MMBT7002K MMBT7002K N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate N-Kanal FET mit Gateschutzdiode – Anreicherungstyp N N Version 2015-05-12 Type Code 1 1.3±0.1 3 2.4 ±0.2 0.4 Power dissipation – Verlustleistung +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 +0.1 -0.05 2 1.9 ±0.1 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D 350 mW Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) MMBT7002K Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDSS 60 V VGSS VGSS ± 20 V ± 2 kV Power dissipation – Verlustleistung Ptot 350 mW Drain current continuos – Drainstrom (dc) ID 115 mA IDM 800 mA Tj TS 150°C -55…+150°C Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung Drain current pulsed – Drainstrom gepulst dc ESD tp < 10 µs Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 MMBT7002K Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung ID = 10 µA BVDSS Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom 60 V G short VDS = 60 V IDSS 1 µA ±IGSS 10 µA Gate-Source leakage current – Gate-Source Leckstrom VGS = 20 V Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung VGS = VDS, ID = 250 µA VGS(th) 1V 2.5 V Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand VGS = 10 V, ID = 500 mA VGS = 4.5 V, ID = 200 mA 3Ω 4Ω RDS(on) RDS(on) Forward Transconductance – Übertragungssteilheit VDS ≥ 10 VDS(on), ID = 200 mA gFS 80 mS Input Capacitance – Eingangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Ciss 50 pF Coss 25 pF Crss 5 pF ton 20 ns toff 20 ns Output Capacitance – Ausgangskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität VDS = 25 V, f = 1 MHz Turn-On Time – Einschaltzeit VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung VDD= 30 V, RL= 150 Ω, ID= 0.2 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω Marking Stempelung 2 MMBT7002K = K72 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG