TechnischeInformation/technicalinformation FF800R17KF6C_B2 1700VIGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmConDiode 1700VIGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmConDiode IGBT-Wechselrichter/IGBT-inverter VorläufigeDaten/Preliminarydata HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCES 1700 1700 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj = 150°C TC = 25°C, Tvj = 150°C IC nom IC 800 1300 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1600 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj = 150°C Ptot 6,25 kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/- 20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 65,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 2,60 3,10 3,10 3,60 V V VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 9,60 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,3 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 52,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,70 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,02 1,5 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,40 0,40 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,14 0,14 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 1,10 1,10 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 900 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,13 0,14 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGon = 1,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 290 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 335 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase pro IGBT / per IGBT RthJC RthCH 25,0 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro IGBT / per IGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste = 1 W/(m·K) / tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C λgrease = 1 W/(m·K) preparedby:WB dateofpublication:2012-09-27 approvedby:PL revision:2.1 1 3200 A 20,0 K/kW K/kW TechnischeInformation/technicalinformation FF800R17KF6C_B2 VorläufigeDaten Preliminarydata Diode-Wechselrichter/Diode-inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = 125°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 1700 1700 V IF 800 A IFRM 1600 A I²t 170 kA²s ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,10 2,10 2,50 2,50 V V 800 900 A A Qr 170 310 µC µC IF = 800 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 80,0 170 mJ mJ pro Diode / per diode RthJC RthCH 43,0 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 800 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro Diode / per diode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste = 1 W/(m·K) / λgrease = 1 W/(m·K) preparedby:WB dateofpublication:2012-09-27 approvedby:PL revision:2.1 2 34,0 K/kW K/kW TechnischeInformation/technicalinformation FF800R17KF6C_B2 VorläufigeDaten Preliminarydata Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) basic insulation (class 1, IEC 61140) Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Luftstrecke Clearance Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL 4,0 kV AlN 15,0 mm 10,0 mm CTI > 275 min. typ. RthCH 8,00 LsCE 20 nH RCC'+EE' 0,37 mΩ Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Tvj max 150 °C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Tvj op -40 125 °C Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M6 - mounting according to valid application note M 4,25 - 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M4 - mounting according to valid application note Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M8 - mounting according to valid application note 1,8 - 2,1 Nm M 8,0 - 10 Nm Gewicht Weight G 1050 g preparedby:WB dateofpublication:2012-09-27 approvedby:PL revision:2.1 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro Modul / per module Thermalresistance,casetoheatsink λPaste = 1 W/(m·K) / λgrease = 1 W/(m·K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC = 25°C, pro Schalter / per switch HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature 3 max. K/kW TechnischeInformation/technicalinformation FF800R17KF6C_B2 VorläufigeDaten Preliminarydata AusgangskennlinieIGBT-Wechselr.(typisch) outputcharacteristicIGBT-inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT-Wechselr.(typisch) outputcharacteristicIGBT-inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 1600 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1400 1200 1200 1000 1000 IC [A] IC [A] 1400 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VGE = 8V VGE = 10V VGE = 15V VGE = 20V 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 0 5,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT-Wechselr.(typisch) transfercharacteristicIGBT-inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch) switchinglossesIGBT-inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.2Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=900V 1600 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1400 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 1000 1200 800 E [mJ] IC [A] 1000 800 600 600 400 400 200 200 0 5 6 7 8 9 10 11 12 0 13 VGE [V] 0 200 400 600 800 IC [A] preparedby:WB dateofpublication:2012-09-27 approvedby:PL revision:2.1 4 1000 1200 1400 1600 TechnischeInformation/technicalinformation FF800R17KF6C_B2 VorläufigeDaten Preliminarydata SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch) switchinglossesIGBT-Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=800A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT-Wechselr. transientthermalimpedanceIGBT-inverter ZthJC=f(t) 1200 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT 1000 ZthJC [K/kW] E [mJ] 800 600 10 400 200 0 i: 1 2 3 4 rÍ[K/kW]: 1,88 9,43 2,85 5,84 Í[s]: 0,027 0,052 0,09 0,838 0 2 4 6 8 10 1 0,001 12 0,01 0,1 RG [Ω] 1 10 100 t [s] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Wr.(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT-inv.(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=125°C DurchlasskennliniederDiode-Wechselr.(typisch) forwardcharacteristicofdiode-inverter(typical) IF=f(VF) 1800 1600 IC, Chip IC, Modul 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1400 1400 1200 1200 1000 IF [A] IC [A] 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] preparedby:WB dateofpublication:2012-09-27 approvedby:PL revision:2.1 5 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/technicalinformation FF800R17KF6C_B2 VorläufigeDaten Preliminarydata SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch) switchinglossesdiode-inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.2Ω,VCE=900V SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch) switchinglossesdiode-inverter(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=900V 200 200 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 150 E [mJ] E [mJ] 150 100 50 0 100 50 0 200 400 600 800 0 1000 1200 1400 1600 IF [A] 100 ZthJC [K/kW] ZthJC : Diode 10 i: 1 2 3 4 rÍ[K/kW]: 15,7 7,05 2,24 9,05 Í[s]: 0,0287 0,0705 0,153 0,988 0,01 0,1 2 4 6 RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode-Wechselr. transientthermalimpedancediode-inverter ZthJC=f(t) 1 0,001 0 1 10 100 t [s] preparedby:WB dateofpublication:2012-09-27 approvedby:PL revision:2.1 6 8 10 12 TechnischeInformation/technicalinformation FF800R17KF6C_B2 VorläufigeDaten Preliminarydata Schaltplan/circuitdiagram Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:WB dateofpublication:2012-09-27 approvedby:PL revision:2.1 7 TechnischeInformation/technicalinformation FF800R17KF6C_B2 VorläufigeDaten Preliminarydata Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.Die BeurteilungderEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestellten ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistung übernehmen.EinesolcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenen Bestimmungen.GarantienjeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngaben indengültigenAnwendungs-undMontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenund insbesondereeinespezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSie zuständigenVertriebsbüroinVerbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplication Notesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragen zudenindiesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigen VertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoder lebenserhaltendenAnwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnical departmentswillhavetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproduct datawithrespecttosuchapplication. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyis grantedexclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindforthe productanditscharacteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecific applicationofourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com,sales&contact). Forthosethatarespecificallyinterestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionplease contactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,please notify.Pleasenote,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey, andthatwemaymakedeliverydependedontherealization ofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:WB dateofpublication:2012-09-27 approvedby:PL revision:2.1 8