日本語版

広い電源電圧範囲の
レールtoレール出力計装アンプ
AD8227
ピン配置
特長
AD8227
–IN
1
8
+VS
RG
2
7
VOUT
RG
3
6
REF
+IN
4
5
–VS
TOP VIEW
(Not to Scale)
07759-001
外付け抵抗 1 本でゲインを設定
ゲイン範囲: 5～1000
入力電圧がグラウンド以下に変化可能
電源電圧を超える入力を保護
電源範囲が非常に広い
単電源動作: 2.2 V～36 V
両電源動作: ±1.5 V～±18 V
帯域幅(G = 5): 250 kHz
CMRR (G = 5): 最小 100 dB (B グレード)
入力ノイズ: 24 nV/√Hz
電源電流: 350 µA (typ)
仕様温度範囲: −40°C～+125°C
8 ピンの SOIC または MSOP パッケージを採用
図 1.
表 1.計装アンプの分類 1
General
Purpose
AD8220
AD8221
AD8222
AD8224
AD8228
AD8295
アプリケーション
工業用プロセス・コントロール
ブリッジ・アンプ
医療計測機器
携帯型データ・アクイジション
マルチチャンネル・システム
1
Zero
Drift
AD8231
AD8290
AD8293
AD8553
AD8556
AD8557
Military
Grade
AD620
AD621
AD524
AD526
AD624
Low
Power
AD627
AD623
AD8223
AD8226
AD8227
High Speed
PGA
AD8250
AD8251
AD8253
計装アンプの最新の選択肢については http://www.analog.com/jpをご覧くださ
い。
概要
AD8227 は、広い電源範囲を持つ低価格の計装アンプであり、1 本
の外付け抵抗でゲインを 5～1000 に設定することができます。
AD8227 は、様々な信号電圧で動作するようにデザインされてい
ます。このデバイスは広い入力範囲とレール to レール出力を持
つため、各電源電圧をフル利用して信号を処理することができ
ます。この入力範囲では信号が負電源を下回ることができるた
め、両電源を必要とせずに、グラウンド付近の小信号を増幅する
ことができます。AD8227 は、両電源では±1.5 V～±18 V の範囲
で、単電源では 2.2 V～36 V の範囲で、それぞれ動作することが
できます。
AD8227 は、マルチチャンネルの省スペース・アプリケーショ
ンに最適です。AD8227 は MSOP パッケージを採用し、125°C の
温度定格であるため、実装密度が高く、強制空冷のないデザイ
ンで使用することができます。
AD8227 は、8 ピンの MSOP パッケージまたは SOIC パッケージ
を採用し、−40°C～+125°C の動作に対して仕様が規定されてい
ます。
1 ～ 1000 の ゲ イ ン 範 囲 を 持 つ 同 様 の 計 装 ア ン プ に つ い て は
AD8226 を参照してください。
AD8227 の強固な入力は、実環境のセンサーに接続するように
デザインされています。AD8227 は広い動作範囲を持つ他に、
電源電圧を超える電圧を処理することもできます。例えば、±5
V 電源で、デバイスは±35 V の入力に損傷なしで耐えることが
保証されています。断線を検出できるようにするため、最小と
最大の入力バイアス電流値も規定されています。
Rev. 0
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に
関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、
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本
AD8227
目次
特長......................................................................................................1
ゲインの選択................................................................................ 19
アプリケーション ..............................................................................1
リファレンス・ピン.................................................................... 20
ピン配置..............................................................................................1
入力電圧範囲................................................................................ 20
概要......................................................................................................1
レイアウト.................................................................................... 20
改訂履歴..............................................................................................2
入力バイアス電流のリターン・パス ........................................ 21
仕様......................................................................................................3
入力保護 ....................................................................................... 21
絶対最大定格 ......................................................................................7
無線周波数干渉(RFI)................................................................... 21
熱抵抗..............................................................................................7
アプリケーション情報 .................................................................... 22
ESDの注意 ......................................................................................7
差動駆動 ....................................................................................... 22
ピン配置およびピン機能説明 ..........................................................8
高精度ストレイン・ゲージ ........................................................ 22
代表的な性能特性 ..............................................................................9
ADCの駆動 ................................................................................... 23
動作原理............................................................................................19
外形寸法............................................................................................ 24
アーキテクチャ............................................................................19
オーダー・ガイド........................................................................ 24
改訂履歴
5/09—Revision 0: Initial Version
Rev. 0
－ 2/24 －
AD8227
仕様
特に指定がない限り、+VS = +15 V、−VS = −15 V、VREF = 0 V、TA = 25°C、G = 5、RL = 10 kΩ、仕様は入力基準。
表 2.
Parameter
COMMON-MODE REJECTION
RATIO
DC to 60 Hz
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
5 kHz
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
NOISE
Voltage Noise, 1 kHz
Input Voltage Noise, eNI
Output Voltage Noise, eNO
RTI
G=5
G = 10
G = 100 to 1000
Current Noise
VOLTAGE OFFSET
Input Offset, VOSI
Average Temperature Drift
Output Offset, VOSO
Average Temperature Drift
Offset RTI vs. Supply (PSR)
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
INPUT CURRENT
Input Bias Current1
Average Temperature Drift
Input Offset Current
Average Temperature Drift
REFERENCE INPUT
RIN
IIN
Voltage Range
Reference Gain to Output
Reference Gain Error
Rev. 0
Test Conditions/
Comments
VCM = −10 V to +10 V
Min
A Grade
Typ
Max
Min
B Grade
Typ
Max
Unit
90
96
105
105
100
105
110
110
dB
dB
dB
dB
80
86
86
86
80
86
86
86
dB
dB
dB
dB
Total noise:
eN = √(eNI2 + (eNO/G)2)
24
310
25
315
24
310
25
315
nV/√Hz
nV/√Hz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
1.5
0.9
0.5
100
3
f = 1 kHz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
Total offset voltage:
VOS = VOSI + (VOSO/G)
VS = ±5 V to ±15 V
TA = −40°C to +125°C
VS = ±5 V to ±15 V
TA = −40°C to +125°C
VS = ±5 V to ±15 V
0.2
2
1.5
0.9
0.5
100
3
200
2
1000
10
90
96
105
105
TA = +25°C
TA = +125°C
TA = −40°C
TA = −40°C to +125°C
TA = +25°C
TA = +125°C
TA = −40°C
TA = −40°C to +125°C
5
5
5
0.2
2
100
1
500
5
100
105
110
110
20
15
30
70
27
25
35
5
5
5
20
15
30
70
5
60
12
60
12
+VS
1
0.01
27
25
35
1.5
1.5
2
5
−VS
µV
µV/°C
µV
µV/°C
dB
dB
dB
dB
1.5
1.5
2
－ 3/24 －
µV p-p
µV p-p
µV p-p
fA/√Hz
pA p-p
−VS
+VS
1
0.01
nA
nA
nA
pA/°C
nA
nA
nA
pA/°C
kΩ
µA
V
V/V
%
AD8227
Parameter
DYNAMIC RESPONSE
Small Signal −3 dB Bandwidth
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
Settling Time 0.01%
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
Slew Rate2
GAIN3
Gain Range
Gain Error
G=5
G = 10 to 1000
Gain Nonlinearity
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
Gain vs. Temperature
G=5
G>5
INPUT
Impedance
Differential
Common Mode
Operating Voltage Range4
Overvoltage Range
Test Conditions/
Comments
Min
A Grade
Typ
Max
Min
B Grade
Typ
Max
Unit
250
200
50
5
250
200
50
5
kHz
kHz
kHz
kHz
14
15
35
275
0.8
14
15
35
275
0.8
µs
µs
µs
µs
V/µs
10 V step
G = 5 to 100
G = 5 + (80 kΩ/RG)
5
1000
5
1000
V/V
0.04
0.3
0.02
0.15
%
%
10
15
15
750
10
15
50
150
ppm
ppm
ppm
ppm
5
−100
5
−100
ppm/°C
ppm/°C
GΩ||pF
GΩ||pF
V
V
V
V
VOUT = −10 V to +10 V
VOUT = −10 V to +10 V
RL ≥ 2 kΩ
RL ≥ 2 kΩ
RL ≥ 2 kΩ
RL ≥ 2 kΩ
TA = −40°C to +125°C
VS = ±1.5 V to +36 V
0.8||2
0.4||2
0.8||2
0.4||2
TA = +25°C
TA = +125°C
TA = −40°C
TA = −40°C to +125°C
−VS − 0.1
−VS − 0.05
−VS − 0.15
+VS − 40
+VS − 0.8
+VS − 0.6
+VS − 0.9
−VS + 40
−VS − 0.1
−VS − 0.05
−VS − 0.15
+VS − 40
+VS − 0.8
+VS − 0.6
+VS − 0.9
−VS + 40
TA = −40°C to +85°C
TA = +85°C to +125°C
TA = −40°C to +125°C
−VS + 0.2
−VS + 0.2
−VS + 0.1
+VS − 0.2
+VS − 0.3
+VS − 0.1
−VS + 0.2
−VS + 0.2
−VS + 0.1
+VS − 0.2
+VS − 0.3
+VS − 0.1
V
V
V
mA
±18
425
325
525
600
V
µA
µA
µA
µA
+125
°C
OUTPUT
Output Swing
RL = 10 kΩ to ground
RL = 100 kΩ to ground
Short-Circuit Current
POWER SUPPLY
Operating Range
Quiescent Current
TEMPERATURE RANGE
13
Dual-supply operation
TA = +25°C
TA = −40°C
TA = +85°C
TA = +125°C
±1.5
350
250
450
525
−40
1
13
±18
425
325
525
600
±1.5
+125
−40
350
250
450
525
入力ステージでは PNP トランジスタを使っているため、デバイスに常に入力バイアス電流が流入しています。
高いゲインで、デバイスはスルーレートよりは帯域幅の方で制限されます。
3
G > 5 の場合、ゲイン誤差規定値には外付け抵抗 RG の影響は含まれません。
4
AD8227 入力ステージの入力電圧範囲。入力範囲は、同相モード電圧、差動電圧、ゲイン、リファレンス電圧に依存します。詳細については、入力電圧範囲のセクシ
ョンを参照してください。
2
Rev. 0
－ 4/24 －
AD8227
特に指定がない限り、+VS = 2.7 V、−VS = 0 V、VREF = 0 V、TA = 25°C、G = 5、RL = 10 kΩ、仕様は入力基準。
表 3.
Parameter
Test Conditions/
Comments
COMMON-MODE REJECTION
RATIO
DC to 60 Hz
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
5 kHz
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
VCM = 0 V to 1.7 V
NOISE
Total noise:
eN = √(eNI2 + (eNO/G)2)
Voltage Noise, 1 kHz
Input Voltage Noise, eNI
Output Voltage Noise, eNO
RTI
G=5
G = 10
G = 100 to 1000
Current Noise
VOLTAGE OFFSET
Input Offset, VOSI
Average Temperature Drift
Output Offset, VOSO
Average Temperature Drift
Offset RTI vs. Supply (PSR)
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
INPUT CURRENT
Input Bias Current1
Average Temperature Drift
Input Offset Current
Average Temperature Drift
REFERENCE INPUT
RIN
IIN
Voltage Range
Reference Gain to Output
Reference Gain Error
Rev. 0
Min
A Grade
Typ
Max
Min
B Grade
Typ
Max
Unit
90
96
105
105
100
105
110
110
dB
dB
dB
dB
80
86
86
86
80
86
86
86
dB
dB
dB
dB
25
310
28
330
25
310
28
330
nV/√Hz
nV/√Hz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
1.5
0.8
0.5
100
3
f = 1 kHz
f = 0.1 Hz to 10 Hz
Total offset voltage:
VOS = VOSI + (VOSO/G)
VS = 0 V to 1.7 V
TA = −40°C to +125°C
VS = 0 V to 1.7 V
TA = −40°C to +125°C
VS = 0 V to 1.7 V
0.2
2
1.5
0.8
0.5
100
3
200
2
1000
10
90
96
105
105
TA = +25°C
TA = +125°C
TA = −40°C
TA = −40°C to +125°C
TA = +25°C
TA = +125°C
TA = −40°C
TA = −40°C to +125°C
5
5
5
0.2
2
100
1
500
5
100
105
110
110
20
15
30
70
27
25
35
5
5
5
20
15
30
70
5
60
12
60
12
+VS
1
0.01
27
25
35
1.5
1.5
2
5
−VS
µV
µV/°C
µV
µV/°C
dB
dB
dB
dB
1.5
1.5
2
－ 5/24 －
µV p-p
µV p-p
µV p-p
fA/√Hz
pA p-p
−VS
+VS
1
0.01
nA
nA
nA
pA/°C
nA
nA
nA
pA/°C
kΩ
µA
V
V/V
%
AD8227
Parameter
DYNAMIC RESPONSE
Small Signal −3 dB Bandwidth
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
Settling Time 0.01%
G=5
G = 10
G = 100
G = 1000
Slew Rate2
GAIN3
Gain Range
Gain Error
G=5
G = 10 to 1000
Gain vs. Temperature
G=5
G>5
INPUT
Impedance
Differential
Common Mode
Operating Voltage Range4
Overvoltage Range
Test Conditions/
Comments
Min
A Grade
Typ
Max
B Grade
Typ
Max
Unit
250
200
50
5
250
200
50
5
kHz
kHz
kHz
kHz
6
6
30
275
0.6
6
6
30
275
0.6
µs
µs
µs
µs
V/µs
Min
2 V step
G = 5 to 10
G = 5 + (80 kΩ/RG)
5
1000
VOUT = 0.8 V to 1.8 V
VOUT = 0.2 V to 2.5 V
TA = −40°C to +125°C
5
1000
V/V
0.04
0.3
0.04
0.3
%
%
5
−100
5
−100
ppm/°C
ppm/°C
GΩ||pF
GΩ||pF
V
V
V
V
−VS = 0 V; +VS = 2.7 V to 36
V
0.8||2
0.4||2
TA = +25°C
TA = −40°C
TA = +125°C
TA = −40°C to +125°C
0.8||2
0.4||2
−0.1
−0.15
−0.05
+VS − 40
+VS − 0.7
+VS − 0.9
+VS − 0.6
−VS + 40
−0.1
−0.15
−0.05
+VS − 40
+VS − 0.7
+VS − 0.9
+VS − 0.6
−VS + 40
0.2
0.1
+VS − 0.2
+VS − 0.1
0.2
0.1
+VS − 0.2
+VS − 0.1
V
V
mA
36
V
400
325
500
550
µA
µA
µA
µA
+125
°C
OUTPUT
Output Swing
RL = 2 kΩ to 1.35 V
RL = 10 kΩ to 1.35 V
Short-Circuit Current
POWER SUPPLY
Operating Range
Quiescent Current
TEMPERATURE RANGE
TA = −40°C to +125°C
13
Single-supply operation
+VS = 2.7 V
TA = +25°C
TA = −40°C
TA = +85°C
TA = +125°C
2.2
36
325
250
425
475
−40
1
13
2.2
400
325
500
550
+125
325
250
425
475
−40
入力ステージでは PNP トランジスタを使っているため、デバイスに常に入力バイアス電流が流入しています。
高いゲインで、デバイスはスルーレートよりは帯域幅の方で制限されます。
3
G > 5 の場合、ゲイン誤差規定値には外付け抵抗 RG の影響は含まれません。
4
AD8227 入力ステージの入力電圧範囲。入力範囲は、同相モード電圧、差動電圧、ゲイン、リファレンス電圧に依存します。詳細については、入力電圧範囲のセクシ
ョンを参照してください。
2
Rev. 0
－ 6/24 －
AD8227
絶対最大定格
表 4.
Parameter
Rating
Supply Voltage
Output Short-Circuit Current
Maximum Voltage at −IN or +IN
Minimum Voltage at −IN or +IN
REF Voltage
Storage Temperature Range
Operating Temperature Range
Maximum Junction Temperature
±18 V
Indefinite
−VS + 40 V
+VS − 40 V
±VS
−65°C to +150°C
−40°C to +125°C
140°C
熱抵抗
θJA は、自然空冷のデバイスで規定。
表 5.
θJA
Unit
8-Lead MSOP, 4-Layer JEDEC Board
8-Lead SOIC, 4-Layer JEDEC Board
135
121
°C/W
°C/W
ESDの注意
上記の絶対最大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒
久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格
の規定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクシ
ョンに記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは
ありません。デバイスを長時間絶対最大定格状態に置くとデバ
イスの信頼性に影響を与えます。
Rev. 0
Package
－ 7/24 －
ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスで
す。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知さ
れないまま放電することがあります。本製品は当社
独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはい
ますが、デバイスが高エネルギーの静電放電を被っ
た場合、損傷を生じる可能性があります。したがっ
て、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対
する適切な予防措置を講じることをお勧めします。
AD8227
–IN
1
RG
2
RG
+IN
AD8227
8
+VS
7
VOUT
3
6
REF
4
5
–VS
TOP VIEW
(Not to Scale)
07759-002
ピン配置およびピン機能説明
図 2.ピン配置
表 6.ピン機能の説明
ピン番号
記号
説明
1
−IN
負入力。
2、3
RG
ゲイン設定ピン。これら 2 本のピンの間にゲイン抵抗を接続します。
4
+IN
正入力。
5
−VS
負電源。
6
REF
リファレンス。このピンは、低インピーダンスで駆動する必要があります。
7
VOUT
出力。
8
+VS
正電源。
Rev. 0
－ 8/24 －
AD8227
代表的な性能特性
特に指定がない限り、T = 25°C、VS = ±15 V、RL = 10 kΩ。
500
MEAN: 15.9
SD: 196.50
MEAN: 0.0668
SD: 0.065827
1000
400
800
HITS
HITS
300
600
200
400
100
–600
–300
0
300
OUTPUT VOS (µV)
600
900
0
–0.9
図 3.出力オフセット電圧の分布
–0.3
0
0.3
INPUT VOS DRIFT (µV)
0.6
0.9
図 6.入力オフセット電圧ドリフトの分布、G = 100
MEAN: –0.701
SD: 0.676912
700
–0.6
07759-006
–900
07759-003
0
200
MEAN: 20.4
SD: 0.5893
1000
600
800
600
HITS
HITS
500
400
300
400
200
200
–4
–2
0
2
OUTPUT VOS DRIFT (µV)
4
6
0
16
MEAN: –5.90
SD: 15.8825
600
HITS
600
400
400
200
200
–100
–50
0
50
INPUT VOS (µV)
100
150
200
0
–0.9
07759-005
HITS
800
–150
図 5.入力オフセット電圧の分布
Rev. 0
24
26
MEAN: –0.027
SD: 0.079173
1000
800
0
–200
20
22
POSITIVE IBIAS (nA)
図 7.入力バイアス電流の分布
図 4.出力オフセット電圧ドリフトの分布
1000
18
–0.6
–0.3
0
IOS (nA)
0.3
図 8.入力オフセット電流の分布
－ 9/24 －
0.6
0.9
07759-008
–6
07759-004
0
07759-007
100
AD8227
1.6
VREF = 0V
+0.02V, +1.5V
VREF = 0V
1.4
+2.67V, +1.2V
+2.67V, +1.2V
1.0
+2.7V, +1.1V
VREF = 1.35V
0.8
0.6
0.4
0.2
+2.7V, 0V
0
+0.02V, –0.15V
+0.02V, –0.3V
–0.4
–0.5
0
+1.35V, –0.3V
0.5
1.0
1.5
2.0
OUTPUT VOLTAGE (V)
2.5
+0.02V, +1.35V
1.0
3.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–0.4
–0.5
+4.96V, +3.5V
2
1
+4.96V, +0.2V
+0.01V, –0.05V
+0.02V, –0.3V
–1
–0.5
0
0.5
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
OUTPUT VOLTAGE (V)
4.5
+4.96V, +3.75V
VREF = 2.5V
3
5.0
1
–1
–0.5
0.5
1.0
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
OUTPUT VOLTAGE (V)
+4.96V, –0.25V
4.0
4.5
5.0
5.5
6
–4.98V, +3.7V
0V, +4.2V
+4.96V, +3.7V
4
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
0
+2.5V, –0.3V
図 13.出力電圧対入力同相モード電圧
単電源、VS = 5 V、G = 100
6
2
0
–2
–4
–4.96V, +3.75V
–2
0
2
OUTPUT VOLTAGE (V)
+4.96V, +3.25V
0
–2
–4
0V, –5.3V
+4.96V, –4.8V
4
6
–6
–6
07759-011
–4.97V, –4.8V
–6
–6
–4
0V, +4.2V
2
0V, –5.3V
図 11.出力電圧対入力同相モード電圧
両電源、VS = ±5 V、G = 5
Rev. 0
+4.96V, –0.2V
+0.02V, –0.25V
+0.02V, –0.3V
5.5
+4.96V, +3.5V
2
図 10.出力電圧対入力同相モード電圧
単電源、VS = 5 V、G = 5
4
3.0
+0.02V, +4V
+4.96V, –0.05V
4.0
2.5
VREF = 0V
4
0
+2.5V, –0.3V
07759-010
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
+4.96V, +3.75V
0
1.0
1.5
2.0
OUTPUT VOLTAGE (V)
+0.02V, +4.25V
+0.02V, +4V
VREF = 2.5V
0.5
5
4
3
0
+2.67V, –0.25V
+1.35V, –0.3V
+0.02V, –0.3V
図 12.出力電圧対入力同相モード電圧
単電源、VS = 2.7 V、G = 100
VREF = 0V
+0.02V, +4.25V
+2.67V, –0.25V
+0.02V, –0.25V
図 9.出力電圧対入力同相モード電圧
単電源、VS = 2.7 V、G = 5
5
+2.67V, +1.1V
VREF = 1.35V
–0.2
+2.67V, –0.15V
07759-009
–0.2
1.2
07759-012
+0.02V, +1.35V
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
1.2
07759-013
+0.02V, +1.5V
1.4
–4.96V, –5.1V
–4
+4.96V, –5.1V
–2
0
2
OUTPUT VOLTAGE (V)
4
図 14.出力電圧対入力同相モード電圧
両電源、VS = ±5 V、G = 100
－ 10/24 －
6
07759-014
1.6
AD8227
16
14
VS = ±15V
0V, +11.2V
VS = ±12V
–5
–15
+11.94V,
–11.1V
0V, –12.3V
–14.96V, –13.8V
–20
–20
–15
–10
–5
0
5
OUTPUT VOLTAGE (V)
10
15
20
3.00
+14.94V, +12.7V
+11.94V,
+10V
OUTPUT VOLTAGE (V)
5
VS = ±12V
0
–5
–11.96V,
–11.3V
–10
–15
+11.94V,
–11.3V
0V, –12.3V
–14.96V, –14V
–20
–20
–15
–10
0V, –15.3V
–5
0
5
OUTPUT VOLTAGE (V)
+14.94V, –14V
10
15
20
0.3
2.00
0.2
1.75
0.1
1.50
–0.2
0.75
–0.3
0.50
–0.4
0.25
–0.5
12
10
0.3
8
2.00
0.2
1.75
0.1
1.50
1.25
0
IIN
–0.1
1.00
–0.2
0.75
–0.3
0.50
–0.4
0.25
–0.5
0
–0.6
–40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15 20 25 30 35 40
INPUT VOLTAGE (V)
図 17.入力過電圧性能、G = 5、VS = 2.7 V
Rev. 0
OUTPUT VOLTAGE (V)
VOUT
–0.1
1.00
0.4
INPUT CURRENT (mA)
OUTPUT VOLTAGE (V)
2.25
0
IIN
1.25
16
14
0.5
2.50
0.4
図 19.入力過電圧性能、G = 100、VS = 2.7 V
0.6
VS = 2.7V, G = 5
0.5
VOUT
0
–0.6
–40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15 20 25 30 35 40
INPUT VOLTAGE (V)
07759-017
2.75
0.6
VS = 2.7V, G = 100
2.25
図 16.出力電圧対入力同相モード電圧
両電源、VS = ±15 V、G = 100
3.00
–0.3
2.50
07759-016
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
2.75
0V, +11.2V
–11.96V,
+10V
–0.2
図 18.入力過電圧性能
G = 5、VS = ±15 V
VS = ±15V
10
–0.1
–0.4
–14
–16
–0.5
–40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15 20 25 30 35 40
INPUT VOLTAGE (V)
20
0V, +14.2V
0
–4
–6
–8
–10
図 15.出力電圧対入力同相モード電圧
両電源、VS = ±15 V、G = 5
15 –14.96V, +12.7V
0.1
IIN
–12
+14.94V, –13.8V
0V, –15.3V
0
–2
0.2
07759-018
–11.96V,
–11.1V
–10
6
4
2
INPUT CURRENT (mA)
0
0.3
8
+11.94V,
+10V
0.4
07759-019
5
VOUT
0.5
VS = ±15V, G = 100
0.4
VOUT
0.2
6
4
2
0
–2
0.1
IIN
0
–0.1
–4
–6
–8
–10
–12
–0.2
–0.3
–0.4
–14
–16
–0.5
–40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5 0 5 10 15 20 25 30 35 40
INPUT VOLTAGE (V)
図 20.入力過電圧性能、G = 100、VS = ±15 V
－ 11/24 －
0.3
INPUT CURRENT (mA)
–11.96V,
+10V
OUTPUT VOLTAGE (V)
10
07759-015
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
12
10
+14.94V, +12.7V
07759-020
0V, +14.2V
15 –14.96V, +12.7V
0.5
VS = ±15V, G = 5
INPUT CURRENT (mA)
20
AD8227
33
140
120
–0.14V
29
NEGATIVE PSRR (dB)
27
+4.23V
25
23
21
G = 1000
100
G = 100
80
60
G = 10
40
G=5
19
20
17
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
4.0
0
0.1
07759-021
15
–0.5
4.5
1
図 21.同相モード電圧対入力バイアス電流、VS = 5 V
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
100k
図 24.負 PSRR の周波数特性
40
70
–15.01V
60
35
G = 1000
50
30
40
25
GAIN (dB)
INPUT BIAS CURRENT (nA)
10
07759-024
INPUT BIAS CURRENT (nA)
31
+14.03V
20
15
G = 100
30
20
10
G = 10
G=5
0
10
–10
5
–12
–8
–4
0
4
8
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
12
16
–30
100
07759-022
0
–16
図 22.同相モード電圧対入力バイアス電流、VS = ±15 V
160
140
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
10M
図 25.ゲインの周波数特性、VS = ±15 V
G = 1000
70
G = 100
60
G = 10
50
G=5
40
100
GAIN (dB)
POSITIVE PSRR (dB)
120
1k
07759-025
–20
80
60
G = 1000
G = 100
30
20
G = 10
G=5
10
0
40
–10
20
10
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
100k
図 23.正 PSRR の周波数特性、RTI
Rev. 0
–30
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
1M
図 26.ゲインの周波数特性、VS = 2.7 V
－ 12/24 －
10M
07759-026
1
07759-023
0
0.1
–20
AD8227
G = 100
30
G = 10
INPUT BIAS CURRENT (nA)
120
CMRR (dB)
G=5
100
80
60
40
0
0.1
1
10
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
100k
図 27.CMRR の周波数特性、RTI
100
20
75
15
50
10
25
5
–45 –30 –15
15 30 45 60 75
TEMPERATURE (°C)
90
0
105 120 135
300
140 G = 1000
200
G = 100
G = 10
GAIN ERROR (µV/V)
G=5
CMRR (dB)
0
図 30.入力バイアス電流とオフセット電流の温度特性
160
120
125
25
07759-027
20
VS = ±15V
VREF = 0V
–IN BIAS CURRENT
+IN BIAS CURRENT
OFFSET CURRENT
INPUT OFFSET CURRENT (pA)
140
150
35
G = 1000
07759-030
160
100
80
60
100
0
–100
40
1
10
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
100k
–300
–40
07759-028
0
0.1
–20
0
20
40
60
TEMPERATURE (°C)
80
100
120
07759-031
–200
20
図 31.ゲイン誤差の温度特性、G = 5
図 28.CMRR の周波数特性、RTI、1 kΩ ソース不平衡
10
0.3
6
4
0.1
CMRR (µV/V)
CHANGE IN INPUT OFFSET (µV)
8
0.2
0
–0.1
2
0
–2
–4
–6
–0.2
0
10
20
30
40 50 60 70
80
WARM-UP TIME (s)
90
100 110 120
–20
0
20
40
60
TEMPERATURE (°C)
80
図 32.CMRR の温度特性、G = 5
図 29.ウォームアップ時間対入力オフセット電圧変化
Rev. 0
–10
–40
－ 13/24 －
100
120
07759-032
–0.3
07759-029
–8
AD8227
+VS
–0.4
–0.6
10
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
INPUT VOLTAGE (V)
REFERRED TO SUPPLY VOLTAGES
15
–40°C
+25°C
+85°C
+105°C
+125°C
–0.2
–0.8
–VS
–0.2
–0.4
–40°C
+25°C
+85°C
+105°C
+125°C
5
0
–5
–10
2
4
6
8
10
12
SUPPLY VOLTAGE (±VS)
14
16
18
–15
100
07759-033
1k
+VS
–0.1
–0.2
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
REFERRED TO SUPPLY VOLTAGES
–0.2
–40°C
+25°C
+85°C
+105°C
+125°C
+0.4
+0.3
+0.2
–0.6
–0.8
+0.8
+0.6
+0.4
+0.2
+0.1
2
4
6
8
10
12
SUPPLY VOLTAGE (±VS)
14
16
18
–VS
0.01
07759-034
–VS
–40°C
+25°C
+85°C
+105°C
+125°C
–0.4
0.1
1
OUTPUT CURRENT (mA)
図 37.出力電流対出力電圧振幅
図 34.電源電圧対出力電圧振幅、RL = 10 kΩ
40
+VS
G=5
30
–0.4
–40°C
+25°C
+85°C
+105°C
+125°C
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
NONLINEARITY (10ppm/DIV)
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
REFERRED TO SUPPLY VOLTAGES
–0.2
+1.2
+1.0
+0.8
20
10
0
–10
–20
+0.6
–30
+0.4
–VS
2
4
6
8
10
12
SUPPLY VOLTAGE (±VS)
14
16
18
07759-035
+0.2
–40
–10
–8
–6
–4
–2
0
2
4
OUTPUT VOLTAGE (V)
6
8
図 38.ゲイン非直線性、G = 5、RL ≥ 2 kΩ
図 35.電源電圧対出力電圧振幅、RL = 2 kΩ
Rev. 0
10
－ 14/24 －
10
07759-038
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
REFERRED TO SUPPLY VOLTAGES
+VS
–0.4
100k
図 36.負荷抵抗対出力電圧振幅
図 33.電源電圧対入力電圧制限値
–0.3
10k
LOAD (Ω)
07759-037
–0.8
07759-036
–0.6
AD8227
40
1k
G = 10
NONLINEARITY (10ppm/DIV)
30
20
NOISE (nV/ Hz)
10
0
–10
100
G = 5 (67nV/ Hz)
G = 10 (40nV/ Hz)
G = 100 (26nV/ Hz)
–20
G = 1000 (25nV/ Hz)
–30
–6
–4
–2
0
2
4
OUTPUT VOLTAGE (V)
6
8
10
図 39.ゲイン非直線性、G = 10、RL ≥ 2 kΩ
BANDWIDTH
LIMITED
1
10
100
1k
FREQUENCY (Hz)
10k
100k
07759-042
–8
10
07759-039
–40
–10
図 42.電圧ノイズ・スペクトル密度の周波数特性
160
G = 1000, 200nV/DIV
G = 100
NONLINEARITY (40ppm/DIV)
120
80
40
0
G = 5, 1µV/DIV
–40
–80
–8
–6
–4
–2
0
2
4
OUTPUT VOLTAGE (V)
6
8
10
07759-040
–160
–10
07759-043
–120
図 43.0.1 Hz～10 Hz での RTI 電圧ノイズ
G = 5、G = 1000
図 40.ゲイン非直線性、G = 100、RL ≥ 2 kΩ
1k
400
G = 1000
200
NOISE (fA/ Hz)
100
0
100
–100
–200
–300
10
–8
–6
–4
–2
0
2
4
OUTPUT VOLTAGE (V)
6
8
10
07759-041
–400
–10
1
10
100
FREQUENCY (Hz)
1k
10k
図 44.電流ノイズ・スペクトル密度の周波数特性
図 41.ゲイン非直線性、G = 1000、RL ≥ 2 kΩ
Rev. 0
－ 15/24 －
07759-044
NONLINEARITY (100ppm/DIV)
300
AD8227
5V/DIV
13.8µs TO 0.01%
16.8µs TO 0.001%
1s/DIV
40µs/DIV
07759-048
1.5pA/DIV
07759-045
0.002%/DIV
図 48.大信号パルス応答とセトリング・タイム
G = 10、10 V ステップ、VS = ±15 V
図 45.0.1 Hz～10 Hz での電流ノイズ
30
5V/DIV
20
35µs TO 0.01%
50µs TO 0.001%
15
10
0.002%/DIV
5
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
07759-046
40µs/DIV
0
100
07759-049
OUTPUT VOLTAGE (V p-p)
25
図 49.大信号パルス応答とセトリング・タイム
G = 100、10 V ステップ、VS = ±15 V
図 46.大信号周波数応答
5V/DIV
5V/DIV
275µs TO 0.01%
350µs TO 0.001%
13.4µs TO 0.01%
16.6µs TO 0.001%
0.002%/DIV
200µs/DIV
07759-047
40µs/DIV
図 50.大信号パルス応答とセトリング・タイム
G = 1000、10 V ステップ、VS = ±15 V
図 47.大信号パルス応答とセトリング・タイム
G = 5、10 V ステップ、VS = ±15 V
Rev. 0
－ 16/24 －
07759-050
0.002%/DIV
20mV/DIV
20mV/DIV
4µs/DIV
07759-052
図 51.小信号パルス応答、G = 5、RL = 10 kΩ、CL = 100 pF
Rev. 0
図 53.小信号パルス応答、G = 100、RL = 10 kΩ、CL = 100 pF
20mV/DIV
図 52.小信号パルス応答、G = 10、RL = 10 kΩ、CL = 100 pF
－ 17/24 －
20µs/DIV
07759-053
4µs/DIV
100µs/DIV
07759-054
20mV/DIV
07759-051
AD8227
図 54.小信号パルス応答、G = 1000、RL = 10 kΩ、CL = 100 pF
AD8227
340
330
SUPPLY CURRENT (µA)
CL = 47pF
NO LOAD
CL = 100pF
CL = 147pF
320
310
4µs/DIV
290
図 55.様々な容量負荷での小信号パルス応答
G = 5、RL = ∞
SETTLING TIME (µs)
30
25
SETTLED TO 0.001%
20
15
SETTLED TO 0.01%
10
4
6
8
10
12
STEP SIZE (V)
14
16
18
20
07759-056
5
2
図 56.ステップ・サイズ対セトリング・タイム
VS = ±15 V、両電源
Rev. 0
2
4
6
8
10
12
SUPPLY VOLTAGE (±VS)
図 57.電源電圧対電源電流
35
0
0
－ 18/24 －
14
16
18
07759-057
20mV/DIV
07759-055
300
AD8227
動作原理
+VS
+VS
RG
NODE 3
NODE 4
R3
50kΩ
–VS
–VS
R1
8kΩ
R2
8kΩ
NODE 2
+IN
Q1
R5
10kΩ
A1
A2
VOUT
A3
NODE 1
ESD AND
OVERVOLTAGE
PROTECTION
+VS
R4
10kΩ
ESD AND
OVERVOLTAGE
PROTECTION
Q2
+VS
–VS
R6
50kΩ
REF
–IN
–VS
VBIAS
RB
–VS
DIFFERENCE
AMPLIFIER STAGE
GAIN STAGE
07759-058
RB
図 58.簡略化した回路図
アーキテクチャ
ゲインの選択
AD8227 は従来型 3 オペアンプ構成を採用しています。この構成
は、差動増幅用のプリアンプと、それに続く同相モード電圧を
除去しゲインを追加するディファレンス・アンプの 2 ステージ
から構成されています。図 58 に、AD8227 の簡略化した回路図
を示します。
RGピン間に抵抗を接続すると、AD8227 のゲインが設定されま
す。ゲインは、 表 7 から、または次のゲイン式から計算するこ
とができます。
最初のステージは次のように動作します。すなわち、バイアス
抵抗 RB の電圧を一定に維持するため、アンプ A1 はノード 3 を
一定のダイオード電圧降下値(正入力電圧より上)に維持します。
同様に、アンプ A2 はノード 4 を一定のダイオード電圧降下値
(負入力電圧より上)に維持します。このようにして、差動入力
電圧の増幅値がゲイン設定抵抗 RG の両端に加えられます。この
抵抗を流れる電流は抵抗 R1 と R2 にも流れるため、A2 出力と
A1 出力との間に増幅された差動信号が現れます。増幅された差
動信号の他に、元の同相モード信号がダイオード電圧降下分シ
フトされて存在していることに注意してください。
2 段目ステージは、アンプ A3 と R3～R6 の抵抗で構成されたデ
ィファレンス・アンプです。このステージでは、増幅された差
動信号から同相モード信号を除去して、さらにゲイン= 5 で増幅
します。
AD8227 の伝達関数は次式で表されます。
VOUT = G × (VIN+ − VIN−) + VREF
ここで、
G5
Rev. 0
80 kΩ
RG 
80 kΩ
G 5
表 7.一般的な抵抗値を使って実現できるゲイン
Standard Table Value of RG
Calculated Gain
No resistor
100 kΩ
49.9 kΩ
26.7 kΩ
20 kΩ
16 kΩ
10 kΩ
5.36 kΩ
2 kΩ
1.78 kΩ
1 kΩ
845 Ω
412 Ω
162 Ω
80.6 Ω
5
5.8
6.6
8
9
10
13
19.9
45
49.9
85
99.7
199
499
998
ゲイン抵抗を使わない場合は、AD8227 は G = 5(デフォルト)に
設定されます。システムの総合ゲイン精度を求めるときは、RG
抵抗の偏差とゲイン・ドリフトを AD8227 の仕様に加算してくだ
さい。ゲイン抵抗を使用しない場合は、ゲイン誤差とゲイン・
ドリフトが小さくなります。
RG
－ 19/24 －
AD8227
リファレンス・ピン
全周波数での同相モード除去比
AD8227 の出力電圧は、リファレンス・ピンの電位を基準にし
て発生されます。これは、出力信号を正確に電源の中心レベル
にオフセットさせる必要がある場合に便利です。例えば、電圧
源を REF ピンに接続して、AD8227 から単電源 ADC を駆動でき
るように、出力をレベル・シフトさせることができます。REF
ピンは ESD ダイオードで保護されているため、+VS または−VS
を 0.3 V 以上超えることはできません。
レイアウトが正しくないと、同相モード信号が差動信号に変換
されて計装アンプに到達することがあります。このような変換
は、入力パス相互の周波数応答が異なる場合に発生します。周
波数に対して CMRR を高く維持するためには、各パスの入力ソ
ース・インピーダンスと容量が一致している必要があります。
入力パスへソース抵抗(例えば入力保護)を追加するときは、計
装アンプ入力の近くに接続して、PCB パターンの寄生容量との
相互作用を小さくする必要があります。
最適性能を得るためには、REFピンへ接続するソース・インピ
ーダンスを 2 Ω以下にする必要があります。図 58 に示すように、
REFピンは 50 kΩの片側端子に接続されています。REFピンにイ
ンピーダンスを追加接続すると、この 50 kΩの抵抗に加算され
るため、正入力に接続された信号が増幅されます。追加した
RREF によるゲインは、次のように計算することができます。
6(50 kΩ + RREF)/(60 kΩ + RREF)
正信号パスのみが増幅されて、負信号パスは影響を受けません。
増幅率が平坦でない場合、CMRR が低下します。
INCORRECT
CORRECT
AD8227
REF
電源
安定なDC電圧を使って、計装アンプに電源を供給する必要があ
ります。電源ピンのノイズは性能に悪影響を与えることがあり
ます。PSRR性能カーブの詳細については、図 23 と 図 24 のセク
ションを参照してください。
0.1 µFのコンデンサを各電源ピンのできるだけ近くに配置する
必要があります。図 61 に示すように、10 μFのタンタル・コン
デンサをデバイスから離れたところに接続することができます。
多くの場合、このコンデンサは他の高精度ICに共用することが
できます。
AD8227
REF
V
ゲイン設定ピンの寄生容量も、周波数に対する CMRR に影響を
与えます。ボード・デザインでゲイン設定ピンに部品(例えばス
イッチまたはジャンパ)を接続する場合は、できるだけ寄生容量
の小さい部品を選ぶ必要があります。
V
+VS
+
OP1177
0.1µF
07759-059
–
+IN
図 59.リファレンス・ピンの駆動
RG
VOUT
AD8227
入力電圧範囲
LOAD
0.1µF
10µF
–VS
レイアウト
PCB レベルで AD8227 の最適性能を得るためには、ボード・レ
イアウトのデザインに注意が必要です。AD8227 ピンは、この
ために論理的に配置されています。
–IN 1
8 +VS
RG 2
7 VOUT
RG 3
6 REF
AD8227
5 –VS
TOP VIEW
(Not to Scale)
図 61.電源デカップリング、REF、
ローカル・グラウンド基準の出力
リファレンス
AD8227 の出力電圧は、リファレンス・ピンの電位を基準にし
て発生されます。REF を適切な最寄りのグラウンドに接続する
ように注意してください。
07759-060
+IN 4
07759-061
REF
–IN
大部分の計装アンプは、同相モード電圧が入力範囲の上限また
は下限に近いとき、非常に限られた出力電圧振幅を持ちます。
AD8227 にはこの制限が殆どありません。入力同相モード範囲
対出力電圧 については、図 9～図 16 を参照してください。
図 60.ピン配置図
Rev. 0
10µF
－ 20/24 －
AD8227
AD8227 の残りのピンは、電源電圧以内に維持する必要がありま
す。AD8227 のすべてのピンは、ESD に対して保護されていま
す。
入力バイアス電流のリターン・パス
AD8227 の入力バイアス電流には、グラウンドへのリターン・
パスが必要です。熱電対のように信号源にリターン電流パスが
ない場合には、図 62 に示すように設ける必要があります。
INCORRECT
AD8227 に許容限界を超える電圧が入力されるアプリケーショ
ンの場合には、外付け電流制限抵抗と、BAV199L、FJH1100、
または SP720 のような低リーク・ダイオード・クランプを使う
必要があります。
CORRECT
+VS
+VS
無線周波数干渉(RFI)
AD8227
アンプが強いRF信号が存在するアプリケーションで使われる場
合には、RFの整流がしばしば問題になります。外乱が小さい
DCオフセット電圧として現れることがあります。高周波信号は、
図 63 に示すように計装アンプの入力に接続されたローパスRC
回路で除去することができます。このフィルタを使って、次式
の関係により入力信号の帯域幅を制限します。
AD8227
REF
REF
–VS
–VS
TRANSFORMER
TRANSFORMER
+VS
FilterFrequency DIFF 
+VS
FilterFrequency CM 
AD8227
AD8227
REF
1
2πR(2C D  C C )
1
2πRC C
ここで、CD  10 CC。
REF
+VS
10MΩ
0.1µF
–VS
THERMOCOUPLE
THERMOCOUPLE
R
+VS
+VS
C
10µF
CC
1nF
+IN
4.02kΩ
CD
10nF
C
R
AD8227
C
R
1
fHIGH-PASS = 2πRC
REF
CC
1nF
REF
0.1µF
R
CAPACITIVELY COUPLED
–VS
07759-062
–VS
CAPACITIVELY COUPLED
図 62.入力バイアス電流リターン・パスの追加
入力保護
AD8227 は非常に強固な入力を持っているため、一般に入力保
護機能の追加は不要です。入力電圧は、反対側電源レールから
最大 40 Vまで可能です。例えば、+5 V正電源と−8 V負電源の場
合、デバイスは−35 Vから+32 Vまでの電圧に安全に耐えること
ができます。他の計装アンプとは異なり、このデバイスはデバ
イスが高ゲインである場合でも大きな差動入力電圧を処理する
ことができます。図 17～図 20 に、過電圧状態でのデバイス動
作を示します。
Rev. 0
REF
–IN
4.02kΩ
AD8227
C
VOUT
AD8227
RG
－ 21/24 －
10µF
–VS
07759-063
–VS
図 63.RFI の除去
CD は差動信号に有効で、CC は同相モード信号に有効です。R と
CC の値は、RFI を小さくするように選択する必要があります。
正入力の R×CC と負入力の R×CC との間に不一致があると、
AD8227 の CMRR 性能が低下します。CC の値より 1 桁大きい CD
の値を使うと、不一致の影響は小さくなるので、性能が改善さ
れます。
AD8227
アプリケーション情報
最適差動出力性能を得るためのアドバイス
差動駆動
図 64 に、AD8227 に差動信号を出力させる方法を示します。
+IN
+OUT
抵抗とオペアンプ反転端子との間のパターン長をできるだけ短
くしてください。このノードの容量が大きいと、回路が不安定
になることがあります。容量を小さくできない場合は、小さい
値の抵抗を使用してください。
–IN
R
R
VBIAS
+
–
OP AMP
高精度ストレイン・ゲージ
–OUT
RECOMMENDED OP AMPS: AD8515, AD8641, AD820.
RECOMMENDED R VALUES: 5kΩ to 20kΩ.
AD8227 は低いオフセットと広い周波数範囲で高いCMRRを持つ
ため、ブリッジ計測に対する優れた選択肢になっています。図
65 に示すように、ブリッジをアンプ入力に直接接続することが
できます。
07759-064
REF
5V
図 64.オペアンプを使用した差動出力
10µF
差動出力は、次式で決定されます。
350Ω
350Ω
350Ω
+IN
VDIFF_OUT = VOUT+ − VOUT− =ゲイン× (VIN+ − VIN−)
同相モード出力は、次式で決定されます。
この回路の利点は、DC 差動精度がオペアンプまたは抵抗に依存
するのではなく AD8227 に依存することです。この回路では、
AD8227 がリファレンス電圧を基準として出力電圧を正確に制御
することを利用しています。オペアンプの DC 性能と抵抗の一致
度は、DC 同相モード出力精度に影響を与えますが、同相モー
ド誤差はシグナル・チェーン内の次のデバイスで除去されるの
で、これらの誤差による全体システム精度への影響は殆どあり
ません。
－ 22/24 －
+
AD8227
RG
–IN
VCM_OUT = (VOUT+ − VOUT−)/2 = VBIAS
Rev. 0
350Ω
0.1µF
–
図 65.高精度ストレイン・ゲージ
2.5V
07759-065
AD8227
最適AC性能を得るためには、少なくとも 2 MHzのゲイン帯域幅
と 1 V/µsのスルーレートを持つオペアンプの使用が推奨されます。
オペアンプとしては、AD8641、AD8515、AD820 の使用が推奨
されます。
AD8227
オプション 2 に、高周波信号を駆動する回路を示します。比較
的広い帯域幅と出力駆動能力を持つ高精度オペアンプ(AD8616)
を使用しています。このアンプは、かなり大きい時定数の抵抗
とコンデンサを駆動することができるため、高い周波数のアプ
リケーションに適しています。
ADCの駆動
図 66 に、ADC駆動の幾つかの方法を示します。この例では
ADuC7026 マイクロコントローラのADC を選択していますが、こ
れは現代の大部分のADCで一般的な、バッファなしの電荷サン
プリング・アーキテクチャを採用しているためです。このタイ
プのアーキテクチャでは一般に、正しく動作させるために、
ADCとアンプとの間にRCバッファ・ステージが必要です。
オプション 3 は、AD8227 が高い電圧電源で動作する必要があり、
かつ単電源ADCを駆動する必要があるアプリケーションで有効
です。通常の動作では、AD8227 出力はADC範囲内にあり、
AD8616 は単純にそれをバッファするだけですが、故障状態では、
AD8227 出力が AD8616 とADCの電源範囲の外側に出てしまうこ
とがあります。このことはこの回路では問題になりません。こ
れは、2 つのアンプの間の 10 kΩ 抵抗により、AD8616 へ流れる
電流が安全なレベルに制限されるためです。
オプション 1 に、電荷サンプリング ADC の駆動に必要な最小構
成を示します。コンデンサは ADC サンプリング・コンデンサに
対して電荷を供給し、抵抗は AD8227 を容量からシールドしま
す。AD8227 を安定にするためには、抵抗とコンデンサの RC 時
定数を 5 µs 以上にする必要があります。この回路は主に低い周
波数の信号に有効です。
3.3V
OPTION 1: DRIVING LOW FREQUENCY SIGNALS
AD8227
3.3V
AVDD
ADC0
100Ω
REF
3.3V
100nF
ADuC7026
OPTION 2: DRIVING HIGH FREQUENCY SIGNALS
3.3V
AD8227
REF
AD8616
10Ω
ADC1
10nF
+15V
OPTION 3: PROTECTING ADC FROM LARGE VOLTAGES
3.3V
REF
AD8616
10Ω
ADC2
10nF
–15V
図 66.ADC の駆動
Rev. 0
－ 23/24 －
AGND
07759-066
AD8227
10kΩ
AD8227
外形寸法
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
3.20
3.00
2.80
1
5
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
5.15
4.90
4.65
5
4
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
4
1.27 (0.0500)
BSC
PIN 1
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
0.65 BSC
0.95
0.85
0.75
1.10 MAX
0.15
0.00
8
1
0.38
0.22
COPLANARITY
0.10
0.23
0.08
8°
0°
0.80
0.60
0.40
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
SEATING
PLANE
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA
図 67.8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ[MSOP]
(RM-8)
寸法: mm
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
0.50 (0.0196)
0.25 (0.0099)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-A A
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
図 68.8 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ[SOIC_N]
ナロー・ボディ
(R-8)
寸法: mm (インチ)
オーダー・ガイド
Model
Temperature Range
Package Description
Package Option
Branding
AD8227ARMZ1
AD8227ARMZ-RL1
AD8227ARMZ-R71
AD8227ARZ1
AD8227ARZ-RL1
AD8227ARZ-R71
AD8227BRMZ1
AD8227BRMZ-RL1
AD8227BRMZ-R71
AD8227BRZ1
AD8227BRZ-RL1
AD8227BRZ-R71
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
−40°C to +125°C
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP, 13" Tape and Reel
8-Lead MSOP, 7" Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N, 13" Tape and Reel
8-Lead SOIC_N, 7" Tape and Reel
8-Lead MSOP
8-Lead MSOP, 13" Tape and Reel
8-Lead MSOP, 7" Tape and Reel
8-Lead SOIC_N
8-Lead SOIC_N, 13" Tape and Reel
8-Lead SOIC_N, 7" Tape and Reel
RM-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
RM-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
Y1S
Y1S
Y1S
1
Z = RoHS 準拠製品
Rev. 0
－ 24/24 －
Y1U
Y1U
Y1U
012407-A
8
3.20
3.00
2.80