2SA1908 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC5100とコンプリメンタリ) −120 V ICBO VCB=−120V −10max μA VCEO −120 V IEBO VEB=−6V −10max μA VEBO −6 V V(BR)CEO IC=−50mA −120min IC −8 A hFE 150 −55∼+150 23.0±0.3 A VCE(sat) IC=−3A, IB=−0.3A W fT VCE=−12V, IE=0.5A 20typ MHz ℃ COB VCB=−10V, f=1MHz 300typ pF ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) 5.5 ø3.3±0.2 イ ロ V 1.75 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –40 10 –4 –10 5 –0.4 0.4 0.14typ 1.40typ 0.21typ –4A –2A 0 –1 –2 –3 0 –4 0 –0.2 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –0.4 –0.6 –0.8 0 –1.0 h FE – I C 特性(代 表 例 ) –0.1 –0.5 –1 25 ˚C – 30 ˚C 50 30 –0.02 –5 –8 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 直流電流増幅率 h FE 50 温度 4 100 100 –1.5 θ j-a – t特 性 125 ˚C Typ –1.0 (V C E = – 4V) 300 200 –0.5 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE = – 4V) 30 –0.02 0 ベース電流 I B (A) ース (ケ 0˚C –2 I C =–8A ) ) 度) 温度 ス温 –1 −3 I B =–10mA –4 ース –25mA –6 ケー –50mA –4 –2 (ケ –7 5m A 5˚C コレクタ電流 I C (A) (V C E = – 4V) mA –2 直流電流増幅率 h FE E –8 12 –100 –6 0 C 3.35 製品質量 約6.5g イ.品名 ロ.ロット番号 mA コレクタ電流 I C (A) – 0 15 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) A m 50 –3 –2 A 1.5 I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) –3 m 00 4.4 B V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 1.5 –8 0.8 2.15 5.45±0.1 I C – V CE 特性( 代 表 例 ) 3.45 ±0.2 1.6 − 0.5max 5.5±0.2 ˚C( Tstg V 50min※ VCE=−4V, IC=−3A 25 Tj 15.6±0.2 3.0 75(Tc=25℃) PC 単位 3.3 −3 IB 規格値 試 験 条 件 0.8±0.2 VCBO 記 号 外形図 FM100(TO3PF) (Ta=25℃) 単 位 9.5±0.2 ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 16.2 ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 1 0.5 0.2 –0.1 –0.5 –1 –5 –8 1 10 100 f T – I E 特性(代 表 例 ) 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) P c – Ta定 格 (V CE = – 12V) 80 –20 –10 10 DC 20 s 60 1 エミッタ電流 I E (A) 36 5 8 –0.1 –5 –10 付 0.5 板 0.05 0.1 40 20 放熱板なし 自然空冷 0 0.02 熱 –0.5 放 –1 大 10 m s 限 コレクタ電流 I C (A) –5 無 遮断周波数 f T (MH Z ) Typ 10 0m 最大許容損失 P C (W) 30 –50 –100 –150 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150