Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP25R12W2T4 Vorläufige Daten / preliminary data IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage TÝÎ = 25°C V†Š» 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current T† = 100°C, TÝÎ = 175°C T† = 25°C, TÝÎ = 175°C I† ÒÓÑ I† 25 39 A A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t« = 1 ms I†ç¢ 50 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T† = 25°C, TÝÎ = 175°C PÚÓÚ 175 W V•Š» +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Charakteristische Werte / characteristic values Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage min. TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C I† = 25 A, V•Š = 15 V I† = 25 A, V•Š = 15 V I† = 25 A, V•Š = 15 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage I† = 0,80 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C Gateladung gate charge V•Š = -15 V ... +15 V Interner Gatewiderstand internal gate resistor V†Š ÙÈÚ V•ŠÚÌ 5,2 typ. 1,85 2,15 2,25 max. 2,25 5,8 6,4 V V V V Q• 0,20 µC TÝÎ = 25°C R•ÍÒÚ 0,0  Eingangskapazität input capacitance f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CÍþÙ 1,45 nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CØþÙ 0,05 nF Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C I†Š» 1,0 mA Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C I•Š» 400 nA 0,026 0,026 0,026 µs µs µs 0,016 0,02 0,021 µs µs µs 0,19 0,28 0,30 µs µs µs 0,18 0,21 0,22 µs µs µs EÓÒ 1,60 2,40 2,60 mJ mJ mJ I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nH TÝÎ = 25°C V•Š = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C R•ÓËË = 20  TÝÎ = 150°C EÓËË 1,45 2,15 2,35 mJ mJ mJ Kurzschlussverhalten SC data V•Š ù 15 V, V†† = 900 V V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt I»† 90 A Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro IGBT / per IGBT Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro IGBT / per IGBT ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) I† = 25 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 20  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) I† = 25 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 20  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) I† = 25 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 20  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) I† = 25 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 20  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nH V•Š = ±15 V, di/dt = 1700 A/µs (TÝÎ=150°C) R•ÓÒ = 20  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) 1 tÁ ÓÒ tØ tÁ ÓËË tË RÚÌœ† 0,75 0,85 K/W RÚ̆™ 0,70 K/W Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP25R12W2T4 Vorläufige Daten preliminary data Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage TÝÎ = 25°C Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current t« = 1 ms Grenzlastintegral I²t - value Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C Vçç¢ 1200 V IŒ 25 A IŒç¢ 50 A I²t 90,0 75,0 A²s A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. 1,75 1,75 1,75 max. 2,25 Durchlassspannung forward voltage IŒ = 25 A, V•Š = 0 V IŒ = 25 A, V•Š = 0 V IŒ = 25 A, V•Š = 0 V TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C VŒ Rückstromspitze peak reverse recovery current IŒ = 25 A, - diŒ/dt = 1700 A/µs (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C Iç¢ 48,0 50,0 52,0 A A A Sperrverzögerungsladung recovered charge IŒ = 25 A, - diŒ/dt = 1700 A/µs (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C QØ 2,50 4,40 4,90 µC µC µC Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IŒ = 25 A, - diŒ/dt = 1700 A/µs (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C EØþÊ 0,95 1,75 2,05 mJ mJ mJ V V V Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode / per diode RÚÌœ† 1,10 1,20 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Diode / per diode ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) RÚ̆™ 0,90 K/W Periodische Rückw. Spitzensperrspannung TÝÎ = 25°C repetitive peak reverse voltage Vçç¢ 1600 V Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio. T† = 100°C forward current RMS maximum per diode IŒç¢»¢ 60 A Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output T† = 100°C I碻¢ 60 A Stoßstrom Grenzwert surge forward current tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C IŒ»¢ 450 370 A A Grenzlastintegral I²t - value tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C I²t 1000 685 A²s A²s Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Höchstzulässige Werte / maximum rated values Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage TÝÎ = 150°C, IŒ = 25 A VŒ 0,90 V Sperrstrom reverse current TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V Iç 1,00 mA Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode per diode RÚÌœ† 1,05 1,15 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Diode / per diode ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) RÚ̆™ 0,95 K/W prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 2 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP25R12W2T4 Vorläufige Daten preliminary data IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage TÝÎ = 25°C V†Š» 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current T† = 100°C, TÝÎ = 175°C T† = 25°C, TÝÎ = 175°C I†ÒÓÑ I† 25 39 A A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t« = 1 ms I†ç¢ 50 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T† = 25°C, TÝÎ = 175°C PÚÓÚ 175 W V•Š» +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Charakteristische Werte / characteristic values Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage min. TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C I† = 25 A, V•Š = 15 V I† = 25 A, V•Š = 15 V I† = 25 A, V•Š = 15 V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage I† = 0,80 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C Gateladung gate charge V•Š = -15 V ... +15 V Interner Gatewiderstand internal gate resistor V†Š ÙÈÚ V•ŠÚÌ 5,2 typ. 1,85 2,15 2,25 max. 2,25 5,8 6,4 V V V V Q• 0,20 µC TÝÎ = 25°C R•ÍÒÚ 0,00  Eingangskapazität input capacitance f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CÍþÙ 1,45 nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CØþÙ 0,05 nF Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C I†Š» 1,0 mA Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C I•Š» 400 nA Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) I† = 25 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 68  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C tÁ ÓÒ 0,08 0,08 0,08 µs µs µs Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) I† = 25 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 68  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C tØ 0,042 0,051 0,053 µs µs µs Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) I† = 25 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 68  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C tÁ ÓËË 0,34 0,44 0,46 µs µs µs Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) I† = 25 A, V†Š = 600 V V•Š = ±15 V R•ÓËË = 68  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C tË 0,18 0,215 0,225 µs µs µs Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = t.b.d. nH V•Š = ±15 V R•ÓÒ = 68  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C EÓÒ 3,90 5,00 5,40 mJ mJ mJ Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse I† = 25 A, V†Š = 600 V, L» = t.b.d. nH V•Š = ±15 V R•ÓËË = 68  TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C EÓËË 1,50 2,20 2,40 mJ mJ mJ Kurzschlussverhalten SC data V•Š ù 15 V, V†† = 900 V V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt 90 A Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro IGBT / per IGBT RÚÌœ† 0,75 0,85 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro IGBT / per IGBT ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) RÚ̆™ 0,70 K/W prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 3 t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C I»† Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP25R12W2T4 Vorläufige Daten preliminary data Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage TÝÎ = 25°C Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tÔ = 1 ms Grenzlastintegral I²t - value Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C Vçç¢ 1200 V IŒ 10 A IŒç¢ 20 A I²t 16,0 14,0 A²s A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. 1,75 1,75 1,75 max. 2,25 Durchlassspannung forward voltage IŒ = 10 A, V•Š = 0 V IŒ = 10 A, V•Š = 0 V IŒ = 10 A, V•Š = 0 V TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C VŒ Rückstromspitze peak reverse recovery current IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C Iç¢ 12,0 10,0 8,00 A A A Sperrverzögerungsladung recovered charge IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C QØ 0,90 1,70 1,90 µC µC µC Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) Vç = 600 V V•Š = -15 V TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C EØþÊ 0,24 0,52 0,59 mJ mJ mJ V V V Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode / per diode RÚÌœ† 1,75 1,90 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Diode / per diode ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K) RÚ̆™ 1,30 K/W NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance T† = 25°C Abweichung von Ræåå deviation of Ræåå T† = 100°C, Ræåå = 493  Verlustleistung power dissipation T† = 25°C B-Wert B-value Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõëå 3375 K B-Wert B-value Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõîå 3411 K B-Wert B-value Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõæåå 3433 K Rèë ÆR/R 5,00 -5 Pèë Angaben gemäß gültiger Application Note. Specification according to the valid application note. prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 4 k 5 % 20,0 mW Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP25R12W2T4 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Vorläufige Daten preliminary data Vš»¥¡ 2,5 Material für innere Isolation material for internal insulation kV AIèOé Kriechstrecke creepage distance Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke clearance distance Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 10,0 5,0 mm Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index CTI > 200 min. Modulinduktivität stray inductance module typ. max. LÙ†Š 30 nH R††óôŠŠó Rƒƒóô††ó 5,00 6,00 m Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip T† = 25°C, pro Schalter / per switch Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ 175 °C -40 150 °C TÙÚà -40 125 °C Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 80 N Gewicht weight G Lagertemperatur storage temperature Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin. prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 5 39 g Technische Information / technical information FP25R12W2T4 IGBT-Module IGBT-modules Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V†Š) V•Š = 15 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V†Š) TÝÎ = 150°C 50 50 TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 40 40 35 35 30 30 25 20 15 15 10 10 5 5 0,5 1,0 1,5 2,0 V†Š [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I† = f (V•Š) V†Š = 20 V 1,0 2,0 3,0 V†Š [V] 4,0 5,0 10,0 TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 45 35 7,0 30 6,0 E [mJ] 8,0 25 5,0 20 4,0 15 3,0 10 2,0 5 1,0 5 6 7 EÓÒ, TÝÎ = 125°C EÓËË, TÝÎ = 125°C EÓÒ, TÝÎ = 150°C EÓËË, TÝÎ = 150°C 9,0 40 0 0,0 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†) V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 20 Â, R•ÓËË = 20 Â, V†Š = 600 V 50 I† [A] 25 20 0,0 V•Š = 19V V•Š = 17V V•Š = 15V V•Š = 13V V•Š = 11V V•Š = 9V 45 I† [A] I† [A] 45 0 Vorläufige Daten preliminary data 8 9 V•Š [V] 10 11 12 0,0 13 prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 6 0 10 20 I† [A] 30 40 50 Technische Information / technical information FP25R12W2T4 IGBT-Module IGBT-modules Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•) V•Š = ±15 V, I† = 25 A, V†Š = 600 V Vorläufige Daten preliminary data Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ™ = f (t) 12 10 EÓÒ, TÝÎ = 125°C EÓËË, TÝÎ = 125°C EÓÒ, TÝÎ = 150°C EÓËË, TÝÎ = 150°C 11 10 ZÚÌœ™ : IGBT 9 7 ZÚÌœ™ [K/W] E [mJ] 8 6 5 1 4 3 2 4 3 2 1 i: rÍ[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 τ Í[s]: 0 0,1 0,001 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 R• [Â] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I† = f (V†Š) V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 20 Â, TÝÎ = 150°C 1 t [s] 10 50 I†, Modul I†, Chip 50 TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 45 45 40 40 35 35 30 30 IŒ [A] I† [A] 0,1 Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) 55 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,01 0 200 400 600 800 V†Š [V] 0 1000 1200 1400 prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 7 0,0 0,5 1,0 1,5 VŒ [V] 2,0 2,5 3,0 Technische Information / technical information FP25R12W2T4 IGBT-Module IGBT-modules Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R•ÓÒ = 20 Â, V†Š = 600 V Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R•) IŒ = 25 A, V†Š = 600 V 4,0 3,0 EØþÊ, TÝÎ = 125°C EØþÊ, TÝÎ = 150°C 3,5 2,4 2,1 2,5 1,8 E [mJ] E [mJ] EØþÊ, TÝÎ = 125°C EØþÊ, TÝÎ = 150°C 2,7 3,0 2,0 1,5 1,2 1,5 0,9 1,0 0,6 0,5 0,0 Vorläufige Daten preliminary data 0,3 0 5 0,0 10 15 20 25 30 35 40 45 50 IŒ [A] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 R• [Â] Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch) forward characteristic of diode-rectifier (typical) IŒ = f (VŒ) Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ™ = f (t) 10 50 ZÚÌœ™: Diode TÝÎ = 25°C TÝÎ = 150°C 45 40 30 IŒ [A] ZÚÌœ™ [K/W] 35 1 25 20 15 10 4 3 2 1 i: rÍ[K/W]: 0,166 0,359 0,821 0,654 τ Í[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 10 prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 8 0,2 0,4 0,6 0,8 VŒ [V] 1,0 1,2 1,4 Technische Information / technical information FP25R12W2T4 IGBT-Module IGBT-modules Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Copper (typisch) output characteristic IGBT-brake-chopper (typical) I† = f (V†Š) V•Š = 15 V Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper forward characteristic of Diode-brake-chopper IŒ = f (VŒ) 50 20 TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 40 16 35 14 30 12 25 10 20 8 15 6 10 4 5 2 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 V†Š [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 120 140 160 0 NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) 100000 RÚáÔ R[Â] 10000 1000 100 0 20 40 TÝÎ = 25°C TÝÎ = 125°C TÝÎ = 150°C 18 IŒ [A] I† [A] 45 0 Vorläufige Daten preliminary data 60 80 T† [°C] 100 prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 9 0,0 0,5 1,0 1,5 VŒ [V] 2,0 2,5 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP25R12W2T4 Schaltplan / circuit diagram ϑ Gehäuseabmessungen / package outlines Infineon prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 10 Vorläufige Daten preliminary data Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FP25R12W2T4 Nutzungsbedingungen Vorläufige Daten preliminary data Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. prepared by: DK date of publication: 2009-07-23 approved by: MB revision: 2.2 11