,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VCE=600V 50 4,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 45 40 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,5 3,0 35 2,5 E [mJ] IC [A] 30 25 20 2,0 1,5 15 1,0 10 0,5 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0,0 5,0 SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V 0 5 10 15 20 25 30 IC [V] 35 40 45 50 TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper transientthermalimpedanceIGBT-Chopper ZthJH=f(t) 4,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,5 ZthJH : IGBT 3,0 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,5 2,0 1,5 0,1 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,048 0,109 0,419 0,524 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,5 0,0 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 0,01 0,001 100 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=10Ω,Tvj=150°C DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) 60 30 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C 27 50 24 21 40 IF [A] IC [A] 18 30 15 12 20 9 6 10 3 0 0 200 400 600 800 1000 1200 0 1400 0,0 0,5 1,0 t [s] 1,5 2,0 2,5 VF [V] SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=600V 0,06 0,06 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C E [mJ] 0,04 E [mJ] 0,04 0,02 0,00 0,02 0 3 6 9 12 15 18 IF [A] 21 24 27 0,00 30 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 9 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 TechnischeInformation/TechnicalInformation DF75R12W1H4F_B11 IGBT-Module IGBT-modules TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH : Diode Rtyp R[Ω] ZthJH [K/W] 10000 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,23 0,397 0,721 0,503 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 10 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF75R12W1H4F_B11 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:3.0 11 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules DF75R12W1H4F_B11 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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