Single N-channel MOSFET ELM34416AA-N ■General description ■Features ELM34416AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds(on), low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=30V Id=11A Rds(on) < 12.0mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 17.5mΩ (Vgs=4.5V) ■Maximum absolute ratings Parameter Ta=25°C. Unless otherwise noted. Limit Unit Note Symbol Drain-source voltage Vds 30 V Gate-source voltage Vgs ±20 V Id 11 7 A Idm Las Eas 40 28 40 A A mJ Ta=25°C Ta=100°C Continuous drain current Pulsed drain current Avalanche current Avalanche energy L=0.1mH Tc=25°C Tc=100°C Operating junction and storage temperature range Power dissipation Pd Tj, Tstg 2.5 1.0 -55 to 150 3 W °C ■Thermal characteristics Parameter Maximum junction-to-case Steady-state Symbol Rθjc Maximum junction-to-ambient Steady-state Rθja ■Pin configuration Typ. Max. 25 Unit Note °C/W 50 ■Circuit SOP-8(TOP VIEW) 1 8 2 7 3 6 4 5 Pin No. Pin name 1 2 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 D G S Single N-channel MOSFET ELM34416AA-N ■Electrical characteristics Parameter STATIC PARAMETERS Drain-source breakdown voltage Symbol Condition BVdss Id=250μA, Vgs=0V Zero gate voltage drain current Idss Gate-body leakage current Igss Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125°C 10 Vds=0V, Vgs=±20V Static drain-source on-resistance Rds(on) Max. body-diode continuous current DYNAMIC PARAMETERS V 1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vds=10V, Vgs=10V Gfs Vsd 30 Vds=24V, Vgs=0V Gate threshold voltage On-state drain current Forward transconductance Diode forward voltage Ta=25°C. Unless otherwise noted. Min. Typ. Max. Unit Note 1.5 40 1.8 μA ±100 nA 2.5 V A Vgs=10V, Id=11A 8.5 12.0 mΩ Vgs=4.5V, Id=11A 14.0 17.5 mΩ 1.3 S V 1.9 A Vds=5V, Id=11A If=25A, Vgs=0V 40 Is 1 1 1 1 Input capacitance Output capacitance Ciss Coss Vgs=0V, Vds=12V, f=1MHz 846 225 pF pF Reverse transfer capacitance Gate resistance SWITCHING PARAMETERS Total gate charge(Vgs=10V) Crss Rg Vgs=0V, f=1MHz 126 1.65 pF Ω Qg 17.0 8.1 nC nC 2 2 2.7 4.0 nC nC 2 2 9 ns 2 Total gate charge(Vgs=4.5V) Vds=15V, Id=8.8A Gate-source charge Gate-drain charge Qgs Qgd Turn-on delay time Turn-on rise time td(on) Vgs=10V, Vds=15V 30 ns 2 Turn-off delay time Turn-off fall time td(off) Id=12.5A, Rgen=6Ω tf 20 6 ns ns 2 2 21 10 ns nC Body diode reverse recovery time Body diode reverse recovery charge tr trr Qrr If=11A, dIf/dt=100A/μs NOTE : 1. Pulsed width≤300μsec and Duty cycle≤2%; 2. Independent of operating temperature; 3. Pulsed width limited by maximum junction temperature. 4. Duty cycle ≤ 1%. 4-2 Single N-channel MOSFET ELM34416AA-N ���������������������������������� � ��������� � ■Typical electrical and thermal characteristics ����������������������������� � � �������� ������ ������������������������� � � � � � � � � � � � ������������������������� � �� � � � �� �� � � � �� � �� �� ������������������������������� ������������������������������� � ����������������������� �� �� �� � �� �� � �� � � � � �� � � �� � � ��������� ��� ��������� � ��� � ��������� ��� � ��������� ��� ��������� ��� ��������� ��� ��������� ��� �������������������������� � ��� � � � ������ �� ���� � � � � ��� ��� ��� ��� ��� ������������������������������� ��� ��� ��� � �� �� �� ��� ��� �������� ���� �������� ���� �������� � ��� � �� �� �� �� �� �������������������������������� ����������������������������������� � ������� �� ������� � ������� � ������ � � � ��� �������� ����������������������� �������������������������������� � � � ������ � �������� ���������������������������� � � ���� ������������������������������ � � �� ���� � � � ���� � �������� ��� � �� ��������������������������� ��� ��������� � �� ����������������������������� �������������������� � �� � ��� ��� �������������������������������� ��������� �� � � � ������� � ������� ������� � ������ � ������� ������� ������� ������� � � � �� �� ��� �� ��� ��� ��� ��� ��� ��� �������������������������������� ����������������������� � ��������� � � ������������ �� 4-3 Single N-channel MOSFET ELM34416AA-N ���������������������������������� � ����������������������������� � � ��������� � �������� ������ ������������������������� � � � �������������������� ��������������������������������������� �� � ��� � � �� � � � ����� ���������������������� � �� � ������ ��������������� ��� � � ���� � � � ��� �� ��� ������ ��� ������� �������� � ������������ ��� � � ��������� ���������������������� � ������������ ���������� ��� ������ � �� �� �� �� ������������� � � ���� ��� �� � �� ����� ��� ���� �������������������������������� ����������������������������� ���������������������������� � ��� � �� ��������������������� ��������������������������������� �������� � � �������� �������������� � � � ��� �������� ���� � ���� � � � �������� � � ����� ��� ���� ������������������������� ������������� � ��� ��������������������� ������������������������ ������ ������ �������� ������ ������ ������ ������ ������ ������ ������ ������ ������ ������������������������������������� � � � � � � � � � � ��������� � � ������������ �� 4-4