GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 0 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091 Chip position (2.7) 5.5 5.0 ø4.8 ø4.6 ø0.45 Radiant sensitive area 1.1 .9 0 1.1 0.9 14.5 12.5 2.54 spacing Approx. weight 0.35 g fet06091 (2.7) ø0.45 GEO06314 fet06090 ø5.6 ø5.3 1.1 .9 0 ø4.8 ø4.6 ø0.45 Radiant Sensitive area 1 0.9 .1 Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) 2.54mm spacing Chip position (2.7) SFH 400 SFH 401 SFH 402 ø5.6 ø5.3 5.3 5.0 GET06013 Cathode (SFH 402, BPX 65) Anode (SFH 482) fet06092 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Wesentliche Merkmale ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden ● Hohe Zuverlässigkeit ● SFH 400: Gehäusegleich mit SFH 216 ● SFH 401: Gehäusegleich mit BPX 43, BPY 62 ● SFH 402: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65 Features ● Fabricated in a liquid phase epitaxy process ● Cathode is electrically connected to the case ● High reliability ● SFH 400: Same package as SFH 216 ● SFH 401: Same package as BPX 43, BPY 62 ● SFH 402: Same package as BPX 38, BPX 65 Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb ● IR-Fernsteuerungen ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Photointerrupters IR remote control Industrial electronics For drive and control circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 400 Q62702-P96 SFH 400-3 Q62702-P784 SFH 401-2 Q62702-P786 SFH 401-3 Q62702-P787 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Glaslinse, hermetisch dichtes Gehäuse, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’) 18 A3 DIN 41876 (TO-18) glass lens, hermetically sealed package, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’) SFH 402 Q62702-P98 SFH 402-3 Q62702-P790 SFH 402-2 on request Semiconductor Group 2 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Grenzwerte (TC = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 401: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C SFH 400, SFH 402: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 125 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj 100 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlaßstrom Forward current IF 300 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 3 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 470 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms λpeak 950 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms ∆λ 55 nm ϕ ϕ ϕ ±6 ± 15 ± 40 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.25 mm2 Semiconductor Group 3 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Abstrahlwinkel Half angle SFH 400 SFH 401 SFH 402 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.5 × 0.5 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 400 SFH 401 SFH 402 H H H 4.0 ... 4.8 2.8 ... 3.7 2.1 ... 2.7 mm mm mm Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω tr, tf 1 µs Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Co 40 pF VF VF 1.30 (≤ 1.5) 1.90 (≤ 2.5) V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 (≤ 1) µA Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Φe 8 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.55 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA TCV – 1.5 mV/K Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCλ + 0.3 nm/K Semiconductor Group 4 Durchlaßspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 400 SFH SFH SFH SFH 400-3 401-2 401-3 402 SFH SFH 402-2 402-3 Strahlstärke Radiant intensity Ie min IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie max 20 – 32 – 10 20 16 – 2.5 – 2.5 – 4 – mW/sr mW/sr Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs 300 320 120 190 40 40 40 mW/sr Semiconductor Group Ie typ. 5 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Radiation characteristics, SFH 400 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01883 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Radiation characteristics, SFH 401 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 ϕ OHR01884 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 Radiation characteristics, SFH 402 Irel = f (ϕ) 40 30 20 10 0 φ OHR01885 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 6 100 120 1998-04-16 SFH 400, SFH 401, SFH 402 Relative spectral emission Irel = f (λ) Single pulse, tp = 20 µs OHRD1938 100 Ιe OHR01037 10 2 Max. permissible forward current SFH 401, IF = f (TA) OHR00486 350 Ι F mA 300 Ι e (100 mA) % Ι rel Ie = f (IF) Ie 100 mA Radiant intensity 80 250 10 1 60 R thJC = 160 K/W 200 150 40 10 R thJA = 450 K/W 0 100 20 50 0 880 920 960 1000 nm λ OHR01040 10 1 A 10 -1 ΙF typ. 10 1 tP D= tP T ΙF 0.2 0.5 0 0 20 60 80 ˚C 100 TA , TC Max. permissible forward current SFH 400, SFH 402, IF = f (TA) OHR00395 350 Ι F mA 300 250 R thJC = 160 K/W 200 150 R thJA = 450 K/W 5 -1 40 T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 max. 10 3 10 A ΙF OHR01937 10 4 mA 5 10 0 10 0 Permissible pulse handling capability IF = f (τ), TC = 25 °C, RthJC = 160 K/W, duty cycle D = parameter Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 µs ΙF 10 -1 10 -2 1060 100 DC 50 10 -2 1 1.5 2 2.5 3 3.5 Semiconductor Group 4 V 4.5 VF 10 2 10 -5 10 -4 10 -3 7 10 -2 s τ 10 0 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 130 TA , TC 1998-04-16