MMFTN290E MMFTN290E ID = 700 mA RDSon1 = 380 mΩ Tjmax = 150°C N-Channel Enhancement Mode FET with Protected Gate N-Kanal FET mit Gateschutzdiode - Anreicherungstyp VDSS = 20 V Ptot = 300 mW Version 2016-04-14 Typical Applications Signal processing, Switching, Control Commercial grade 1) 0.75 ±0.1 1.6±0.1 0.2 ±0.05 1.6±0.15 Type Code 1 0.8±0.1 3 2 D Features Low On-Resistance Protected Gate Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Pb Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled G 3000 / 7“ Weight approx. S 1=G Besonderheiten Niedriger Einschaltwiderstand Gateschutzdiode Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 RoHS EE WE 1.0 ±0.1 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Regeln Standardausführung 1) EL V SOT-523 2=S 3=D Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMFTN290E Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDSS 20 V VGSS VGSS ±8V ± 2 kV Ptot 300 mW 2) ID ID 700 mA 2) 440 mA 2) IDM 2.8 A Source current – Source-Strom IS 300 mA 2) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55…+150°C -55…+150°C Gate-Source-voltage Gate-Source-Spannung dc ESD Power dissipation – Verlustleistung Drain current Drainstrom VGS = 4.5 V TA = 100°C, VGS = 4.5 V Peak Drain current pulsed – Drain-Spitzenstrom gepulst tp < 10 µs Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 250 µA V(BR)DSS 20 V Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom VDS = 20 V VDS = 20 V, Tj =150°C IDSS IDSS 1 µA 10 µA IGSS IGSS ± 2 µA ± 0.5 µA Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom VGS = ± 8 V VGS = ± 4.5 V 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMFTN290E Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS, ID = 250 µA VGS(th) 0.5 V 0.95 V Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS VGS VGS VGS = = = = 4.5 2.5 1.8 4.5 V, V, V, V, ID = ID = ID = ID = 0.5 0.4 0.1 0.5 A A A A, Tj =150°C 380 mΩ 620 mΩ 1100 mΩ 610 mΩ RDS(on) Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS = 10 V, ID = 0.2 A | gFS | 1.6 S Drain-Source Diode Forward Voltage IS = 300 mA, VGS = 0 V 0.48 V 1.2 V Input Capacitance – Eingangskapazität VGS = 0 V, VDS = 10 V, f = 1 MHz Ciss 83 pF Output Capacitance – Ausgangskapazität VGS = 0 V, VDS = 10 V, f = 1 MHz Coss 15 pF Crss 7 pF Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VGS = 0 V, VDS = 10 V, f = 1 MHz Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung VGS = 4.5 V, VDS = 10 V, RG = 6 Ω, RL = 250 Ω td(on) 12 ns Turn-On Rise Time – Anstiegszeit VGS = 4.5 V, VDS = 10 V, RG = 6 Ω, RL = 250 Ω tr 4 ns Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung VGS = 4.5 V, VDS = 10 V, RG = 6 Ω, RL = 250 Ω td(off) 172 ns Turn-Off Fall Time – Abfallzeit VGS = 4.5 V, VDS = 10 V, RG = 6 Ω, RL = 250 Ω Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung tf 31 ns RthA < 510 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG