2sc5099 ds jp

2SC5099
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1907とコンプリメンタリ)
80
V
IEBO
VEBO
6
V
V(BR)CEO
IC
6
A
hFE
PC
A
VCE(sat)
60(Tc＝25℃)
W
fT
150
℃
COB
−55∼＋150
℃
Tj
Tstg
単位
VCB＝120V
10max
μA
VEB＝6V
10max
μA
IC＝50mA
80min
V
VCE＝4V, IC＝2A
50min※
IC＝2A, IB＝0.2A
0.5max
V
VCE＝12V, IE＝−0.5A
20typ
MHz
VCB＝10V, f＝1MHz
110typ
pF
15.6±0.2
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
30
10
3
10
–5
0.3
–0.3
0.16typ
2.60typ
0.34typ
80m
50 mA
30mA
20mA
I B =10mA
(V CE =4V)
6
2
1
4
2
12
I C =6A
4A
0
2A
0
1
2
3
E
A
4
2
3.35
製品質量 約6.5g
イ．品名
ロ．ロット番号
（ケ
ース
温度
C（ケ
）
ース
温度
）
−30
˚C （
ケース
温度）
A
5˚C
1
m
00
C
1.5
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
コレクタ電流 I C (A)
1
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
20
m
50
4.4
B
V CE ( sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
3
A
0.8
2.15
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
0m
1.75
5.45±0.1
6
3.45 ±0.2
ø3.3±0.2
イ
ロ
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
I C – V CE 特性（代表 例 ）
5.5±0.2
0
4
0
0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1.0
0
1.5
0
2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
(V C E =4V)
300
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代表 例 ）
25˚
3
IB
試 験 条 件
3.0
VCEO
記 号
0.8±0.2
ICBO
5.5
V
1.6
120
3.3
VCBO
外形図 FM100(T03PF)
(Ta＝25℃)
規格値
23.0±0.3
単 位
9.5±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
16.2
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
5
200
Typ
100
50
0.5
0.1
1
25 ˚C
– 30 ˚C
50
20
0.02
56
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
30
10
P c – Ta定 格
10
0m
1m
s
ms
s
5
10
50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
100
付
0.1
板
放熱板なし
自然空冷
熱
0.5
放
1
40
大
DC
10
–6
1000 2000
限
20
–1
100
無
コレクタ電流 I C (A )
5
Typ
エミッタ電流 I E (A)
10
60
10
遮断周波数 f T (MH Z )
1
時間 t(ms)
20
40
126
0.3
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE =12V)
–0.1
0.5
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代表 例 ）
0
–0.02
56
1
最大許容損失 P C (W)
30
0.02
100
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
20
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150