MMFTN290E

MMFTN290E
MMFTN290E
ID
= 700 mA
RDSon1 = 380 mΩ
Tjmax = 150°C
N-Channel Enhancement Mode FET with Protected Gate
N-Kanal FET mit Gateschutzdiode - Anreicherungstyp
VDSS = 20 V
Ptot = 300 mW
Version 2016-04-14
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Control
Commercial grade 1)
0.75
±0.1
1.6±0.1
0.2
±0.05
1.6±0.15
Type
Code
1
0.8±0.1
3
2
D
Features
Low On-Resistance
Protected Gate
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Pb
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
G
3000 / 7“
Weight approx.
S
1=G
Besonderheiten
Niedriger Einschaltwiderstand
Gateschutzdiode
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1
RoHS
EE
WE
1.0
±0.1
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Regeln
Standardausführung 1)
EL
V
SOT-523
2=S
3=D
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMFTN290E
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
VDSS
20 V
VGSS
VGSS
±8V
± 2 kV
Ptot
300 mW 2)
ID
ID
700 mA 2)
440 mA 2)
IDM
2.8 A
Source current – Source-Strom
IS
300 mA 2)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55…+150°C
-55…+150°C
Gate-Source-voltage
Gate-Source-Spannung
dc
ESD
Power dissipation – Verlustleistung
Drain current
Drainstrom
VGS = 4.5 V
TA = 100°C, VGS = 4.5 V
Peak Drain current pulsed – Drain-Spitzenstrom gepulst
tp < 10 µs
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
ID = 250 µA
V(BR)DSS
20 V
Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom
VDS = 20 V
VDS = 20 V, Tj =150°C
IDSS
IDSS
1 µA
10 µA
IGSS
IGSS
± 2 µA
± 0.5 µA
Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom
VGS = ± 8 V
VGS = ± 4.5 V
1
2
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
MMFTN290E
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
Gate-Source threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung
VGS = VDS, ID = 250 µA
VGS(th)
0.5 V
0.95 V
Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand
VGS
VGS
VGS
VGS
=
=
=
=
4.5
2.5
1.8
4.5
V,
V,
V,
V,
ID =
ID =
ID =
ID =
0.5
0.4
0.1
0.5
A
A
A
A, Tj =150°C
380 mΩ
620 mΩ
1100 mΩ
610 mΩ
RDS(on)
Forward Transconductance – Übertragungssteilheit
VDS = 10 V, ID = 0.2 A
| gFS |
1.6 S
Drain-Source Diode Forward Voltage
IS = 300 mA, VGS = 0 V
0.48 V
1.2 V
Input Capacitance – Eingangskapazität
VGS = 0 V, VDS = 10 V, f = 1 MHz
Ciss
83 pF
Output Capacitance – Ausgangskapazität
VGS = 0 V, VDS = 10 V, f = 1 MHz
Coss
15 pF
Crss
7 pF
Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität
VGS = 0 V, VDS = 10 V, f = 1 MHz
Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung
VGS = 4.5 V, VDS = 10 V, RG = 6 Ω, RL = 250 Ω
td(on)
12 ns
Turn-On Rise Time – Anstiegszeit
VGS = 4.5 V, VDS = 10 V, RG = 6 Ω, RL = 250 Ω
tr
4 ns
Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung
VGS = 4.5 V, VDS = 10 V, RG = 6 Ω, RL = 250 Ω
td(off)
172 ns
Turn-Off Fall Time – Abfallzeit
VGS = 4.5 V, VDS = 10 V, RG = 6 Ω, RL = 250 Ω
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
tf
31 ns
RthA
< 510 K/W 1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
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Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG